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國(guó)產(chǎn)化替代迎來(lái)關(guān)鍵拐點(diǎn) 來(lái)電子展一探元器件行業(yè)機(jī)遇
- 全球電子產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷了家電、PC 和移動(dòng)終端引領(lǐng)的多輪創(chuàng)新浪潮后，即將迎來(lái)以 AI 和 IoT 為主導(dǎo)的智能硬件新時(shí)代。中國(guó)憑借逐步完善的產(chǎn)業(yè)鏈和技術(shù)創(chuàng)新生態(tài)圈，正成為新時(shí)代的創(chuàng)新中心。 2017年，電子元器件市場(chǎng)迎來(lái)了20年難遇的“缺貨”現(xiàn)象，以MLCC為特例，到2017年第三季末漲出歷史高度，個(gè)別品牌一貨難求，價(jià)格根本不在商量范圍：競(jìng)價(jià)出貨、價(jià)高者得、配額管控。 不少業(yè)內(nèi)人士表示，行業(yè)快速發(fā)展的情況下必須警惕電子元器件行業(yè)的泡沫，而技術(shù)升級(jí)和市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字： 元器件 MLCC
戰(zhàn)略資源整合，村田減少“舊產(chǎn)品群”訂單
- 隨著近年通信、車(chē)載等市場(chǎng)對(duì)高性能疊層陶瓷電容的需求大幅增長(zhǎng)，包括村田在內(nèi)，各MLCC 廠(chǎng)商皆已無(wú)法滿(mǎn)足整體需求。 此前，村田一直以持續(xù)增加投資、擴(kuò)大產(chǎn)能、提高生產(chǎn)效率等手段，謀求供給能力的最大化。但產(chǎn)能的提升并非立竿見(jiàn)影，工廠(chǎng)的建設(shè)和投產(chǎn)都需要時(shí)間?！ 〈送?，因其他MLCC 廠(chǎng)商丌斷上調(diào)MLCC 價(jià)格，“舊產(chǎn)品群”如：“0603/ 0805 尺寸的高介電常數(shù)型、靜電容量1uF 以下”的訂單丌斷向村田集中。這些產(chǎn)品生產(chǎn)工藝比較成熟，已經(jīng)存在小
- 關(guān)鍵字： 村田 MLCC
中國(guó)手機(jī)需求下修無(wú)損MLCC供需結(jié)構(gòu)
- 從去年第4季開(kāi)始，中國(guó)品牌手機(jī)陸續(xù)下修出貨規(guī)模，加上蘋(píng)果iPhone X銷(xiāo)售未如預(yù)期，導(dǎo)致各類(lèi)電子零組件利空罩頂，對(duì)此MLCC廠(chǎng)表示，手機(jī)下修無(wú)損于MLCC目前的供需結(jié)構(gòu)，由于需求端穩(wěn)健成長(zhǎng)，新產(chǎn)能放量不易， 仍維持2018年產(chǎn)業(yè)供需緊張的看法。 國(guó)巨表示，目前MLCC安全庫(kù)存天數(shù)仍低于30天，供應(yīng)還是相當(dāng)吃緊 華新科指出，去年缺貨的規(guī)格交期還是達(dá)6個(gè)月以上，安全庫(kù)存低于45天，相較于去年，供需缺口仍有10～15%，改善幅度不大。 大中華區(qū)是國(guó)巨、華新科最大的銷(xiāo)售區(qū)域，以去年下半年的
- 關(guān)鍵字： MLCC
MLCC單顆物料最大漲幅近10倍 缺貨潮于2018年中初步緩解
- MLCC受產(chǎn)能供需吃緊影響，價(jià)格大漲，已經(jīng)完全超過(guò)預(yù)期。根據(jù)近期供應(yīng)鏈廠(chǎng)商反饋，國(guó)巨今年來(lái)已經(jīng)開(kāi)展了3 輪MLCC漲價(jià)計(jì)劃;潮州三環(huán)于10月9日起對(duì)MLCC產(chǎn)品價(jià)格調(diào)整及延長(zhǎng)交期，價(jià)格調(diào)漲幅度在15%以上;國(guó)內(nèi)MLCC龍頭風(fēng)華高科已經(jīng)宣布調(diào)價(jià)，0201、0402、0603等主流型號(hào)全面漲價(jià)5%-30%。 那么MLCC漲價(jià)幅度究竟有多大，30%是最高溢價(jià)嗎?據(jù)業(yè)內(nèi)人士向集微網(wǎng)透露，MLCC這一輪漲價(jià)已經(jīng)完成超過(guò)預(yù)期，其中以村田MLCC的NPO物料漲幅最大，今年初每顆NPO成本價(jià)約2毛錢(qián)，如今每顆N
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MOS芯片缺貨潮2019年有望緩解 應(yīng)用端提升8寸產(chǎn)線(xiàn)成主力
- 以MLCC為代表的被動(dòng)元件在進(jìn)入第三季度后，受產(chǎn)能供需吃緊影響，價(jià)格大漲，部分物料漲幅甚至超過(guò)10倍。而與被動(dòng)元件市場(chǎng)行情相似的MOSFET芯片也出現(xiàn)缺貨潮，導(dǎo)致價(jià)格上漲，即便是在溢價(jià)20%的基礎(chǔ)上新增訂單，供應(yīng)商仍難交出貨來(lái)。更嚴(yán)重的是，MOSFET芯片市場(chǎng)缺貨潮短期內(nèi)將難以緩解，保守估計(jì)到2019年局面才能改觀(guān)。 據(jù)IHS數(shù)據(jù)顯示，2016年MOSFET芯片市場(chǎng)總規(guī)模為205億美元，2017年預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)到220億美元。MOSFET芯片可廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類(lèi)電子、電動(dòng)汽車(chē)以及IIoT等領(lǐng)域，杭州士
