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          為什么MOS管需要提升關(guān)斷速度?如何解決這個(gè)問題?

          • 今天咱們來聊聊為啥mos管開關(guān)得快點(diǎn)兒,還有怎么才能快點(diǎn)開關(guān)。mos管驅(qū)動(dòng)有幾種方法,我們知道,其中有一種是用專門的驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng),我們就以這個(gè)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)為主。說起mos管關(guān)斷,通常電壓會(huì)比開通時(shí)高,所以關(guān)斷的損失也會(huì)比開通時(shí)大,所以我們自然希望電路關(guān)斷的速度能更快些。那么,咱咋能讓mos管快些開關(guān)呢?咱們看看這張圖在mos管開通時(shí),電阻R1和R4限制了電流,這樣就能給mos管電容充電;要注意的這兒,R1和R4的電阻值并非固定,而且,R1通常小于R4。當(dāng)mos管關(guān)斷時(shí),R4電阻上的電壓被限制在0.7V,一旦超
          • 關(guān)鍵字: MOS管  電路設(shè)計(jì)  

          MOS管的導(dǎo)通條件和MOS驅(qū)動(dòng)電流計(jì)算

          • **1. 關(guān)于MOS管的極限參數(shù)說明:**在以上圖中,我們需要持續(xù)關(guān)注的參數(shù)主要有:a. **ID(持續(xù)漏極電流)**:該參數(shù)含義是mos可以持續(xù)承受的電流值,在設(shè)計(jì)中,產(chǎn)品的實(shí)際通過電流值應(yīng)遠(yuǎn)小于該值,至少應(yīng)小于1/3以下,例:該mos管的使用持續(xù)電流應(yīng)小于50A。b. **PD(mos管的最大耗散功率)**:該參數(shù)是指設(shè)計(jì)中,實(shí)際通過mos管的電流與漏源兩端的電壓差值乘積,不應(yīng)大于該值。 所以該值的很大程度取決于mos管中實(shí)際流過的電流值。c. **Vgs(柵源電壓范圍)**:該值表示在mos管的實(shí)際
          • 關(guān)鍵字: MOS管  電路設(shè)計(jì)  

          碳化硅MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用

          • 三相逆變器的定義是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的轉(zhuǎn)換器,其基本原理就是SPWM,硬件架構(gòu)為四個(gè)功率模塊組成單相、三相橋式電路,橋式輸出至負(fù)載間串接低通濾波元件,控制回路具有兩個(gè)信號(hào)產(chǎn)生源,一個(gè)是固定幅值的三角波(調(diào)制波)發(fā)生器,一個(gè)為正弦波發(fā)生器,利用三角波對(duì)正弦波進(jìn)行調(diào)制,就會(huì)得到占空比按照正弦規(guī)律變化的方波脈沖列,調(diào)制比不同,一個(gè)正弦周期脈沖列數(shù)等于調(diào)制波頻率除以基博頻率)。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路,在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。一、前言 三相逆變是指轉(zhuǎn)換出的交流電壓為三相,
          • 關(guān)鍵字: RS瑞森半導(dǎo)體  碳化硅  MOS管  

          MOS管G極與S極之間的電阻作用

          • MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容:Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)(規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替)。MOS管之所以存在米勒效應(yīng),以及GS之間要并電阻,其源頭都在于這三個(gè)寄生電容。MOS管內(nèi)部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數(shù)1.MOS管的米勒效應(yīng)MOS管驅(qū)動(dòng)之理想與現(xiàn)實(shí)理想的MOS管驅(qū)動(dòng)波形應(yīng)是方波,當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓之后, MOS管就會(huì)進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。而實(shí)際上在MOS管的柵極驅(qū)動(dòng)過程中,會(huì)存在一個(gè)米勒平臺(tái)。米勒平臺(tái)實(shí)際上就是MOS管處于“放大區(qū)”的
          • 關(guān)鍵字: MOS管  

          MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

          • MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。電源IC直接驅(qū)動(dòng)電源IC直接驅(qū)動(dòng)是最簡單的驅(qū)動(dòng)方式,應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。· 查看電源IC手冊的最大驅(qū)動(dòng)峰值電流,因?yàn)椴煌酒?qū)動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的?!?了解MOS管的寄生電容,如圖C1、C2的值,這個(gè)寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大,MOS管導(dǎo)通的需要的能量就比較大,如果電源IC沒有比較大的驅(qū)動(dòng)峰值電流,那么管子導(dǎo)通的速度就比較慢,就達(dá)
          • 關(guān)鍵字: MOS管  驅(qū)動(dòng)  電路  設(shè)計(jì)  

          MOS管系列在服務(wù)器電源上的應(yīng)用

          • 服務(wù)器電源是指使用在服務(wù)器上的電源(POWER),它和PC電源一樣,都是一種開關(guān)電源,指能夠?qū)⒔涣麟娹D(zhuǎn)換為服務(wù)器所需直流電的電源。一、前言 服務(wù)器電源是指使用在服務(wù)器上的電源(POWER),它和PC電源一樣,都是一種開關(guān)電源,指能夠?qū)⒔涣麟娹D(zhuǎn)換為服務(wù)器所需直流電的電源。服務(wù)器電源按照標(biāo)準(zhǔn)可以分為ATX電源和SSI電源等。ATX標(biāo)準(zhǔn)使用較為普遍,主要用于臺(tái)式機(jī)、工作站和低端服務(wù)器;而SSI標(biāo)準(zhǔn)是隨著服務(wù)器技術(shù)的發(fā)展而產(chǎn)生的,適用于各種檔次的機(jī)架式服務(wù)器。 二、產(chǎn)品應(yīng)用及工作原理 
          • 關(guān)鍵字: 瑞森半導(dǎo)體  MOS管  

          MOS管輸入電阻很高,為什么一遇到靜電就不行

          • MOS管輸入電阻很高,為什么一遇到靜電就不行了?MOS管一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電,又因在靜電較強(qiáng)的場合難于泄放電荷,容易引起靜電擊穿。靜電擊穿一般分為兩種類型:電壓型,即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿,形成針孔,使柵極和源極間短路,或者使柵極和漏極間短路;功率型,即金屬化薄膜鋁條被熔斷,造成柵極開路或者是源極開路。MOS管被擊穿的原因及解決方案?· MOS管本身的輸入電阻很高,而柵源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)
          • 關(guān)鍵字: MOS管  電阻  靜電  

          MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉?

          • 關(guān)于MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉。一般認(rèn)為MOSFET(MOS管)是電壓驅(qū)動(dòng)的,不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而,在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在,這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡單。下圖的3個(gè)電容為MOS管的結(jié)電容,電感為電路走線的寄生電感:如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話,MOS管開關(guān)速度越快越好。因?yàn)殚_關(guān)時(shí)間越短,開關(guān)損耗越小,而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分,因此MOS管驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接決定了電源的效率。怎么做到MOS管的快速開啟和關(guān)閉呢?對(duì)于一個(gè)
          • 關(guān)鍵字: MOS管  驅(qū)動(dòng)電路  設(shè)計(jì)  

          【干貨】拋開教材,從實(shí)用的角度聊聊MOS管

          • 我們把單片機(jī)的一個(gè)IO口接到這個(gè)MOS管的gate端口,就可以控制這個(gè)燈泡的亮滅了。當(dāng)然別忘了供電。當(dāng)這個(gè)單片機(jī)的IO口輸出為高的時(shí)候,NMOS就等效為這個(gè)被閉合的開關(guān),指示燈光就會(huì)被打開;那輸出為低的時(shí)候呢,這個(gè)NMOS就等效為這個(gè)開關(guān)被松開了,那此時(shí)這個(gè)燈光就被關(guān)閉,是不很簡單。當(dāng)說到MOS管的時(shí)候呢,你的腦子里可能是一團(tuán)糨糊的。DIAN CHAO在大部分的教材里都會(huì)告訴你長長的一段話:MOS管全稱金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,英文名Metal-Oxide-Semiconductor Field-Eff
          • 關(guān)鍵字: MOS管  

