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          英飛凌推出抗輻射加固型MOS開關(guān)器件

          • 英飛凌科技推出其首個(gè)專用于空間和航空應(yīng)用而設(shè)計(jì)的電源開關(guān)器件。全新BUY25CSXX系列抗輻射加固型(RH)功率MOS器件擁有出類拔萃的性能,可支持面向空間應(yīng)用的高能效電源調(diào)理和電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  MOS  

          舞臺功放MOS管改裝電路圖及方法

          • 以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應(yīng)電路見下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變,要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
          • 關(guān)鍵字: 電路圖  方法  改裝  MOS  功放  舞臺  

          基于C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路

          • 電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢,而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進(jìn)一步的充實(shí)。用2級TTL構(gòu)成的時(shí)鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代,因?yàn)門TL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當(dāng),容易停振或
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          無比型動態(tài)MOS反相器

          采用C-MOS與非門的發(fā)光二極管脈沖驅(qū)動電路及工作原理分析

          • 電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光,正向偏流只能在數(shù)10MA以下,允以獲得大的發(fā)光輸出,若采用縮小導(dǎo)通時(shí)的占空比,則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ,脈沖載頻為38KHZ,受發(fā)光電路很容易分辯外來光。電
          • 關(guān)鍵字: 電路  工作  原理  分析  驅(qū)動  脈沖  C-MOS  與非門  發(fā)光二極管  

          采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路

          • 采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢,而且74HC系列產(chǎn)品 ...
          • 關(guān)鍵字: C-MOS  轉(zhuǎn)換器  石英晶體  振蕩電路  

          可設(shè)定10~100秒的長時(shí)間C-MOS定時(shí)電路及工作原理

          • 電路的功能若要用555芯片組成長時(shí)間定時(shí)電路,R用高阻值,便可加長CR時(shí)間常數(shù),但是,由于內(nèi)部比較器的輸入偏流較大,難以充電到門限電壓,比較器無法驅(qū)動,為此,本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時(shí)器芯片,選用高阻
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          V-MOS管測試

          羅姆與APEI聯(lián)合開發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

          • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業(yè)設(shè)備,與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計(jì),由于最大限度地利用了SiC器件的特點(diǎn),從而大幅改善了電氣特性、機(jī)械特性,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化,在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  MOS  

          MOS場效應(yīng)管逆變器自制

          • 這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應(yīng)管。該變壓器的工作原理及制作過程:     圖1  工作原理  一、方波的產(chǎn)生  這里采用CD4069構(gòu)成方波信號發(fā)生器。電路中R1是補(bǔ)償電阻,用于改善由于電源電壓的變化而
          • 關(guān)鍵字: 自制  逆變器  效應(yīng)  MOS  

          高性能、可高壓直接驅(qū)動MOS的LLC控制器—NCP1396A/B

          • NCP1396A/B為NCP1395的改進(jìn)型。它包括一個(gè)最高500kHZ的壓控振蕩器,在必需懸浮驅(qū)動功能時(shí)齙控制模式有很大...
          • 關(guān)鍵字: 光耦  可調(diào)  死區(qū)時(shí)間  MOS  

          MOS管短溝道效應(yīng)及其行為建模

          • 1 引 言  目前,實(shí)現(xiàn)微電路最常用的技術(shù)是使用MOS晶體管。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,集成電路的集成密度不斷地在提高,MOS晶體管器件的尺寸也逐年縮小, 當(dāng)MOS管的溝道長度小到一定值之后,出現(xiàn)的短溝道效應(yīng)將對器件的特性
          • 關(guān)鍵字: 行為  建模  及其  效應(yīng)  管短溝  MOS  

          電源變壓器的MOS場效應(yīng)管逆變器制作

          • 這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應(yīng)管,普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場效應(yīng)管和電源變壓器的功率,免除了煩瑣的變壓器繞制,適合電子愛好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過程。
          • 關(guān)鍵字: 逆變器  制作  效應(yīng)  MOS  變壓器  電源  

          舞臺功放MOS管改裝方法

          • 以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應(yīng)電路見下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變,要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
          • 關(guān)鍵字: 方法  改裝  MOS  功放  舞臺  

          基于MOS開關(guān)的高頻高壓脈沖源中電磁兼容問題研究

          • 摘要:本文研究了基于MOS固態(tài)開關(guān)的高頻高壓脈沖源中的電磁兼容問題,通過分析其干擾信號頻譜分布及傳播路徑,制定了以屏蔽和濾波為主的電磁兼容方案,最終實(shí)現(xiàn)了重復(fù)頻率80kHz,4kV脈沖源,實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了電磁兼容措施的
          • 關(guān)鍵字: 電磁兼容  問題  研究  脈沖  高壓  MOS  開關(guān)  高頻  基于  
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          mos 管介紹

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