- 摘要:本文介紹了一種“零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)降壓”的新型降壓穩(wěn)壓器拓?fù)?,說(shuō)明了其給系統(tǒng)帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)和其在Picor Cool-Power ZVS降壓穩(wěn)壓器系列產(chǎn)品中的集成。
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穩(wěn)壓器 柵極驅(qū)動(dòng) MOSFET 201211
- 在功率元器件的發(fā)展中,主要半導(dǎo)體材料當(dāng)然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里,在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k,同時(shí)將電壓也降低到1/k,力爭(zhēng)更低功耗”的指導(dǎo)原理下,隨著微細(xì)加工技術(shù)的發(fā)展,實(shí)現(xiàn)了開(kāi)關(guān)更加高速、大規(guī)模集成化。在功率元器件領(lǐng)域中,微細(xì)加工技術(shù)的導(dǎo)入滯后數(shù)年,需要確保工作電壓的極限(耐壓)并改善模擬性能。
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羅姆 功率元器件 MOSFET
- 摘要:家電是節(jié)能推行過(guò)程中重要的一部分。 在本文中,推薦了家電電源的整體解決方案。 通過(guò)融合最先進(jìn)的技術(shù),能夠設(shè)計(jì)出頂尖的開(kāi)關(guān)電源,這引起了系統(tǒng)設(shè)計(jì)者極大的興趣。 本文描述每款產(chǎn)品的功能特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn),并列出評(píng)估板的測(cè)試結(jié)果。
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飛兆 新能源 MOSFET 201211
- 摘要:面對(duì)越來(lái)越嚴(yán)格的能效等級(jí),電源產(chǎn)品面臨著全新的技術(shù)需求挑戰(zhàn),未來(lái)幾年,電源半導(dǎo)體企業(yè)需要滿足更為嚴(yán)格的電源設(shè)計(jì)需求。
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電源管理 DC/DC MOSFET 201211
- 全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布,推出全新電源轉(zhuǎn)換控制器系列及其首個(gè)功率MOSFET器件系列。該全新脈寬調(diào)制(PWM)控制器與配套的低品質(zhì)因數(shù)(FOM)MOSFET產(chǎn)品系列組合支持高效的DC/DC電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì),涵蓋了廣泛的消費(fèi)電子和工業(yè)應(yīng)用。
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Microchip PWM MOSFET 單片機(jī)
- 輸出功率100W以下的AC/DC電源通常都采用反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這種電源成本較低,使用一個(gè)控制器就能提供多路輸出...
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反激式 MOSFET 鉗位電路
- 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)宣布推出數(shù)款新汽車(chē)產(chǎn)品系列,專門(mén)為發(fā)展迅速的汽車(chē)市場(chǎng)而設(shè)計(jì),配合汽車(chē)電子成分持續(xù)升高,用于燃油經(jīng)濟(jì)性、安全、信息娛樂(lè)系統(tǒng)及車(chē)載通信等先進(jìn)功能。
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安森美 MOSFET LED
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用小尺寸SOP-4表面貼裝封裝的新型光隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器--- VOM1271。新器件集成了關(guān)斷電路,因此不需要外部的關(guān)斷元件和副邊供電電源。新的MOSFET驅(qū)動(dòng)器極大降低了配置成本和PCB空間,并提高了整體的系統(tǒng)可靠性和性能。
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Vishay MOSFET 驅(qū)動(dòng)器
- b觸點(diǎn)型“PhotoMOS”的開(kāi)發(fā)隨著PhotoMOSMOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢(shì)被廣泛了解,人們將其用于信息通信...
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MOSFET 光電耦合器
- 汽車(chē)可靠性和AEC資格認(rèn)證汽車(chē)可能是我們每個(gè)人擁有的最可靠的設(shè)備之一。這可能聽(tīng)起來(lái)有失偏頗,并且如果您的...
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汽車(chē)電子 IR MOSFET
- 雙柵極SET 與MOSFET 的混合特性 由SET 的周期振蕩特性和MOSFET 的閾值電壓特性可構(gòu)成雙柵極SET/MOSFET ...
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雙柵極 SET MOSFET
- CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢(shì),導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長(zhǎng)度和柵面積都急劇減小。柵氧化層越薄,柵漏電流越 ...
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MOSFET 柵漏電流 噪聲分析
- 高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)軍廠商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE:6723,以下簡(jiǎn)稱“瑞薩”),于日前發(fā)布了最新的用于個(gè)人計(jì)算機(jī)CPU、服務(wù)器和儲(chǔ)存系統(tǒng)的供電穩(wěn)壓器 (VR) 芯片集誕生。它包括行業(yè)首個(gè)集成微控制器(MCU)數(shù)字接口的VR控制器R2A30521NP和帶集成電流檢測(cè)電路的智能脈寬調(diào)制(PWM)- Driver - MOSFET功率器件DrMOS)R2J20759NP。
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瑞薩 MCU MOSFET
- 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)擴(kuò)充公司寬廣的接口及電源管理產(chǎn)品陣容,推出一對(duì)優(yōu)化的超小超薄小信號(hào)MOSFET,用于空間受限的便攜消費(fèi)電子產(chǎn)品,如平板電腦、智能手機(jī)、GPS系統(tǒng)、數(shù)字媒體播放器及便攜式游戲機(jī)。
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安森美 MOSFET
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件,將該系列MOSFET在10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到39m?~600m?,將最高電流等級(jí)擴(kuò)展至7A~73A。
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Vishay MOSFET
mosfet 介紹
金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類(lèi)比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSF [
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