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          高壓浪涌抑制器取代笨重的無源組件

          •   1 MIL-STD-1275D 的要求   MIL-STD-1275D 定義了各種情況,最重要的是,對穩(wěn)定狀態(tài)工作、啟動干擾、尖峰、浪涌和紋波情況做出了規(guī)定。MIL-STD-1275D 針對 3 種獨立的“工作模式”制定了對上述每一種情況的要求:啟動模式、正常運行模式和僅發(fā)動機模式。   在描述尖峰、浪涌、紋波以及其他要求的細節(jié)之前,先來看一下工作模式。毫不奇怪,“啟動模式”描述的是引擎啟動時發(fā)生的情況;“正常運行模式”描述的
          • 關鍵字: 凌力爾特  MIL-STD-1275D  浪涌  MOSFET  紋波  

          COOLiRFETTM 5x6mm PQFN平臺提供了高效率、高功率密度并降低了系統(tǒng)成本

          •   目前世界每年所生產的800萬輛汽車之中,傳統(tǒng)的12V電池系統(tǒng)仍然是主導技術,用來為電動汽車提供電源,汽車電氣化的趨勢會繼續(xù)加重12V電池系統(tǒng)的負擔?,F在,總負載已經輕松達到3 kW或更高。更具創(chuàng)新性的信息娛樂系統(tǒng)(例如數字視頻和觸摸屏);更復雜的安全特性,如電子駐車制動器(EPB),防抱死制動系統(tǒng)(ABS);和節(jié)油功能,如電子動力轉向(EPS),起停微混合,48V板網結構……,都能將功率要求提到更高的水平。另一方面,嚴格的整體要求主要在于促進降低油耗,混合和電動汽車迅速增長
          • 關鍵字: COOLiRFET  MOSFET  DPAK  PQFN  硅片  

          BCM硬件設計的平臺化和半導體化(下)

          •   接上篇   4 設計趨勢   目前BCM設計技術日新月異,主要的趨勢是平臺化靈活性更高,集成度更高和分布式設計者三大方向。另外隨著ISO26262安全規(guī)范的推行,關于功能安全的考慮在BCM設計中將會得到更多的體現。   4.1 集成度和靈活性   隨著汽車電子的發(fā)展,目前BCM設計的趨勢是平臺化和高集成度化兩個趨勢。平臺化SBC、SPI器件、共用ADC,以及高低邊可配等。 主要通過器件的兼容性來實現。集成度主要是提高器件的集成度,例如采用系統(tǒng)基礎芯片將電源、CAN收發(fā)器、LIN收發(fā)器集成到一個
          • 關鍵字: BCM  ECU  LED  負載  MOSFET  SPI  

          BCM硬件設計的平臺化和半導體化(中)

          •   接上篇   2.2 驅動類型   在BCM設計中涉及到許多負載,對應不同的負載會采用不同的驅動類型,主要包括開關驅動和LED驅動兩類。   2.2.1 開關驅動   驅動類型主要是從驅動負載的電路拓撲加以考慮,主要有高邊驅動、低邊驅動、半橋驅動和全橋驅動(包括兩相全橋和三相全橋)四種,如圖8所示。   這四種拓撲常采用開關器件來實現,開關器件種類很多,其中常見的有機械開關和半導體開關兩種,出于能效和壽命方面的優(yōu)勢,目前半導體開關是BCM設計中的主流選擇。半導體開關中有三極管、MOSFET和I
          • 關鍵字: BCM  ECU  LED  負載  MOSFET  MCU  

          帶狀鍵合5x6mm PQFN為車用MOSFET提高了密度

          •   1 汽車電氣化要求系統(tǒng)設計者提高電源密度   由于嚴格要求降低CO2污染和提高燃料經濟性,汽車制造商更加積極地尋找電氣解決方案(所謂的“汽車電氣化”)。用創(chuàng)新型電子電路代替機械解決方案(例如轉向系統(tǒng)、繼電器等)如今已成了主流趨勢。然而,汽車電氣化的趨勢會繼續(xù)加重12V電池系統(tǒng)的負擔?,F在,總負載能夠輕松達到3 kW或更高,還有很多汽車應用將汽車的電力負載提高到更高的水平。   節(jié)油功能(例如電動助力轉向(EPS)、啟停微混合和48V板網結構)、更復雜的安全特性(例如電動駐車
          • 關鍵字: MOSFET  DPAK  SO-8  PQFN  PCB  

