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          高啟全：長江存儲自主3D NAND、DRAM研發(fā)歡迎美光一起加入
          
                                                            
            
                    	
          • 　　臺灣DRAM教父高啟全轉(zhuǎn)戰(zhàn)大陸紫光集團操盤存儲器大計劃超過1年，日前晉升長江存儲的執(zhí)行董事、代行董事長，接受DIGITIMES獨家專訪公開未來規(guī)劃;他指出，已齊聚500名研發(fā)人員在武漢投入3D NAND開發(fā)，也考慮研發(fā)20/18納米DRAM，會在技術(shù)開發(fā)具競爭力后才開始投產(chǎn)，歡迎美光(Micron)加入合作，雙方合則兩利，且時間會對長江存儲有利!
　　長江存儲計劃存儲器的研發(fā)，制造基地在武漢、南京兩地，紫光2017年1月底資金到位，現(xiàn)階段長江存儲的股權(quán)結(jié)構(gòu)是大基金占25%、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和
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          • 關(guān)鍵字：
                        長江存儲  DRAM                          
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          中國半導體遭圍堵 晉華并沒有DRAM試產(chǎn)線？
          
                                                            
            
                    	
          • 美光此次提起訴訟無非是為了防止其存儲技術(shù)遭到泄露，間接給大陸廠商和相關(guān)員工施壓，其行為也是國際大廠圍堵中國半導體產(chǎn)業(yè)崛起的縮影之一
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          • 關(guān)鍵字：
                        晉華  DRAM                          
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          集邦咨詢：美光圍堵，無礙中國DRAM研發(fā)進程
          
                                                            
            
                    	
          • 　　近日，有媒體報道美國存儲器大廠在臺灣地區(qū)采取司法手段其防止技術(shù)遭遇泄露，目標是前華亞科及前瑞晶關(guān)鍵制程和研發(fā)人員，目前已有上百人遭到約談?！　∈袌龈莻鞒?，美光這一行動已經(jīng)波及聯(lián)電與大陸廠商晉華的合作事宜，導致后者出資在聯(lián)電臺灣南科廠設(shè)置的試產(chǎn)線停產(chǎn)?！　〔贿^，4月5日，聯(lián)電方面對外表示，確實有員工收到了訴訟通知，但只是個人行為，與公司無關(guān)。此外，聯(lián)電還表示，目前DRAM仍處制程技術(shù)開發(fā)階段，尚無試產(chǎn)線，并無外傳試產(chǎn)線暫停的情況，其DRAM技術(shù)的研發(fā)計劃也將持續(xù)不變?！　「鶕?jù)集邦咨詢觀察，近年來，中國
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          • 關(guān)鍵字：
                        美光  DRAM                          
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          IC Insights：存儲器市場前景好，DRAM、NAND報價調(diào)升兩倍
          
                                                            
            
                    	
          • 　　DRAM、NAND 快閃存儲器價格漲不停，促使半導體研究機構(gòu) IC Insights 將今年全球芯片成長預估調(diào)升兩倍。
　　IC Insights 最新預期 2017 年全球芯片產(chǎn)值將成長 11%，兩倍高于原先估計的 5%。IC Insights 解釋原因為 DRAM、NAND 快閃存儲器展望明顯上修。
　　IC Insights 現(xiàn)在預期今年 DRAM 銷售額有望跳增 39%、NAND 快閃存儲器有望成長 25%，隨著報價走揚，未來兩者都還有進一步上修的可能。
　　IC Insights 指出
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          • 關(guān)鍵字：
                        存儲器  DRAM                          
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          2015年大陸貢獻全球IC需求29%,供給僅4%
          
                                                            
            
                    	
          • 　　2013年，中國從海外進口了2,330億美元的半導體，進口金額首度超越石油，也促成了中國「半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展綱要」的出現(xiàn)，并在2014年9月募集第一波的「大基金」。 2015年，半導體的進口金額維持2,307億美元的高檔，大約貢獻了全球29%的半導體需求量，但中國能自己供應(yīng)的比重僅有4%。
　　中國政府希望到2020年為止，能夠維持每年20%的成長。 相較于海外的購并工作不斷的受到干擾，中國顯然更積極于自建工廠的努力。 整體而言，我們可以用「自建工廠」，發(fā)展3D Flash，也同步發(fā)展材料設(shè)備業(yè)等幾個字
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          • 關(guān)鍵字：
                        IC  DRAM                          
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          車用存儲器市場分析
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在“2017慕尼黑上海電子展”前夕的“汽車技術(shù)日”上，ISSI技術(shù)市場經(jīng)理田步嚴介紹了車用存儲器市場，包括：信息娛樂、ADAS、儀表總成、connectivity telematics四大類。
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          • 關(guān)鍵字：
                        汽車  SRAM  DRAM  SDRAM  e.MMC  201704                           
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          三星美光1xnm DRAM 接連出狀況，市場供貨吃緊仍沒改善
          
                                                            
            
