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聯(lián)電明年產(chǎn)能搶購一空

　　8寸晶圓代工產(chǎn)能卡位戰(zhàn)提前啟動，法人指出，聯(lián)電8寸廠能已被指紋辨識芯片、LCD驅(qū)動IC，以及電源管理IC客戶搶購一空，明年將成為8寸晶圓代工大贏家。　　過往8寸晶圓廠主要生產(chǎn)LCD驅(qū)動IC、電源管理芯片等產(chǎn)品，隨著蘋果新機(jī)導(dǎo)入指紋辨識芯片，非蘋陣營明年全面跟進(jìn)，相關(guān)芯片廠也開始卡位8寸晶圓產(chǎn)能，造就市場榮景。　　此外，原以6寸生產(chǎn)金屬化合物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)也為了提升競爭力，相繼轉(zhuǎn)入8寸廠生產(chǎn)，讓8寸晶圓廠產(chǎn)能更為吃緊。　　包括指紋辨識芯片、LCD驅(qū)動IC及電源管理芯片三大半
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42V、5A (IOUT)、同步降壓型 Silent Switcher 在 2MHz 提供 95% 效率

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 5A、42V 輸入同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器 LT8640。該器件采用獨特的 Silent Switcher® 架構(gòu)，整合了擴(kuò)展頻譜調(diào)制，即使開關(guān)頻率超過 2MHz 時，依然能夠?qū)?EMI / EMC 輻射降低超過 25dB，從而使該器件能夠輕松地滿足汽車 CISPR25 Class 5 峰值限制要求。同步整流在開關(guān)頻率為 2MHz 時可提供高達(dá) 95% 的效率。其 3.4V 至 42V 輸入電壓范圍使該器件非常適合
關(guān)鍵字：凌力爾特 LT8640 MOSFET

易于符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解決方案

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解決方案，并展示在評估電路板 DC2150A 上。MIL-STD-1275D 是美國國防部制定的標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)定了地面軍用車輛所用 28V DC 電源的穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)電壓特性。當(dāng)面對 MIL-STD-1275D 中嚴(yán)格規(guī)定的浪涌、尖峰和紋波波形時，DC2150A 可將輸出電壓限制到安全的 44V。就大多數(shù)應(yīng)用而言，要滿足該標(biāo)準(zhǔn)就是簡單地將 DC2150A 電路放置到容限為 44V
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IR的電池保護(hù)MOSFET系列為移動應(yīng)用提供具有成本效益的靈活解決方案

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日針對鋰離子電池保護(hù)應(yīng)用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術(shù)的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。　　　　全新功率MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻，可大幅減少導(dǎo)通損耗。產(chǎn)品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高柵極驅(qū)動從12 Vgs起，非常適合包含了兩個串聯(lián)電池的電池保護(hù)電路。IRL6297SD
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意法半導(dǎo)體(ST)的新650V超結(jié)MOSFET提升能效和安全系數(shù)

　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)的最新超結(jié) (super-junction) 功率MOSFET滿足家電、低能源照明系統(tǒng)以及太陽能微逆變器廠商對電源能效的要求，同時提供更高可靠性的最新且滿足高功率密度的封裝。　　MDmesh M2系列產(chǎn)品擁有最新最先進(jìn)的超結(jié)晶體管技術(shù)，取得了比上一代產(chǎn)品更低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))，以及更低的柵電荷量 (QGD) 和輸入/輸出電容 (Ciss/Coss)。此外，這些產(chǎn)品更進(jìn)一步降低了能耗和熱耗散 (heat dissipation)
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MOSFET PowerFLAT

意法半導(dǎo)體(ST)慶祝羅塞塔號彗星探測器成功登陸彗星

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)慶祝羅塞塔號彗星探測器(Rosetta)及其菲萊號登陸器(Philae)成功登陸彗星。羅塞塔號和菲萊號內(nèi)有10,000余顆意法半導(dǎo)體研制的高可靠性抗輻射芯片。　　在歷經(jīng)10多年，長達(dá)60億公里的漫長太空之旅后，羅塞塔號彗星探測器終于抵達(dá)并成功釋放菲萊號登陸器登上67P/楚留莫夫-格拉希門克(67P Churyumov-Gerasimenko)彗星，菲萊號登陸器將完成拍攝彗星表面的圖片，并分析彗星
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MOSFET

