SEMICON Taiwan 國際半導體展暨 LED Taiwan 制程展2013年9月3日舉行展前記者會，一年一度國際半導體展與LED制程展都于于4日開展，SEMI指出，全球半導體市場將穩(wěn)定成長，2013年半導體設備資本支出預估與2012年相當，2014年半導體設備資本支出則可望回到439.8億美元的高檔。
根據SEMI每季 Opto/LED 晶圓廠對高亮度發(fā)光二極體 (HB-LED) 前段晶圓制造廠的預估，LED晶圓廠設備支出在2011年及2013年分別下滑45% 和30%之后，將于2014
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LED MOCVD
發(fā)光二極體(LED)照明市場成長，連帶刺激有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)前驅物(Precursor)的需求快速攀升。研究機構IHS預估，MOCVD前驅物的全球總需求量將從2013年的48.6噸擴增至2016年的69噸;對比2012年的32噸，成長幅度上看114%。
前驅物是影響LED磊晶層(EpiLayer)發(fā)光效率能否達到最理想狀態(tài)的核心材料，用于制造LED晶片中最關鍵的MOCVD制程，其主要包含三甲基鎵(TMGa)、三甲基銦(TMIn)、三乙基鎵(TEGa)、三甲基鋁(TMA)、環(huán)戊二烯
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LED MOCVD
臺灣磊晶廠璨圓引進大陸三安資金，成為臺灣、大陸兩岸科技業(yè)水平整合首例，自去年11月宣布至今，該案卡關于臺灣經濟部近半年，29日正式過關，璨圓董事長簡奉任難掩喜悅心情指出，雙方合作終于可以正式啟動，眼前的國際訂單也可確定的接下來了，璨圓終于可以站上國際擂臺，接下來將會愈來愈好。
璨圓目前MOCVD機臺兩岸已擴增至107臺，而三安亦已完成擴產，目前MOCVD機臺達170臺，雙方合作關系過關后，合計MOCVD機臺達277臺，璨圓在國際接單上的產能力量快速拉近與全球第一大專業(yè)磊晶廠龍頭晶電300臺的MO
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璨圓 MOCVD
去年，廣東出臺了《廣東省戰(zhàn)略性新興產業(yè)發(fā)展“十二五”規(guī)劃》，擬投入220億元支持戰(zhàn)略性新興產業(yè)發(fā)展，根據規(guī)劃LED產業(yè)到2015年將率先實現(xiàn)突破。
經過近18個月的大力推廣，廣東LED產業(yè)優(yōu)勢凸顯，在LED封裝工藝及制造技術、MOCVD系統(tǒng)的研發(fā)和制造、新產品開發(fā)能力及標準光組件、產品標準制定、專利技術、產業(yè)規(guī)模六個方面均領先全國。數據顯示，廣東省LED產業(yè)產值成功突破2100億，占全國的比例約為44.25%，產業(yè)規(guī)模繼續(xù)位居全國首位。
截至目前，廣東省擁有外延生長
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MOCVD LED
中國科學院院士、著名的光學與激光科學家劉頌豪教授近日表示，LED很快就會取代白熾燈，占據照明市場。劉頌豪認為，關鍵技術上的制約有可能阻礙中國LED產業(yè)發(fā)展。
LED將大行其道
LED內部的半導體分為P和N兩個區(qū)，構成一個PN結。P區(qū)中有多余的帶負電的電子，而N區(qū)有多余的帶正電的空穴。LED發(fā)光的原理并不復雜———當加在LED上的正向電壓使得電子和空穴相遇，就會釋放出能量，轉化成光子。
與常用的白熾燈照明相比，LED有許多優(yōu)勢：首先，它是固體器件，沒
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LED照明 MOCVD
在2009-2011年的瘋狂擴張導致產能過剩，產品價格不斷下跌之后，當前國內LED芯片產業(yè)現(xiàn)在已逐步恢復理性發(fā)展，隨著下游照明市場的逐步打開，背光需求的回溫，價格下跌步伐已逐步收縮，國內LED芯片企業(yè)的競爭格局將逐步成型，走向成熟。
一、國內LED芯片企業(yè)總體情況及區(qū)域分布
從2009年起，在國內各個地方政府積極的招商引資政策以及巨大的電視背光和照明市場前景推動下，中國的LED外延芯片行業(yè)發(fā)展迅速，主要生產設備MOCVD機臺數量增長迅猛。根據GSCresearch統(tǒng)計，2009年中國用于L
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LED芯片 MOCVD
臺灣工研院指出，由于全球MOCVD設備的生產皆掌握在國際廠手上，如AIXTRON、VEECO、NIPPON Sanso等，而MOCVD設備相關成本約占LED晶粒生產成本約40~50%，臺灣LED晶粒廠在本土沒有相關設備業(yè)者支援下，在成本控制將受制于無自主MOCVD設備技術所帶來的壓力，對未來成本控制競爭力造成影響。
光電科技今(28)日主辦“LED產業(yè)轉變市場趨勢與關鍵磊晶技術發(fā)展趨勢講座”，邀請工研院機械與系統(tǒng)研究所王慶鈞博士針對“LED關鍵磊晶設備技術發(fā)展
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MOCVD LED
為了達到PCM改進高性能/高密度發(fā)展進程中的下一個里程碑，正在采用的一個途徑是在截面尺寸10-100nm的高深寬比 ...