          更強勁、更簡單:看電源模塊的未來趨勢

          •   有線、無線網絡以及云計算的快速膨脹,這是擺在人們眼前的重要趨勢。這一上層的大趨勢,帶動了下層的硬件及其組成部分的發(fā)展趨勢。網絡吞吐量的迅速攀升,需要強大而復雜的FPGA和處理器等來做性能支持。而這,需要高性能、高可靠的電源模塊來作保障。   最近,Intersil發(fā)布了最新的50A密封式數字電源模塊ISL8272M,從它我們可以看出電源模塊領域的一些最新趨勢。   Intersil公司高級應用經理梁志翔介紹說,Intersil開發(fā)電源模塊產品的歷史大概要從2008年開始算起,ISL8272M可以說
          • 關鍵字: Intersil  ISL8272M  MOSFET  201504  

          8種噪聲測試技術的實現,包括模塊電源、MOSFET等

          •   噪聲通常指任意的隨機干擾。熱噪聲又稱白噪聲或約翰遜噪聲,是由處在一定溫度下的各種物質內部微粒作無規(guī)律的隨機熱運動而產生的,常用統(tǒng)計數學的方法進行研究。熱噪聲普遍存在于電子元件、器件、網絡和系統(tǒng)中,因此噪聲測量主要指電子元件和器件、網絡和系統(tǒng)的熱噪聲和特性的測量。   附加相位噪聲測試技術及注意事項   本文簡單介紹了相位噪聲的定義,詳細介紹了附加相位噪聲的測試過程,給出了實際的測試結果,指出了附加相位噪聲測試過程中的一些注意事項,希望對附加相位噪聲測試人員有一定的借鑒意義。   用于4G-LTE
          • 關鍵字: 模塊電源  MOSFET  

          短溝道MOSFET散粒噪聲測試方法研究

          •   近年來隨著介觀物理和納米電子學對散粒噪聲研究的不斷深入,人們發(fā)現散粒噪聲可以很好的表征納米器件內部電子傳輸特性。由于宏觀電子元器件中也會有介觀或者納米尺度的結構,例如缺陷、小孔隙和晶粒等,因而也會產生散粒噪聲,并且可能攜帶內部結構的信息。這使人們對宏觀電子元器件中散粒噪聲研究產生了極大的興趣。另一方面,隨著器件尺寸的不斷縮小,MOSFET器件中散粒噪聲成分也越來越顯著,已經嚴重影響器件以及電路的噪聲水平,人們必須要了解電子元器件中散粒噪聲的產生機理和特性,以便更好的抑制器件的散粒噪聲,實現器件和電路的
          • 關鍵字: MOSFET  

          CISSOID 公司推出 HADES v2

          •   CISSOID公司推出第二代 HADES®,一款高度集成的隔離式柵極驅動器產品。HADES® 旨在面向基于快速開關碳化硅 (SiC) 晶體管、傳統(tǒng)功率 MOSFET 及 IGBT 的高密度功率轉換器、電機驅動器和致動器應用。憑借 CISSOID 產品無與倫比的耐用性,柵極驅動器 HADES® 在嚴酷的環(huán)境下可實現更高可靠性和更長的使用壽命,從而滿足系統(tǒng)設計者對航空、汽車、工業(yè)、石油和天然氣市場的應用需求。   HADES®包括氣密性陶瓷封裝和塑料封裝兩種,前者可以在溫
          • 關鍵字: CISSOID  MOSFET   

