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提升電源轉(zhuǎn)換效率的自定時(shí)電壓檢測(cè)同步MOSFET控制方案

標(biāo)簽：電源諧振轉(zhuǎn)換器高壓電源直流電源 MOSFET現(xiàn)代電子設(shè)備功能越來(lái)越多，設(shè)備功能的高功耗對(duì)環(huán)境的影響也越來(lái)越大。提高電源效率是降低功耗的方法之一。諧振拓?fù)渚哂休^高效率，很多大功率消費(fèi)電子產(chǎn)品和計(jì)算機(jī)
關(guān)鍵字：同步 MOSFET 控制方案檢測(cè) 電壓電源轉(zhuǎn)換效率定時(shí)

功率器件的新時(shí)代汽車(chē)電子功率MOSFET技術(shù)

過(guò)去15到20年間，汽車(chē)用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰褪芷?chē)電子系統(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象，且其封裝簡(jiǎn)單，主要采用TO220 和 TO247
關(guān)鍵字： MOSFET 功率器件汽車(chē)電子

MOSFET雙峰效應(yīng)的評(píng)估方法簡(jiǎn)介

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個(gè)金氧半(MOS)二機(jī)體和兩個(gè)與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展
關(guān)鍵字： MOSFET 雙峰效方法

用于輔助電路分析的示波器數(shù)學(xué)功能

關(guān)鍵字：數(shù)字示波器數(shù)學(xué)功能輔助電路分析 MOSFET

瑞薩電子推出新款超級(jí)結(jié)MOSFET

瑞薩電子公司 (TSE: 6723)，高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的主要供應(yīng)商，日前宣布推出三款新型超級(jí)結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)三極管(超級(jí)結(jié)MOSFET)，具有如下的特點(diǎn)：600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷，適用于高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。
關(guān)鍵字：瑞薩 MOSFET

MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算方法

我們先來(lái)看看MOS關(guān)模型：

Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門(mén)電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容
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Vishay推出新款8V N溝道TrenchFET 功率

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強(qiáng)型PowerPAK? SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET SiA436DJ

高效能低電壓Power MOSFET及其參數(shù)與應(yīng)用

前言近年來(lái)，產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、有限的資源及日益嚴(yán)重的地球暖化現(xiàn)象，促使環(huán)保節(jié)能的觀念逐漸受到重視，更造...
關(guān)鍵字：高效能 Power MOSFET

MHP技術(shù)在鋰電池電路保護(hù)中的應(yīng)用

鋰離子電池的先進(jìn)技術(shù)使得高能量的鋰離子電池具備更高的能量密度和更輕的重量，可以取代諸如電動(dòng)工具、電...
關(guān)鍵字： MHP技術(shù) 鋰電池電路保護(hù) MOSFET

理解MOSFET開(kāi)關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知...
關(guān)鍵字： MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗主導(dǎo)參數(shù)

羅姆開(kāi)發(fā)出用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的耐壓30V功率MOSFET

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)面向服務(wù)器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出了功率MOSFET。
關(guān)鍵字：羅姆 MOSFET DC/DC

恩智浦推出首款2mmx2mm超薄封裝MOSFET

恩智浦半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼：NXPI)日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤(pán)的超薄DFN (分立式扁平無(wú)引腳)封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤(pán)提供光學(xué)焊接檢測(cè)的優(yōu)勢(shì)，與傳統(tǒng)無(wú)引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。
關(guān)鍵字：恩智浦 MOSFET

IR推出車(chē)用功率MOSFET

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出采用堅(jiān)固耐用TO-220 fullpak封裝的車(chē)用功率MOSFET系列，適合包括無(wú)刷直流電機(jī)、水泵和冷卻系統(tǒng)在內(nèi)的各類(lèi)汽車(chē)應(yīng)用。
關(guān)鍵字： IR MOSFET

能使導(dǎo)通電阻下降的功率MOSFET相關(guān)情況解析方案

工程師在為汽車(chē)電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過(guò)120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問(wèn)題。在
關(guān)鍵字：情況解析方案相關(guān) MOSFET 電阻下降功率能使導(dǎo)

開(kāi)關(guān)電源MOSFET驅(qū)動(dòng)電路介紹及分析

開(kāi)關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用已越來(lái)越普及。MOSFET由于開(kāi)關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動(dòng)功率低等優(yōu)點(diǎn)已成為開(kāi)關(guān)電源最常用的功率開(kāi)關(guān)器件之一。而驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接影響開(kāi)關(guān)電源工作的可靠性及性能
關(guān)鍵字：介紹分析電路驅(qū)動(dòng) MOSFET 開(kāi)關(guān)電源

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mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類(lèi)比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]