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相變 存儲器 GeSbTe MOCVD
根據全球市場研究機構TrendForce旗下綠能事業(yè)處LEDinside調 查顯示，從去年8月份起，兩岸已經發(fā)生過至少5起LED芯片產業(yè)整合案例，包括晶電通過股權轉讓方式收購廣鎵剩余49%股權，三安光電認購璨圓光電1.2 億股普通股。LEDinside表示，2010年開始中國LED芯片產業(yè)瘋狂投資導致芯片產能嚴重過剩，產品價格不斷下跌，大多數企業(yè)一直在苦苦掙扎。景氣回暖，LED上游芯片產業(yè)產能過剩問題短期內仍得不到緩解，因此產業(yè)整合是必然結果。
投資過熱產能過剩，2012年MOCVD產能利用率不
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LED芯片 MOCVD
高工LED產業(yè)研究所(GLII)發(fā)布的《2 0 1 3年中國L E D上游研究報告》顯示，2012年是中國大陸LED芯片行業(yè)較為艱苦的一年。部分資金實力雄厚的企業(yè)為了搶占市場份額，不惜血本采取低價沖量或者賒銷的策略。企業(yè)營收呈增長趨勢，但實際凈利潤處于下滑狀態(tài)。
同時，去年中國大陸MOCVD設備投產率只有50%，但整體上產能過剩仍然非常嚴重。超九成芯片企業(yè)處于虧損狀態(tài)，其中生產LED白光芯片企業(yè)虧損最為嚴重。
GLII最新發(fā)布報告稱，受到照明應用市場需求快速增長利好刺激，LED芯片特別是白
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MOCVD LED
LED產業(yè)產能供過于求的狀況從產品價格連續(xù)2年都有35%的跌幅就可得知，隨著過去2年LED廠產能擴增的節(jié)制，加上照明需求的明顯拉升，加速供應鏈消化產能下，今年LED產業(yè)供過于求的狀況終于露出緩解的曙光，不過，LED供需狀況能否回到平衡的水位，中國大陸LED廠的擴廠態(tài)度仍扮演關鍵角色。
大陸LED廠在2010~2011年的大舉擴增產能是導致LED產業(yè)過去2年供需失衡的一大因素，隨著這2年來陸廠與臺廠擴產有限下，整體供應鏈供需也逐步趨向平衡，不過，全球MOCVD設備大廠Veeco日前釋出訊息指出，V
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LED MOCVD
近期，朝鮮亞太和平委員會發(fā)表聲明，聲稱朝鮮半島局勢正滑向一場“熱核戰(zhàn)爭”，敦促在韓國的外國機構、企業(yè)、外國人和游客采取避難、撤離措施。這一聲明使得各外資為自保，已陸續(xù)撤離南韓股市。
南北韓局勢加劇臺灣led轉單有望
南北韓自在朝鮮半島西部外海交火，南韓總統(tǒng)李明博召開緊急會議并下令進入最高緊戒狀態(tài)。到兩韓再度傳出交火消息，與南韓業(yè)者有競爭關系的中國臺灣省面板、DRAM等產業(yè)，有機會受惠。業(yè)者表示，若戰(zhàn)事延長，波及?？者\的運輸，甚至阻礙南韓雙D產品的生產出貨，可望出現(xiàn)轉
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LED MOCVD
在下周即將舉行的 SEMICON China 展會期間，中微半導體設備(上海)有限公司(以下簡稱「中微」)將正式發(fā)布多反應器金屬有機化合物氣相沉積設備(MOCVD)，并首次進入半導體照明市場。Prismo D-Blue? MOCVD 設備可以實現(xiàn)復雜的氮化鎵、銦鎵氮、鋁鎵氮超薄層結構的大批量生產，這些超薄層結構對于高亮度 LED 是必需的。中微的 MOCVD 設備不僅具有精準的參數控制、全自動化處理和獨特的緊湊設計等特點，而且擁有高生產率、高產能和低成本投入，是 LED 芯片制造過程中必不
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LED設備 MOCVD
在下周即將舉行的 SEMICON China 展會期間，中微半導體設備(上海)有限公司(以下簡稱“中微”)將正式發(fā)布多反應器金屬有機化合物氣相沉積設備(MOCVD)，并首次進入半導體照明市場。Prismo D-Blue(TM) MOCVD 設備可以實現(xiàn)復雜的氮化鎵、銦鎵氮、鋁鎵氮超薄層結構的大批量生產，這些超薄層結構對于高亮度 LED 是必需的。
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中微 MOCVD LED
導讀: MOCVD技術在半導體材料和器件及薄膜制備方面取得了巨大的成功。盡管如此，MOCVD仍是一種發(fā)展中的半導體超精細加工技術，MOCVD技術的進一步發(fā)展將會給微電子技術和光電子技術帶來更廣闊的前景。一、引言近年來，
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應用 薄膜 光電 技術 MOCVD
mocvd介紹
MOCVD
MOCVD是金屬有機化合物化學氣相淀積(Metal-organic Chemical Vapor DePosition)的英文縮寫。MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術.它以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體 [
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