單相正弦波逆變電源

　　摘要：本系統(tǒng)實現(xiàn)輸入直流電壓15V，輸出交流電壓有效值10V，額定功率10W，交流電壓頻率在20至100Hz可步進(jìn)調(diào)整。以MSP430單片機(jī)為控制核心，產(chǎn)生SPWM波控制全橋電路，然后經(jīng)過LC濾波電路得到失真度小于0.5%的正弦波。采用PID算法反饋控制使輸出交流電壓負(fù)載調(diào)整率低于1%，采用開關(guān)電源作為輔助電源、合理選用MOSFET等使系統(tǒng)效率達(dá)到90%，采用輸入電流前饋法來估計輸出電流以實現(xiàn)過流保護(hù)以及自恢復(fù)功能。　　引言　　本次競賽為全封閉式，不準(zhǔn)利用網(wǎng)上資源，要求參賽隊在兩天時間內(nèi)完成題
關(guān)鍵字：正弦波 MSP430 單片機(jī) SPWM MOSFET 201412

基于FAN7710V的新型高性能節(jié)能燈鎮(zhèn)流器電路設(shè)計

　　引言　　在照明技術(shù)中，電子節(jié)能燈已經(jīng)日益成為人們的首選，因為其應(yīng)用范圍廣，節(jié)能環(huán)保性能好，是政府和企業(yè)節(jié)能減排的重要舉措之一。在近幾年中，我國為了推廣電子節(jié)能燈的應(yīng)用，采取了財政補(bǔ)貼政策，就像家電下鄉(xiāng)一樣，惠及全國百姓和消費者。　　所謂電子節(jié)能燈，主要是指采用電子鎮(zhèn)流器的緊湊型熒光燈(CFL)。鎮(zhèn)流器和節(jié)能燈是一體化的，安裝和更換像白熾燈燈泡一樣方便。電子節(jié)能燈對鎮(zhèn)流器的基本要求是：電路盡可能簡單，元件數(shù)量少，成本低，性能穩(wěn)定，安全可靠，使用壽命長。本文以飛兆半導(dǎo)體推出的FAN7710V新型鎮(zhèn)
關(guān)鍵字： FAN7710V 電子鎮(zhèn)流器 MOSFET

大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設(shè)計

　　大功率寬頻帶線性射頻放大器模塊廣泛應(yīng)用于電子對抗、雷達(dá)、探測等重要的通訊系統(tǒng)中，其寬頻帶、大功率的產(chǎn)生技術(shù)是無線電子通訊系統(tǒng)中的一項非常關(guān)鍵的技術(shù)。隨著現(xiàn)代無線通訊技術(shù)的發(fā)展，寬頻帶大功率技術(shù)、寬頻帶跳頻、擴(kuò)頻技術(shù)對固態(tài)線性功率放大器設(shè)計提出了更高的要求，即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設(shè)備模塊化。　　通常情況下，在HF~VHF頻段設(shè)計的寬帶射頻功放，采用場效應(yīng)管(FET)設(shè)計要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計方便簡單，正是基于場效應(yīng)管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏
關(guān)鍵字：功率放大器 MOSFET

同步整流技術(shù)DC-DC模塊電源

　　1、概述　　　　2、基本同步整流電路　　如圖1所示電路，其副邊為基本同步整流電路，關(guān)鍵波形見圖2。當(dāng)原邊主開關(guān)管Q1開通時，通過變壓器T1向副邊傳輸能量，副邊工作在整流狀態(tài)，此時SR1的Vgs電壓為變壓器副邊繞組電壓，極性為正，SR2的Vgs電壓為零，因而SR1導(dǎo)通，SR2關(guān)斷;當(dāng)原邊主開關(guān)管Q1關(guān)斷時，變壓器T1原邊繞組的勵磁電流和負(fù)載電流流經(jīng)C1，C1上的電壓開始上升，當(dāng)C1電壓升至Vin時，原邊繞組中的負(fù)載電流下降為0，在勵磁電流的作用下原邊勵磁電感Lm與電容
關(guān)鍵字： DC-DC 整流 MOSFET

