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          工程師必須掌握的MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)

          • 一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的,不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而,在MOS的G、S兩級(jí)之間,有結(jié)電容存在。這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡單......
          • 關(guān)鍵字: MOS  MOSFET  

          發(fā)光二極管與MOS中為何要添加多余的電流?

          • 發(fā)光二極管就是俗稱的LED,由于較容易入門且普及率高,很多新手在進(jìn)行入門學(xué)習(xí)時(shí)經(jīng)常會(huì)選擇發(fā)光二極管來入手。本文將對發(fā)光二極管與MOS之間的特定關(guān)系
          • 關(guān)鍵字: 發(fā)光二極管  MOS  電流  

          同步整流器與開關(guān)MOS在功率電源的耗散

          • 在大功率電源當(dāng)中,MOS器件的消耗至關(guān)重要。其很有可能關(guān)系到電源的整體效率。在之前的文章中,小編為大家介紹了一些功率耗散的方法,在本文中,小編將
          • 關(guān)鍵字: 同步整流器  MOS  功率  

          Mini LED需求強(qiáng)勁 三星加碼三安光電Mini LED產(chǎn)能

          •   據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,三星電子幾乎訂購了中國LED外延片和芯片制造商三安光電位于廈門的Mini LED產(chǎn)能,以確保其將在2018年第三季度推出的大尺寸高端液晶電視背光芯片供應(yīng)。   消息人士稱,三星已經(jīng)為此次芯片供應(yīng)預(yù)付了1683萬美元。   中國LED芯片制造商華燦光電和廈門乾照光電也已開始了MicroLED和Mini LED技術(shù)的研發(fā),而中國的LED封裝服務(wù)提供商佛山國星光電則于2018年3月初設(shè)立了MicroLED和Mini LED研究中心,以便在2020年能夠封裝0.5-1.0mm的Mini
          • 關(guān)鍵字: 三安光電  Mini LED  

          大尺寸TV等領(lǐng)域 Mini LED或有機(jī)會(huì)與OLED競爭

          •   根據(jù)TrendForce光電研究最新“新型顯示技術(shù)成本”報(bào)告,由于Mini LED作為LCD背光的架構(gòu)與現(xiàn)行LCD顯示器的LED背光架構(gòu)相仿,在設(shè)計(jì)上并無太大改變,因此也被廠商寄予厚望,希望其可成為Micro LED量產(chǎn)前的過渡產(chǎn)品。但不論是手機(jī)或電視等消費(fèi)性電子產(chǎn)品,Mini LED勢必將直接面對來自O(shè)LED的競爭,短期而言,大尺寸電視及高階IT產(chǎn)品是Mini LED有機(jī)會(huì)與OLED一較高下的應(yīng)用領(lǐng)域。   以電視來看,WitsView指出,由于OLED的印刷上色技術(shù)尚未成
          • 關(guān)鍵字: Mini LED  OLED  

          研華發(fā)布支持寬溫工作的超薄Mini-ITX主板AIMB-217

          •   全球智能系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)廠商研華科技今天發(fā)布新型工業(yè)級(jí)無風(fēng)扇超薄Mini-ITX主板AIMB-217。該產(chǎn)品搭載最新Intel? Pentium?、Celeron?和Atom? N4200/N3350/x7-E3950處理器(ATOM第六代Apollo Lake),相較于上一代產(chǎn)品而言CPU性能和顯示性能分別實(shí)現(xiàn)了30%和45%的顯著提升。同時(shí),AIMB-217還捆綁研華專屬WISE-PaaS/RMM軟件套件,可實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程設(shè)備管理。 AIMB-217的顯示性能已提升
          • 關(guān)鍵字: 研華  Mini-ITX  

          如何設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路?

