- 從2016年下半年開始，包括CPU、內存、屏幕、CMOS Sensor在內的眾多電子元器件都進入了缺貨周期，這樣就給終端制造商帶來了成本壓力，最終這個壓力就轉移到了消費者身上，引起蝴蝶效應。
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DRAM NAND
- 雖然現在三星被業(yè)界貶低，但是我們不得不承認，其地位依然很強勢。強大的半導體業(yè)務仍是三星的后盾，這些年來三星憑借該業(yè)務獲益匪淺。三星去年遭遇手機品牌危機，雖然導致其智能手機業(yè)務遭遇滑坡，但是元件業(yè)務的完全可以彌補，直到現在三星依然是DRAM和NAND和SSD市場的老大，依然有價格主導權利。
不管是PC業(yè)務還是手機業(yè)務未來日子不好過的情況下，唯獨DRAM內存、NAND閃存活的很滋潤。我們看到在2016年下半年DRAM內存開始缺貨，甚至漲價，據了解，DRAM漲價的主要推手是三星公司。眾所周知，由于
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DRAM 三星
- 智能手機屏幕放大、分辨率提高，推升高效能移動DRAM的需求，讓三星、海力士等韓國兩大存儲器廠錢景一片看好。
TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange周日發(fā)布報告預測，第一季DDR雙通道存儲器芯片報價今年第一季有望成長10-15%，為前一季3-7%的兩倍多，反映市場供給吃緊的程度。
智能手機功能越來越多元，高分辨率的大屏幕手機更有賴于高密度DRAM模組驅動，如此才能實現類似PC的“多線程工作”。據傳，三星今年推出的Galaxy S8手機其中一款
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三星 DRAM
- 中國臺灣地區(qū)經濟部工業(yè)局昨(17)日首度證實，全球DRAM大廠美光預計在臺投資新臺幣1，300億元，未來將落腳中部科學園區(qū)進行擴廠計劃，預計將增加逾2千個就業(yè)機會。據悉，美光鎖定中科進行新的3D封測制程，預估2-3年可量產，要打造成為亞太區(qū)營運中心。
工業(yè)局表示，去年協助美光在臺擴大投資，總投資金額高達新臺幣1，300億元，也就美光擴大投資所需土地、廠房、資金等提供協助，未來規(guī)劃中科擴廠計劃，將可增加2，000個以上就業(yè)機會，將臺灣塑造為高效完整的DRAM全球生產基地。
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美光 DRAM
- 從2016年下半年開始，內存、閃存的缺貨漲價勢頭開始上揚，2017年這一局面將繼續(xù)擴散蔓延，而且一整年都未必會有改觀。
據臺灣經濟日報報道，內存大廠金士頓近日表態(tài)，今年因為主要的DRAM內存大廠都沒有增產計劃，全年DRAM內存都面臨缺貨窘境。此外，群聯公司董事長潘建成也強調，NAND閃存因為進入3D世代，制程良率無法提升，預計將缺貨一整年。
日前，金士頓董事長陳建華出席群聯竹南三廠上梁典禮時，針對DRAM內存市場進行了分析，他表示，目前主要DRAM內存大廠都沒有增產計劃
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DRAM 閃存
- 在長江存儲，晉華項目和合肥長鑫這三大存儲國產存儲基地開建之際，有很多人曾經質疑過中國為什么要投入那么多錢去做這個建設?，F在我通過一個事實告訴你原因。現在在存儲產業(yè)，基本是韓國廠商的天下，而隨著設動設備的火熱，各種設備的爆發(fā)，市場對存儲的需求日增，于是帶來了存儲產品的缺貨問題，進而導致了漲價。
拜DRAM價格因供給短缺而以高角度上揚之賜，部分分析師預測南韓兩大存儲廠三星與SK海力士，今年半導體營業(yè)利潤可能年增5成，來到史無前例的25兆韓圓。
存儲市況從2016年6月觸底反彈后，從最低每單位1
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DRAM
- 長江存儲成立后，大陸在這個階段于半導體的宏觀布局重新成形。但是為什么挑由存儲器入手?這是個關鍵選擇。尤其是在臺灣的 DRAM 產業(yè)甫因規(guī)模經濟不足導致研發(fā)無法完全自主而緩緩淡出之際，這樣的選擇需要一番辯證。進口替代當然是原因之一，但不是全部。
回歸基本面來看。半導體之所以為高科技是因為有摩爾定律，容許其不斷的制程微縮，而其經濟效益也高度依賴摩爾定律。DRAM 在很長的一段時間里是半導體業(yè)的驅策技術(driving technology)，也就是說DRAM的制程領導其它的半導體制程前進。半導體的先
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DRAM 存儲器
- 市場調查機構TrendForce最新報告預測，服務器用DRAM模組由于供給吃緊，第一季報價可能攀升至少25%。
2017年第一季初，服務器DRAM模組已較前一季同期漲價逾25%，部份高密度產品合約價漲幅更是逼近30%。DDR4 R-DIMM 32GB模組目前已漲破200美元門檻，16GB模組也來到100美元。
TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange發(fā)現，服務器DRAM模組報價看漲，部份是受惠于PC用DRAM持續(xù)漲價。除此之外，服務器制造業(yè)者因擔心價格持續(xù)走揚而提前
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DRAM
- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示，由于DRAM供貨吃緊至今未有改善的跡象，因此延續(xù)2016下半年的價格漲勢，2017年第一季DRAM平均銷售單價呈大幅上漲格局，DDR3 4GB模組的合約價最高已超過25美元，季漲幅超過三成，為DRAM史上首個在傳統(tǒng)淡季下仍能維持強勢漲價的季度。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，根據現已成交的合約看來，2017年第一季標準型內存價格持續(xù)攀高，平均漲幅接近三成，服務器內存的漲幅略同，R-DIMM 32GB模組已超過200美元
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DRAM
- 在2015、2016連續(xù)兩年下跌后，DRAM和NAND Flash存儲器平均銷售價格(ASP)正穩(wěn)健走揚，研究機構IC Insights認為，此將有助推升2017年存儲器市場銷售規(guī)模，預估整體產值可達853億美元新高紀錄，較2016年成長10%;2020年更可望首度攀至千億美元大關。
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DRAM NAND
- 垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT)，是Kilopass研發(fā)出的新型內存單元，能夠顯著降低動態(tài)隨機存取內存(DRAM)的成本和復雜性。這是一種靜態(tài)的內存單元，無需刷新操作;兼容于現有晶圓廠的制造設備，也無需任何新的材料或工藝。 相較于一般的DRAM，VLT內存數組能節(jié)約高達45%的成本;這是因為它具有更小的VLT內存單元，以及驅動更長行與列的能力，使其得以大幅提升內存數組效率。然而，想要發(fā)揮VLT的優(yōu)勢，就必須在依據產業(yè)標準發(fā)展的成熟DR
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DRAM
- 大陸紫光集團在2016年終正式宣布投資總額高達240億美元，在武漢東湖高新區(qū)興建全球單一最大3D儲存型快閃存儲器(NAND Flash)廠，為全球存儲器市場投下一顆震撼彈。
半導體設備業(yè)透露，紫光集團由旗下長江存儲公司負責推動這項計畫。紫光集團暨長江存儲董事長趙偉國甚至將這項投資案，等同遼寧號航空母艦出海試航，是中國大陸存儲器產業(yè)從零突破的開端，也創(chuàng)下由國家戰(zhàn)略推動、地方大力支持、企業(yè)市場化運作的新合作模式。
由紫光集團聯合國家集成電路產業(yè)基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資
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紫光 DRAM
- 根據ICInsights報道，在經歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應商合并、產能控制還是新型應用頻出等過去認為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲器市場。個人電腦市場的低迷導致存儲器庫存過多，從而在2015年下半年出現了價格暴跌，2015年存儲器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。
這種頹勢延續(xù)到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發(fā)生了變化，存儲器價格開始變得異常堅挺，而且持續(xù)到了2016結束。但由于
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DRAM 存儲器
- 全球三大DRAM廠三星、SK海力士(SK Hynix)及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負責研發(fā)的聯電核心成員，全力防堵DRAM技術流入中國大陸，讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術人員，遭到空前恫嚇。
半導體人士透露，三大DRAM廠強力防止中國大陸藉挖角剽竊技術，顯示不樂見DRAM產業(yè)寡占局面被中國大陸全力搶進而打破，三大廠采取法律制約員工跳槽的行動，如果能奏效，將使DRAM供給缺口浮現問題再擴大，明年再現飆漲
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DRAM SK海力士
- 在經歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應商合并、產能控制還是新型應用頻出等過去認為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲器市場。個人電腦市場的低迷導致存儲器庫存過多，從而在2015年下半年出現了價格暴跌，2015年存儲器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。
這種頹勢延續(xù)到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發(fā)生了變化，存儲器價格開始變得異常堅挺，而且持續(xù)到了2016結束。但由于上半年跌價太狠，IC Insi
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存儲器 DRAM
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