                    	
          • 　　自 2016 年中開始，DRAM 內(nèi)存供貨不足，造成市場價格全面上漲的情況，如今又要多加一個變量。 那就是 DRAM 內(nèi)存的市場龍頭三星，在 2017 年 2 月中旬陸續(xù)召回部分序號的 18 奈米制程的內(nèi)存模塊，并且再重新出貨給客戶之后，仍然發(fā)生有瑕疵的狀況。 而且，此事件已影響了名列前茅的 PC 大廠在 DPPM (每百萬臺的不良率) 有大幅提升的狀況。 再加上，不僅是三星出現(xiàn)這樣的情況，連美光 (Micron) 的 17 奈米制程 PC DRAM 內(nèi)存模塊都有類似的情形發(fā)生，如此也為 2017 年
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          • 關(guān)鍵字：
                        三星  DRAM                          
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          紫光國芯第四代DRAM存儲器成功通過科技成果評價
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　2017年3月22日，受工業(yè)和信息化部電子科學技術(shù)情報研究所委托，北京中企慧聯(lián)科技發(fā)展中心在北京主持召開由紫光國芯股份有限公司/西安紫光國芯半導體有限公司自主研發(fā)的“高性能第四代DRAM存儲器”科技成果評價會。
　　北京中企慧聯(lián)評價機構(gòu)嚴格按照《科技成果評價試點暫行辦法》的有關(guān)規(guī)定和要求，秉承客觀、公正、獨立的原則，聘請同行專家對該項科技成果進行了評價。評價委員會聽取了項目完成單位的技術(shù)總結(jié)報告，對評價資料進行了審查，經(jīng)嚴格質(zhì)詢和充分討論形成了評價意見。
　　

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          • 關(guān)鍵字：
                        紫光國芯  DRAM                          
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          韓國與大陸技術(shù)差距僅剩3~5年？SK海力士提前應(yīng)對專利紛爭
          
                                                            
            
                    	
          • 　　大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導的長江存儲在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地引起全球關(guān)注，韓國業(yè)界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學習大陸商業(yè)法、專利法等相關(guān)法律。
　　據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟引述SK海力士內(nèi)部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學習大陸專利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導體技術(shù)暫時還
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          • 關(guān)鍵字：
                        SK海力士  DRAM                          
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          韓國與大陸技術(shù)差距僅剩3~5年？SK海力士提前應(yīng)對專利紛爭
          
                                                            
            
                    	
          • 　　大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導的長江存儲在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地引起全球關(guān)注，韓國業(yè)界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學習大陸商業(yè)法、專利法等相關(guān)法律。
　　據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟引述SK海力士內(nèi)部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學習大陸專利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導體技術(shù)暫時還
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          • 關(guān)鍵字：
                        SK海力士  DRAM                          
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          Micron宣布在臺成立DRAM卓越制造中心
          
                                                            
            
                    	
          • 　　Micron 宣布于本月14日成功標得達鴻先進科技的拍賣資產(chǎn)，并將以此建立Micron在臺之后段生產(chǎn)基地。Micron現(xiàn)已取得這新生產(chǎn)基地之所有權(quán)。
　　經(jīng)由此收購案， Micron取得與其臺中廠相鄰的無塵室和設(shè)備，并將使Micron 的晶圓制造與后段封測得以集中于同一據(jù)點，并專注于建立集中式的后段封測營運。
　　全球制造副總裁Wayne Allan指出：“此舉為Micron在臺建立DRAM卓越制造中心的重要一步。將晶圓制造和后段封測結(jié)合在同一地點，構(gòu)建一個完整連貫的高效制造支援組織，
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          • 關(guān)鍵字：
                        Micron  DRAM                          
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          DRAM與NAND差別這么大，存儲之爭都爭啥？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　什么是DRAM?　　DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù))　　工作原理　　動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的?！　?nbsp; 

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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          DRAM邁入3D時代！
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 平面DRAM最重要也最艱難的挑戰(zhàn)，是儲存電容的高深寬比，為了要延長DRAM這種內(nèi)存的壽命，在短時間內(nèi)必須要采用3D DRAM解決方案。
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          內(nèi)存霸主三星擴產(chǎn) 恐讓下半年DRAM漲勢止歇
          
                                                            
            
                    	
          • 　　全球內(nèi)存龍頭三星電子傳出將進行DRAM擴產(chǎn)計劃，業(yè)界認為，由于建廠時間還要兩年，難解今年缺貨窘境，不過受心理層面影響，恐讓下半年DRAM漲勢止歇。
　　三星決定斥資87億美元，擴充南韓華城廠DRAM產(chǎn)能。 三星表示，新產(chǎn)線約需兩年時間建造，將視研發(fā)進度和制程轉(zhuǎn)換良率，決定生產(chǎn)18nm或更先進制程的DRAM。
　　對于今年DRAM供需，稍早包括南亞科總經(jīng)理李培瑛、創(chuàng)見董事長束崇萬，及威剛董事長長陳立白都表示，今年DRAM因主要供應(yīng)大廠將產(chǎn)能挪移生產(chǎn)儲存型閃存(NAND Flash)，且只做DRAM 
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          • 關(guān)鍵字：
                        三星  DRAM                          
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          楊士寧：為何長江存儲決定跨入存儲領(lǐng)域？
          
                                                            
            
                    	
          • 　　長江存儲執(zhí)行長楊士寧點出，為何長江決定跨入存儲領(lǐng)域?他表示，半導體組件可分為四大塊領(lǐng)域：首要運算CPU、存儲、通訊及第四部分涵蓋了物聯(lián)網(wǎng)(IoT)感測器、模擬IC等較為分散的領(lǐng)域。然CPU領(lǐng)域行業(yè)生態(tài)較為復雜、通訊芯片領(lǐng)域也已經(jīng)形成fabless+foundry穩(wěn)固態(tài)勢，大舉跨入存儲這一領(lǐng)域仍是大有可為的。楊士寧精準點出了大陸發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思考。分析指出，大陸當下大力發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)是正確的。
　　楊士寧分析，從半導體存儲器技術(shù)分類來看，目前DRAM和NAND閃存儲存的總產(chǎn)值占全球存儲器產(chǎn)業(yè)的95%
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          • 關(guān)鍵字：
                        長江存儲  DRAM                          
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          mobile dram介紹
          
      			
          
		      	
          
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