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          MOS-FET與電子管OTL功放的制作

          MOS—FET末級無負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

          • MOS—FET末級無負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器
          • 關(guān)鍵字: 功率放大器  MOS—FET  

          MOS—FET甲乙類功率放大器

          MOS管驅(qū)動電路綜述連載(三)

          • 相對通用的電路電路圖如下:圖1用于NMOS的驅(qū)動電路圖2用于PMOS的驅(qū)動電路這里只針對NMOS...
          • 關(guān)鍵字: MOS  驅(qū)動電路  

          MOS管驅(qū)動電路綜述連載(二)

          • 現(xiàn)在的MOS驅(qū)動,有幾個特別的應(yīng)用1、低壓應(yīng)用當(dāng)使用5V電源,這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于...
          • 關(guān)鍵字: MOS  

          MOS管驅(qū)動電路綜述連載(一)

          • 在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很...
          • 關(guān)鍵字: MOS  

          MOSFET分析:選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

          • 前不久,能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求,同時進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。...
          • 關(guān)鍵字: mos  

          MOSEFT分析:理解功率MOSFET的開關(guān)損耗

          • 本文詳細(xì)分析計算開關(guān)損耗,并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程,從而使電子工程師知...
          • 關(guān)鍵字: mos/開關(guān)損耗  

          開關(guān)電源設(shè)計之MOS管反峰及RCD吸收回路

          • 對于一位開關(guān)電源工程師來說,在一對或多對相互對立的條件面前做出選擇,那是常有的事。而我們今天討論的這個話題就是一對相互對立的條件。(即要限制主MOS管最大反峰,又要RCD吸收回路功耗最小) 在討論前我們先做
          • 關(guān)鍵字: 吸收  回路  RCD  管反峰  設(shè)計  MOS  開關(guān)電源  

          MOS-FET開關(guān)電路

          • MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同,但特性極為相似,N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型,可在許多電路中代替J-FET,如圖5.4-97所示,電路用MOS-FET代替J-FET更簡單,如釁5.4-100所示短路開關(guān)對應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個電路
          • 關(guān)鍵字: MOS-FET  開關(guān)電路    

          采用C-MOS與非門的發(fā)光二極管脈沖驅(qū)動電路

          • 電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光,正向偏流只能在數(shù)10MA以下,允以獲得大的發(fā)光輸出,若采用縮小導(dǎo)通時的占空比,則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ,脈沖載頻為38KHZ,受發(fā)光電路很容易分辯外來光。電
          • 關(guān)鍵字: 驅(qū)動  電路  脈沖  發(fā)光二極管  C-MOS  與非門  采用  

          采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路

          • 電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢,而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進(jìn)一步的充實(shí)。用2級TTL構(gòu)成的時鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代,因?yàn)門TL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當(dāng),容易停振或
          • 關(guān)鍵字: C-MOS  轉(zhuǎn)換器  石英晶體  振蕩電路    

          可設(shè)定10~100秒的長時間C-MOS定時電路

          • 電路的功能若要用555芯片組成長時間定時電路,R用高阻值,便可加長CR時間常數(shù),但是,由于內(nèi)部比較器的輸入偏流較大,難以充電到門限電壓,比較器無法驅(qū)動,為此,本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時器芯片,選用高阻
          • 關(guān)鍵字: 電路  定時  C-MOS  時間  設(shè)定  

          集成電路布圖設(shè)計登記:數(shù)量持續(xù)上升 中國企業(yè)占優(yōu)

          •   2008年,受到全球半導(dǎo)體市場衰退的影響,中國集成電路產(chǎn)業(yè)由前幾年的較快增長轉(zhuǎn)變?yōu)橄禄?。盡管中國以內(nèi)需市場為主的集成電路設(shè)計業(yè)仍實(shí)現(xiàn)了一定增長,但嚴(yán)重依賴出口的芯片制造和封測行業(yè)下滑嚴(yán)重。市場的變化和利潤的減少迫使企業(yè)不斷創(chuàng)新,知識產(chǎn)權(quán)問題將變得更加重要。作為集成電路行業(yè)特殊的知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)形式,集成電路布圖設(shè)計登記應(yīng)得到更多的關(guān)注。   最近,中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會知識產(chǎn)權(quán)工作部和上海硅知識產(chǎn)權(quán)交易中心聯(lián)合推出中國集成電路布圖設(shè)計登記2008年度報告,本期刊登部分節(jié)選,供業(yè)界研究參考。   本報告數(shù)據(jù)
          • 關(guān)鍵字: NEC  MOS  集成電路布圖設(shè)計  

          麻省理工學(xué)院計劃為發(fā)展中國家開發(fā)12美元PC

          •   美國麻省理工學(xué)院一個為第三世界家庭開發(fā)廉價計算機(jī)的項(xiàng)目組將以任天堂娛樂系統(tǒng)為基礎(chǔ)而不是以蘋果II電腦為基礎(chǔ)進(jìn)行設(shè)計。這兩種系統(tǒng)都采用相同的處理器芯片。   一些Mac計算機(jī)網(wǎng)站指出,《波士頓先驅(qū)報》本周一的一篇文章介紹了本月麻省理工學(xué)院國際設(shè)計峰會部分內(nèi)容“教育家庭計算計劃”。這個計劃的目標(biāo)是開發(fā)成本只有12美元的初級計算機(jī)。   雖然設(shè)計師之一的27歲研究生Derek Lomas說他希望給第三世界的學(xué)校提供類似于伴隨他長大蘋果II計算機(jī),但是,他和他的團(tuán)隊(duì)研制的這種計算機(jī)
          • 關(guān)鍵字: PC  廉價  處理器  MOS 6502  
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          mos 管介紹

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