- 關(guān)鍵字： MOSFET MLCC
醫(yī)療電子中的電容應(yīng)該如何選型？
- 開(kāi)關(guān)電源用于對(duì)這些電源進(jìn)行控制，由于具有顯著優(yōu)點(diǎn)，開(kāi)關(guān)電源已成為大部分電子產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)電源。電容可用來(lái)減少紋波并吸收開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器產(chǎn)生的噪聲，它還可以用于后級(jí)穩(wěn)壓，提高設(shè)備的穩(wěn)定性和瞬態(tài)響應(yīng)能力。電源輸出中不應(yīng)出現(xiàn)任何紋波噪聲或殘留抖動(dòng)。這些電路常采用鉭電容來(lái)降低紋波，但鉭電容有可能受到開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的噪聲影響而產(chǎn)生不安全的瞬變現(xiàn)象。
- 關(guān)鍵字： 醫(yī)療電子 電容 開(kāi)關(guān)電源 MLCC
電源設(shè)計(jì)小貼士49：多層陶瓷電容器常見(jiàn)小缺陷的規(guī)避方法
- 因其小尺寸、低等效串聯(lián)電阻(ESR)、低成本、高可靠性和高紋波電流能力，多層陶瓷 (MLC) 電容器在電源電子產(chǎn)品中變得極為普遍。一般而言，它們用在電解質(zhì)電容器中，以增強(qiáng)系統(tǒng)性能。
- 關(guān)鍵字： MLCC 德州儀器 電源設(shè)計(jì)小貼士 ESR
超級(jí)電容可以為電動(dòng)車(chē)供電嗎？有哪些技術(shù)挑戰(zhàn)？
- 超級(jí)電容是被動(dòng)組件領(lǐng)域中相對(duì)較新的基礎(chǔ)性技術(shù)創(chuàng)新，第一款超級(jí)電容在20世紀(jì)70年代上市，而到20世紀(jì)90年代初獲得廣泛的使用。在超級(jí)電容開(kāi)發(fā)出來(lái)之前，“傳統(tǒng)觀(guān)點(diǎn)”和教科書(shū)都認(rèn)為即使是1法拉的電容也不可能真正實(shí)現(xiàn)，因?yàn)檫@么大容量電容的體積將會(huì)像桌子那么大。然而今天的超級(jí)電容已經(jīng)成為工程師材料列表(BOM)中的標(biāo)準(zhǔn)組件。 與可重復(fù)充電的電池相比，超級(jí)電容既有優(yōu)點(diǎn)也有缺點(diǎn)。與標(biāo)準(zhǔn)的電解電容相比，超級(jí)電容可以存儲(chǔ)10倍至100倍的單位體積或單位質(zhì)量(unit mass)的能量，但
- 關(guān)鍵字： 超級(jí)電容 MLCC
無(wú)源元件主題展區(qū)：助力未來(lái)電子產(chǎn)品的差異化發(fā)展
- 權(quán)威市場(chǎng)分析公司發(fā)布的最新研究報(bào)告稱(chēng)，智能手機(jī)取代傳統(tǒng)手機(jī)的趨勢(shì)已不可逆轉(zhuǎn)，平板電腦的熱銷(xiāo)將會(huì)徹底顛覆現(xiàn)有的筆記本電腦市場(chǎng)，另外一些特殊應(yīng)用的細(xì)分市場(chǎng)，特別是醫(yī)療電子、LED照明以及石油天然氣行業(yè)的需求也將持續(xù)增長(zhǎng)。在搭上市場(chǎng)需求持續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)的順風(fēng)車(chē)后，無(wú)源元件制造行業(yè)有望迎來(lái)業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)爆發(fā)期。
- 關(guān)鍵字： 智能手機(jī) 平板電腦 無(wú)源元件 MLCC
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目前廣泛應(yīng)用在便攜產(chǎn)品中,主要可分為兩大類(lèi)：BME化的C0G產(chǎn)品和LOW ESR選材的X7R(X5R)產(chǎn)品。
C0G類(lèi)MLCC的容量多在1000pF以下，該類(lèi)電容器低功耗涉及的主要性能指標(biāo)是損耗角正切值tgδ(DF)。傳統(tǒng)的貴金屬電極(NME)的C0G產(chǎn)品DF值范圍是(2.0～8.0)×10-4，而技術(shù)創(chuàng)新型賤金屬電極(BME)的C0G產(chǎn)品DF值范圍為(1.0～2.5)×10-4，約是前者的( [ 查看詳細(xì) ]
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