你造嗎？四大MOSFET實用技巧

　　MOSFET是一個時代產(chǎn)物,隨著MOSFET技術(shù)的進(jìn)展，特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET出現(xiàn)，它的開關(guān)速度快/輸入阻抗大/熱穩(wěn)定性好等等優(yōu)點,已經(jīng)成為工程師們的首選。　　在EEPW論壇呆久了，看了好多網(wǎng)友問起MOS管的事情，有很多童靴對MOS管的使用不是很熟悉，今天有空給大家說幾個關(guān)于MOSFET的技巧的幾個實用技巧的事情。　　為了把問題說的明白些，還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道
關(guān)鍵字： MOSFET MOS

英飛凌推出基于ARM內(nèi)核的嵌入式功率系列 (Embedded Power IC)，以用于汽車應(yīng)用的智能電機(jī)控制

　　英飛凌科技股份有限公司今日宣布，基于ARM®內(nèi)核的嵌入式功率系列橋式驅(qū)動器提供無以倫比的集成水平，以應(yīng)對智能電機(jī)控制在廣泛的汽車應(yīng)用中日益增長的趨勢。英飛凌利用ARM® Cortex™-M3處理器以及非易失存儲器、模擬和混合信號外設(shè)、通信接口連同 MOSFET 柵極驅(qū)動器，將高性能微控制器集成到單芯片上，可謂業(yè)內(nèi)首創(chuàng)。因此，英飛凌嵌入式功率系列為通常與16 位相關(guān)的應(yīng)用空間實現(xiàn)了 32 位的性能。目前提供的嵌入式功率系列第一批產(chǎn)品的樣品適用于采用三相(無刷直流)電機(jī)的TL
關(guān)鍵字：英飛凌 ARM MOSFET

IR針對工業(yè)應(yīng)用擴(kuò)充StrongIRFET系列新推出具有超低導(dǎo)通電阻的表面貼裝75V MOSFET

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出75V器件以擴(kuò)充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動器、鋰離子電池組保護(hù)、熱插拔及開關(guān)電源 (SMPS) 二次側(cè)同步整流等應(yīng)用。　　全新75V StrongIRFET功率MOSFET系列配備可提升低頻率應(yīng)用性能的超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on))、極高的載流能力、軟體二極管，以及有助于提高抗噪性的3
關(guān)鍵字：國際整流器 MOSFET IRFS7730-7P

高效高可靠性LED驅(qū)動設(shè)計心得技巧分享

　　近日，LED驅(qū)動電路設(shè)計方面的資深達(dá)人DougBailey總結(jié)了設(shè)計工作中需要注意的問題和親身設(shè)計心得，為大家分享總結(jié)如下：　　一、不要使用雙極型功率器件　　DougBailey指出由于雙極型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一個，所以一些設(shè)計師為了降低LED驅(qū)動成本而使用雙極型功率器件，這樣會嚴(yán)重影響電路的可靠性，因為隨著LED驅(qū)動電路板溫度的提升，雙極型器件的有效工作范圍會迅速縮小，這樣會導(dǎo)致器件在溫度上升時故障從而影響LED燈具的可靠性，正確的做法是要選用MOSFET器件，MO
關(guān)鍵字： LED MOSFET PFC

華虹擁先進(jìn)Super Junction工藝平臺，提供更低耗、更高效、更小巧綠色芯制造平臺

　　(「華虹」或「公司」，連同其附屬公司，統(tǒng)稱「集團(tuán)」) 擁有業(yè)界一流的的溝槽型600V-700V Super Junction (超級結(jié)結(jié)構(gòu)) MOSFET (SJNFET) 工藝平臺，可為日益增長的移動終端、4G網(wǎng)絡(luò)、云計算和LED照明等熱點應(yīng)用，提供更低功耗，更高效率，更小尺寸的綠色芯制造平臺。　　隨著移動互聯(lián)網(wǎng)、綠色能源技術(shù)的發(fā)展，以及全球節(jié)能減排的趨勢，產(chǎn)品應(yīng)用對電源系統(tǒng)提出更高的效率要求。作為開關(guān)電源，充電器/適配器，不間斷電源和LED驅(qū)動等電源系統(tǒng)整流的核心器件，功率半導(dǎo)體是降低功耗、提
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mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]