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開關(guān)電源變壓器溫升過高問題改善方法
- 在開關(guān)電源變壓器的工作過程中，工程師不僅需要綜合考慮其設(shè)計(jì)構(gòu)造的合理性問題，還需要嚴(yán)格把控其溫升范圍，以免出現(xiàn)溫升過高導(dǎo)致工作效率下降的問題
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MOS管驅(qū)動(dòng)電路詳解
- 使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也
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MOS管入門——只談應(yīng)用，不談原理
- 1、三個(gè)極怎么判定 G極(gate)—柵極，不用說比較好認(rèn) S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是 D極(drain)—漏極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊
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MOS管功率損耗竟然還可以這么測(cè)
- MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC?MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢? 1.1功率損耗的原理圖和實(shí)測(cè)圖 一般來說，開關(guān)管工作的功率損耗原理圖如圖?1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通過程”和“關(guān)閉過程”，小部分能量體現(xiàn)在“導(dǎo)通狀態(tài)”，而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0，可以忽略不計(jì)。 ?? 圖?1開關(guān)管工作的功
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這幾個(gè)在LED驅(qū)動(dòng)電路中會(huì)常犯的錯(cuò)誤一定要避免！雙層電容LED電路解析
- 這幾個(gè)在LED驅(qū)動(dòng)電路中會(huì)常犯的錯(cuò)誤一定要避免！雙層電容LED電路解析-耐壓600V的MOSFET比較便宜，很多認(rèn)為LED燈具的輸入電壓一般是220V，所以耐壓600V足夠了，但是很多時(shí)候電路電壓會(huì)到340V，在有的時(shí)候，600V的MOSFET很容易被擊穿，從而影響了LED燈具的壽命，實(shí)際上選用600VMOSFET可能節(jié)省了一些成本但是付出的卻是整個(gè)電路板的代價(jià)，所以，不要選用600V耐壓的MOSFET，最好選用耐壓超過700V的MOSFET。
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低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計(jì)方案
- 低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計(jì)方案-本文研究了襯底驅(qū)動(dòng)MOS管技術(shù)和運(yùn)用這一技術(shù)進(jìn)行低電壓低功耗模擬電路設(shè)計(jì)的方法，并且運(yùn)用這種技術(shù)設(shè)計(jì)低電壓低功耗襯底驅(qū)動(dòng)跨導(dǎo)運(yùn)算放大器和電流差分跨導(dǎo)放大器。
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mos管介紹
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細(xì) ]
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