          • 如何設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路?-利用MOS管的開關(guān)特性,控制電路的導(dǎo)通和斷開來設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路,由于功率MOS管的內(nèi)阻很小,解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
          • 關(guān)鍵字: mos  

          揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管

          • 揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管-在當(dāng)今的開關(guān)電源設(shè)備中,MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會(huì)對MOS管的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關(guān)鍵參數(shù)對電源設(shè)計(jì)工程師至關(guān)重要。
          • 關(guān)鍵字: MOS  電源  

          MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)

          • 隨著集成電路工藝制程技術(shù)的不斷發(fā)展,為了提高集成電路的集成度,同時(shí)提升器件的工作速度和降低它的功耗,MOS器件的特征尺寸不斷縮小,MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。
          • 關(guān)鍵字: MOS  FinFET  

          拯救EMI輻射超標(biāo),開關(guān)電源能做點(diǎn)啥?

          • 作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置,開關(guān)電源的電壓、電流變化率很高,產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大;干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器,相對于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚;開關(guān)頻率不高(從幾十千赫和數(shù)兆赫茲),主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場干擾;而印刷線路板(PCB)走線通常采用手工布線,具有更大的隨意性,這增加了PCB分布
          • 關(guān)鍵字: EMI  開關(guān)電源  MOS  

          為IC設(shè)計(jì)減少天線效應(yīng)

          • 如同摩爾定律所述,數(shù)十年來,芯片的密度和速度正呈指數(shù)級(jí)成長。眾所周知,這種高速成長的趨勢總有一天會(huì)結(jié)束,只是不知道當(dāng)這一刻來臨時(shí),芯片的密度和性能到底能達(dá)到何種程度。隨著技術(shù)的發(fā)展,芯片密度不斷增加,而閘級(jí)氧化層寬度不斷減少,超大規(guī)模集成電路(VLSI)中常見的多種效應(yīng)變得原來越重要且難以控制,天線效應(yīng)便是其中之一。
          • 關(guān)鍵字: IC設(shè)計(jì)  天線  天線效應(yīng)  充電損害  MOS  

          DC-DC電路當(dāng)中同步與非同步的差異講解

          • 在開關(guān)電源電路設(shè)計(jì)當(dāng)中,電流的轉(zhuǎn)換分為很多種。其中直流轉(zhuǎn)換是較常見的一種設(shè)計(jì)。通常稱為DC-DC轉(zhuǎn)換,是指將一個(gè)電壓值轉(zhuǎn)化為另一個(gè)電壓值電能的裝置。直流轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)在開關(guān)電源當(dāng)中非常常見,也是新手接觸比較多一種電路設(shè)計(jì),本篇文章將為大家介紹這種電路當(dāng)中非同步與同步的區(qū)別。
          • 關(guān)鍵字: DC-DC  MOS  同步  開關(guān)電源  非同步  

          高手詳解,MOS及MOS驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)總結(jié)

          •   在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。   下面是我對MOS及MOS驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié),其中參考了一些資料。包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。   MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管,
          • 關(guān)鍵字: MOS  MOS驅(qū)動(dòng)電路  

          恩智浦將分立器件與功率MOS業(yè)務(wù)出售給中國公司

          •   半導(dǎo)體行業(yè)的重組還在繼續(xù)。恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)將把經(jīng)營分立器件、邏輯芯片、功率MOS半導(dǎo)體等產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門出售給中國的投資公司(英文發(fā)布資料)。   標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門2015年財(cái)年的銷售額為12億美元,約占恩智浦總銷售額(61億美元)的2成。該部門約有員工1.1萬名,約為恩智浦總員工數(shù)量(4.5萬)的2.5成。   出售金額約為27.5億美元,購買方是北京建廣資產(chǎn)管理有限公司(簡稱“建廣資產(chǎn)”)與Wise Road Capital兩家
          • 關(guān)鍵字: 恩智浦  MOS  

          【E問E答】MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿?

          •   MOS管一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(想想U(xiǎn)=Q/C)將管子損壞),又因在靜電較強(qiáng)的場合難于泄放電荷,容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式:一是電壓型,即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿,形成針孔,使柵極和源極間短路,或者使柵極和漏極間短路;二是功率型,即金屬化薄膜鋁條被熔斷,造成柵極開路或者是源極開路。JFET管和MOS管一樣,有很高的輸入電阻,只是MOS管的輸入電阻更高?! §o電放電形成
          • 關(guān)鍵字: MOS  擊穿  
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