          聯(lián)合收獲機凹板間隙調節(jié)系統(tǒng)研究

          •   摘要:聯(lián)合收獲機凹板間隙的大小是影響聯(lián)合收獲機脫離質量的關鍵因素之一,本文設計了一款基于聯(lián)合收獲機的凹板結構,通過控制線性驅動器對凹板間隙進行自動調節(jié)的系統(tǒng),實現了聯(lián)合收獲機凹板間隙自動調節(jié),通過試驗研究結果表明:該系統(tǒng)調節(jié)方便實用,且調節(jié)精度在5%以內。   引言   谷物聯(lián)合收獲機的作業(yè)性能指標,主要包括總損失率、破損率和含雜率等。脫粒與分離滾筒是谷物聯(lián)合收獲機的重要工作部件。脫粒與分離滾筒由高速旋轉的滾筒和固定的弧型凹板配合,使谷物從滾筒與凹板之問通過,經脫粒元件的打擊、揉搓、碾壓和梳刷,通
          • 關鍵字: 凹板間隙  CAN  PWM  MOSFET  BTS7960  201504  

          打造合作共贏面向世界的創(chuàng)新模式

          •   摘要:本文通過對大唐恩智浦訪問,分析國產汽車電子現狀以及分析未來汽車電子發(fā)展現狀。   中國看世界,汽車電子是一個經久不衰的市場;而世界也在看中國, 中國是否已準備好在這個市場上大展宏圖?中國首個汽車半導體設計合資公司成立一年了,名稱為“大唐恩智浦半導體有限公司”(Datang NXP Semiconductors Co. Ltd.以下簡稱:大唐恩智浦),占盡著天時、地利、人和,如何通過建立起新型合作模式,用全球的視角去贏取市場呢?通過與總經理張鵬崗的交流,使筆者對其創(chuàng)新理念
          • 關鍵字: 大唐恩智浦  MOSFET  汽車電子  201504  

          繼電器相關技術文獻及應用電路設計匯總

          •   繼電器是一種電控制器件,是當輸入量(激勵量)的變化達到規(guī)定要求時,在電氣輸出電路中使被控量發(fā)生預定的階躍變化的一種電器。它具有控制系統(tǒng)(又稱輸入回路)和被控制系統(tǒng)(又稱輸出回路)之間的互動關系。通常應用于自動化的控制電路中,它實際上是用小電流去控制大電流運作的一種“自動開關”。故在電路中起著自動調節(jié)、安全保護、轉換電路等作用。   極限條件下的時間繼電器設計方案   時間繼電器是一種使用在較低的電壓或較小電流的電路上,用來接通或切斷較高電壓、較大電流的電路的電氣元件,也許可
          • 關鍵字: PIC18F6585  MOSFET  

          Fairchild新的擴展溫度中壓MOSFET額定結溫為175° C

          •   全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild (NASDAQ: FCS)正在利用其擴展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴充產品系列幫助生產商提高產品可靠性和性能。 更高的工作溫度將功率密度提高了85%,可靠性比額定值為150° C業(yè)內標準值的MOSFET高三倍。   這一新的ET MOSFET產品系列符合IPC-9592電源轉換標準,換言之,其最大結溫可高達150° C,超過標準150° C MOSFET能達到的125°
          • 關鍵字: Fairchild  MOSFET  

          Fairchild新的擴展溫度中壓MOSFET額定結溫為175° C 適合超高功率密度應用

          •   全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild 正在利用其擴展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴充產品系列幫助生產商提高產品可靠性和性能。 更高的工作溫度將功率密度提高了85%,可靠性比額定值為150° C業(yè)內標準值的MOSFET高三倍。   這一新的ET MOSFET產品系列符合IPC-9592電源轉換標準,換言之,其最大結溫可高達150° C,超過標準150° C MOSFET能達到的125° C,使更大的設計裕量成
          • 關鍵字: Fairchild   MOSFET  

          Fairchild 的 800V SuperFET II MOSFET 系列提供最低的導通電阻和多種可選封裝

          •   全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列,該系列提供廣泛的可選封裝并擁有業(yè)內最低的導通電阻 (Rdson) 和輸出電容 (Coss)。新系列幫助設計師提高高性能解決方案(需要 600V/650V 以上的擊穿電壓)的效率、成本效益和可靠性,同時通過減少元件的使用從而減少這些設計的電路板空間。   800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性,加上出色的效率和熱特性,使其成為各種應用的理想之選
          • 關鍵字: Fairchild  MOSFET   
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          mosfet 介紹

            金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]

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