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安森美半導(dǎo)體在APEC 2021發(fā)布新的用于電動(dòng)車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案

推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor)，近日發(fā)布一對(duì)1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模塊，進(jìn)一步增強(qiáng)其用于充滿挑戰(zhàn)的電動(dòng)車 (EV) 市場(chǎng)的產(chǎn)品系列。隨著電動(dòng)車銷售不斷增長，必須推出滿足駕駛員需求的基礎(chǔ)設(shè)施，以提供一個(gè)快速充電站網(wǎng)絡(luò)，使他們能夠快速完成行程，而沒有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展，需要超過350 kW的功率水平和95%的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點(diǎn)，緊湊性、魯棒性和增強(qiáng)的可靠性都是設(shè)計(jì)人員面
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三星首款MOSFET冰箱變頻器采用英飛凌600V功率產(chǎn)品

英飛凌科技向三星電子供應(yīng)具有最高能源效率及最低噪音的功率產(chǎn)品。這些功率裝置已整合在三星最新款的單門式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)與FDR(對(duì)開式：RF18A5101SR)變頻式冰箱。變頻是當(dāng)代變頻器設(shè)計(jì)中，采用直流轉(zhuǎn)交流的新興轉(zhuǎn)換趨勢(shì)。與傳統(tǒng)的開/關(guān)控制相比，能讓產(chǎn)品應(yīng)用更安靜平穩(wěn)地運(yùn)轉(zhuǎn)，同時(shí)也減少平均耗電量。三星首款在壓縮機(jī)中使用分立式裝置設(shè)計(jì)的冰箱，采用英飛凌多款電源解決方案：EiceDRIVER、CoolSET Gen 5，以及壓縮機(jī)馬達(dá)用的 600V CoolMO
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東芝推出用于隔離式固態(tài)繼電器的光伏輸出光耦

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出采用薄型S06L封裝的新款光伏輸出光耦（“光伏耦合器”）---“TLP3910”，適用于驅(qū)動(dòng)高壓功率MOSFET的柵極，這類MOSFET用于實(shí)現(xiàn)隔離式固態(tài)繼電器（SSR）[1]功能。今日開始批量出貨。SSR是以光電可控硅、光電晶體管或光電晶閘管為輸出器件的半導(dǎo)體繼電器，它適用于對(duì)大電流執(zhí)行開／關(guān)控制的應(yīng)用。光伏耦合器是一種內(nèi)置光學(xué)器件但不具有用于執(zhí)行開關(guān)功能的MOSFET的光繼電器。在配置隔離式SSR設(shè)計(jì)時(shí)，通過將光伏耦合器與MOSFET結(jié)合使用，便
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Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高功率密度

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應(yīng)用。這些器件是Nexperia所生產(chǎn)的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它們提供的功率密度相比傳統(tǒng)D2PAK器件提高了50倍以上。此外，這些新型器件還可在雪崩和線性模式下提供更高的性能，從而提高了耐用性和可靠性。Nexperia產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Neil M
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電子工程師必備！40個(gè)模擬電路小常識(shí)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)和工藝的飛速發(fā)展，電子設(shè)備得到了廣泛應(yīng)用，而作為一名電力工程師，模擬電路是一門很基礎(chǔ)的課，對(duì)于學(xué)生來說，獲得電子線路基本知識(shí)、基本理論和基本技能,能為深入學(xué)習(xí)電子技術(shù)打下基礎(chǔ)。1. 電接口設(shè)計(jì)中，反射衰減通常在高頻情況下變差，這是因?yàn)閹p耗的傳輸線反射同頻率相關(guān)，這種情況下，盡量縮短PCB走線就顯得異常重要。2. 穩(wěn)壓二極管就是一種穩(wěn)定電路工作電壓的二極管，由于特殊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，適用反向擊穿的工作狀態(tài)，只要限制電流的大小，這種擊穿是非破壞性的。3. PN結(jié)具有
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晶體管分類有哪些？收藏這一張圖就夠了！

本文來自公眾號(hào)：8號(hào)線攻城獅，主要介紹了晶體管分類，并以NPN BJT為例，分析了晶體管的參數(shù)和特性。
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IGBT和MOSFET功率模塊NTC溫度控制

溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內(nèi)部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來監(jiān)控溫度。半導(dǎo)體硅PTC熱敏電阻可以很好進(jìn)行電流控制，或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測(cè)器可以用較低阻值，達(dá)到更高的檢測(cè)線性度。無論傳感器采用表面貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結(jié)裸片，NTC熱敏電阻仍是靈敏度優(yōu)異，用途廣泛的溫度傳感器。只要設(shè)計(jì)得當(dāng)，可確保模塊正確降額，并最終在過熱或外部溫度過高的情況下關(guān)斷模塊。本文以鍵合NTC裸片為重點(diǎn)，采用模擬電路仿真的方法說明功率模
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集中供電電源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)*

用于消防控制系統(tǒng)的集中供電電源應(yīng)具備不間斷供電的特性，能夠進(jìn)行電池充電及智能顯示。本文通過半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)主電電路，以STM8S003F3P作為電源的控制單片機(jī)，使用繼電器控制電路實(shí)現(xiàn)主備電無縫切換，使用電池充電電路對(duì)蓄電池進(jìn)行智能充電管理，最后搭建實(shí)際電路進(jìn)行驗(yàn)證。驗(yàn)證結(jié)果表明：設(shè)計(jì)的集中供電電源輸出性能指標(biāo)較高，且能夠?qū)崿F(xiàn)不間斷供電及電池充電功能，滿足消防控制系統(tǒng)供電要求。
關(guān)鍵字：集中供電電源半橋拓?fù)?/a> 充電管理智能 202104 MOSFET IGBT