          晶體管、MOS管、IGBT辨別與區(qū)分

          •   晶體管、MOS管、IGBT管是常見的電力電子控制器件。電流觸發(fā)晶體管只能控制開啟,不能控制關(guān)閉屬于半可控件;電壓觸發(fā)MOS管、IGBT管既可以控制開啟,也可以控制關(guān)斷屬于全可控件。搞懂控件的特點(diǎn)對(duì)電力電子器件維修尤為重要,小編根據(jù)所學(xué)及理解做如下總結(jié),希望能給大家一些幫助。一、晶閘管  1、別名:可控硅是一種大功率半導(dǎo)體器件,常用做交流開關(guān),觸發(fā)電流&gt;50毫安  2、特點(diǎn):體積小、重量輕、無噪聲、壽命長、容量大、耐高壓、耐大電流、大功率  3、主要應(yīng)用領(lǐng)域:整流、逆變、變頻、斬波(直流-
          • 關(guān)鍵字: IGBT  晶體管  MOS管  

          PFC電路MOS管應(yīng)用電路振蕩問題分析

          • 本文介紹了傳統(tǒng)PFC電路MOS管在應(yīng)用過程中產(chǎn)生振蕩的機(jī)理,通過具體的案例詳細(xì)分析了因MOS振蕩引起損壞的原因,并結(jié)合實(shí)際應(yīng)用給出具體的解決措施和方案,通過實(shí)驗(yàn)及大批量的生產(chǎn)驗(yàn)證表明,措施有效,穩(wěn)定且可靠,對(duì)PFC電路MOS管應(yīng)用電路及參數(shù)匹配具有重要的借鑒和參考意義。
          • 關(guān)鍵字: 202008  PFC電路  MOS管  振蕩  MOSFET  202008  

          使用MOS管的注意事項(xiàng)

          • MOS管由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(10^7~10^12Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。
          • 關(guān)鍵字: MOS管  互補(bǔ)MOS  

          六個(gè)可能讓MOS管失效的原因分析

          •   目前在市場應(yīng)用方面,排名第一的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計(jì)算機(jī)主板、NB、計(jì)算機(jī)類適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品,隨著國情的發(fā)展計(jì)算機(jī)主板、計(jì)算機(jī)類適配器、LCD顯示器對(duì)MOS管的需求有要超過消費(fèi)類電子電源適配器的現(xiàn)象了?! 〉谌木蛯倬W(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)控制、汽車電子以及電力設(shè)備領(lǐng)域了,這些產(chǎn)品對(duì)于MOS管的需求也是很大的,特別是現(xiàn)在汽車電子對(duì)于MOS管的需求直追消費(fèi)類電子了?!   ∠旅鎸?duì)MOS失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn),然后對(duì)1,2重點(diǎn)進(jìn)行分析:  雪崩失效(電壓失效),也就
          • 關(guān)鍵字: MOS管  

          用結(jié)點(diǎn)溫度評(píng)估器件可靠性的案例分析

          •   工程師在設(shè)計(jì)一款產(chǎn)品時(shí)用了一顆9A的MOS管,量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高,經(jīng)重新計(jì)算分析后,換成了一顆5A的MOS管,問題解決。為什么用電流裕量更小的器件,卻能提高可靠性呢?  工程師在設(shè)計(jì)的過程中非常注意元器件性能上的裕量,卻很容易忽視熱耗散設(shè)計(jì),案例分析我們放到最后說,為了幫助理解,我們先引入一個(gè)概念:  其中Tc為芯片的外殼溫度,PD為芯片在該環(huán)境中的耗散功率,Tj表示芯片的結(jié)點(diǎn)溫度,目前大多數(shù)芯片的結(jié)點(diǎn)溫度為150℃,Rjc表示芯片內(nèi)部至外殼的熱阻,Rcs表示外殼至散熱片的熱阻,Rsa表示散熱片到
          • 關(guān)鍵字: 結(jié)點(diǎn)溫度  MOS管  
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          mos管介紹

            mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管?;蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。   雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后,在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比(beta)。另一種晶體管,叫做場效應(yīng)管(FET),把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細(xì) ]

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