通過節(jié)省時(shí)間和成本的創(chuàng)新技術(shù)降低電源中的EMI

隨著電子系統(tǒng)變得越來越密集并且互連程度越來越高，降低電磁干擾 (EMI) 的影響日益成為一個(gè)關(guān)鍵的系統(tǒng)設(shè)計(jì)考慮因素。鑒于 EMI 可能在后期嚴(yán)重阻礙設(shè)計(jì)進(jìn)度，浪費(fèi)大量時(shí)間和資金，因此必須在設(shè)計(jì)之初就考慮 EMI 問題。開關(guān)模式電源 (SMPS) 是現(xiàn)代技術(shù)中普遍使用的電路之一，在大多數(shù)應(yīng)用中，該電路可提供比線性穩(wěn)壓器更大的效率。但這種效率提高是有代價(jià)的，因?yàn)?SMPS 中功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的開關(guān)會(huì)產(chǎn)生大量 EMI，進(jìn)而影響電路可靠性。EMI 主要來自不連續(xù)的輸入電流、開關(guān)節(jié)
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Nexperia第二代650 V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級(jí)電源可在2 kW或更高功率下運(yùn)行

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級(jí)效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動(dòng)器。全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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安森美半導(dǎo)體高能效方案賦能機(jī)器人創(chuàng)新，助力工業(yè)自動(dòng)化升級(jí)

工業(yè)自動(dòng)化簡單說來指從人力制造轉(zhuǎn)向機(jī)器人制造，涉及信息物理系統(tǒng)(CPS)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)/工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT)、云計(jì)算(Cloud Computing)和人工智能(AI)等多種技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)增長和利潤最大化，提高生產(chǎn)效率，并避免人力在執(zhí)行某些任務(wù)時(shí)的安全隱患。安森美半導(dǎo)體為工業(yè)自動(dòng)化提供全面的高能效創(chuàng)新的半導(dǎo)體方案。其中，機(jī)器人半導(dǎo)體方案構(gòu)建框圖如圖1所示。圖1?工業(yè)自動(dòng)化-機(jī)器人半導(dǎo)體方案構(gòu)建框圖電機(jī)控制設(shè)計(jì)人員可采用安森美半導(dǎo)體的無刷直流電機(jī)(BLDC)控制器實(shí)現(xiàn)BLDC電機(jī)控制，如高
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功率半導(dǎo)體－馬達(dá)變頻器內(nèi)的關(guān)鍵組件

全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的馬達(dá)，而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預(yù)期到 2040 年將成長一倍。隨著對(duì)能源成本和資源有限的意識(shí)不斷提高，未來提升驅(qū)動(dòng)馬達(dá)用電效率的需求將會(huì)越來越顯著。
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功率器件和被動(dòng)元件點(diǎn)亮第97屆中國電子展，CEF下半年成都上海再相見

2021年4月11日，為期三天的第97屆中國電子展在深圳會(huì)展中心圓滿落幕，展會(huì)與第九屆中國電子信息博覽會(huì)（CITE2021）同期舉辦，現(xiàn)場(chǎng)有超1500家參展商參展，共發(fā)布近萬件新產(chǎn)品、新技術(shù)，全方位、多角度展示我國電子信息產(chǎn)業(yè)的最新發(fā)展成果。同時(shí)，博覽會(huì)期間還舉辦了近100場(chǎng)同期活動(dòng)，吸引了超過10萬名專業(yè)觀眾到場(chǎng)參觀，500余萬觀眾線上觀展。據(jù)主辦方介紹，展會(huì)以“創(chuàng)新驅(qū)動(dòng) 高質(zhì)量發(fā)展”為主題，展覽展示、論壇會(huì)議和現(xiàn)場(chǎng)活動(dòng)三大板塊聯(lián)動(dòng)，三位一體，亮點(diǎn)紛呈。亮點(diǎn)一展覽：展示最新產(chǎn)品?9號(hào)館——基礎(chǔ)
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碳化硅技術(shù)如何變革汽車車載充電

日趨嚴(yán)格的CO2排放標(biāo)準(zhǔn)以及不斷變化的公眾和企業(yè)意見在加速全球電動(dòng)汽車(EV)的發(fā)展。這為車載充電器(OBC)帶來在未來幾年巨大的增長空間，根據(jù)最近的趨勢(shì)，到2024年的復(fù)合年增長率(CAGR(TAM))估計(jì)將達(dá)到37.6%或更高。對(duì)于全球OBC模塊正在設(shè)計(jì)中的汽車，提高系統(tǒng)能效或定義一種高度可靠的新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)已成為迫在眉睫的挑戰(zhàn)。用于單相輸入交流系統(tǒng)的簡單功率因數(shù)校正(PFC)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(圖1)是個(gè)傳統(tǒng)的單通道升壓轉(zhuǎn)換器。該方案包含一個(gè)用于輸入交流整流的二極管全橋和一個(gè)PFC控制器，以增加負(fù)載的功率因數(shù)，從
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Vishay推出全球領(lǐng)先的汽車級(jí)80 V P溝道MOSFET，以提高系統(tǒng)能效和功率密度

日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日推出通過AEC-Q101認(rèn)證、全球先進(jìn)的p溝道80 V TrenchFET? MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP導(dǎo)通電阻達(dá)到80 V p溝道器件優(yōu)異水平，可提高汽車應(yīng)用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結(jié)構(gòu)5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK? SO-8L小型單體封裝，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。日前發(fā)布的汽車級(jí)M
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