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          晶體管分類有哪些?收藏這一張圖就夠了!

          • 本文來自公眾號:8號線攻城獅,主要介紹了晶體管分類,并以NPN BJT為例,分析了晶體管的參數(shù)和特性。
          • 關(guān)鍵字: 晶體管  NPN  PNP  MOSFET  JFET  

          IGBT和MOSFET功率模塊NTC溫度控制

          • 溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內(nèi)部溫度傳感器 (體二極管),但其他方法也可以用來監(jiān)控溫度。半導(dǎo)體硅PTC熱敏電阻可以很好進行電流控制,或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測器可以用較低阻值,達到更高的檢測線性度。無論傳感器采用表面貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結(jié)裸片,NTC熱敏電阻仍是靈敏度優(yōu)異,用途廣泛的溫度傳感器。只要設(shè)計得當,可確保模塊正確降額,并最終在過熱或外部溫度過高的情況下關(guān)斷模塊。本文以鍵合NTC裸片為重點,采用模擬電路仿真的方法說明功率模
          • 關(guān)鍵字: IGBT  MOSFET  

          集中供電電源的設(shè)計與實現(xiàn)*

          • 用于消防控制系統(tǒng)的集中供電電源應(yīng)具備不間斷供電的特性,能夠進行電池充電及智能顯示。本文通過半橋拓撲設(shè)計主電電路,以STM8S003F3P作為電源的控制單片機,使用繼電器控制電路實現(xiàn)主備電無縫切換,使用電池充電電路對蓄電池進行智能充電管理,最后搭建實際電路進行驗證。驗證結(jié)果表明:設(shè)計的集中供電電源輸出性能指標較高,且能夠?qū)崿F(xiàn)不間斷供電及電池充電功能,滿足消防控制系統(tǒng)供電要求。
          • 關(guān)鍵字: 集中供電電源  半橋拓撲  充電管理  智能  202104  MOSFET  IGBT  

          通過節(jié)省時間和成本的創(chuàng)新技術(shù)降低電源中的EMI

          • 隨著電子系統(tǒng)變得越來越密集并且互連程度越來越高,降低電磁干擾 (EMI) 的影響日益成為一個關(guān)鍵的系統(tǒng)設(shè)計考慮因素。鑒于 EMI 可能在后期嚴重阻礙設(shè)計進度,浪費大量時間和資金,因此必須在設(shè)計之初就考慮 EMI 問題。開關(guān)模式電源 (SMPS) 是現(xiàn)代技術(shù)中普遍使用的電路之一,在大多數(shù)應(yīng)用中,該電路可提供比線性穩(wěn)壓器更大的效率。但這種效率提高是有代價的,因為 SMPS 中功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的開關(guān)會產(chǎn)生大量 EMI,進而影響電路可靠性。EMI 主要來自不連續(xù)的輸入電流、開關(guān)節(jié)
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  

          Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行

          • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比,新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ(典型值)的RDS(on)性能,適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS),特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
          • 關(guān)鍵字: Nexperia  MOSFET  GaN  

          安森美半導(dǎo)體高能效方案賦能機器人創(chuàng)新,助力工業(yè)自動化升級

          • 工業(yè)自動化簡單說來指從人力制造轉(zhuǎn)向機器人制造,涉及信息物理系統(tǒng)(CPS)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)/工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT)、云計算(Cloud Computing)和人工智能(AI)等多種技術(shù),可實現(xiàn)經(jīng)濟增長和利潤最大化,提高生產(chǎn)效率,并避免人力在執(zhí)行某些任務(wù)時的安全隱患。安森美半導(dǎo)體為工業(yè)自動化提供全面的高能效創(chuàng)新的半導(dǎo)體方案。其中,機器人半導(dǎo)體方案構(gòu)建框圖如圖1所示。圖1?工業(yè)自動化-機器人半導(dǎo)體方案構(gòu)建框圖電機控制設(shè)計人員可采用安森美半導(dǎo)體的無刷直流電機(BLDC)控制器實現(xiàn)BLDC電機控制,如高
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  BLDC  IoT  IIoT  

          功率半導(dǎo)體-馬達變頻器內(nèi)的關(guān)鍵組件

          • 全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中的馬達,而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預(yù)期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高,未來提升驅(qū)動馬達用電效率的需求將會越來越顯著。
          • 關(guān)鍵字: IGBT7  SiC MOSFET  馬達變頻器  功率半導(dǎo)體  英飛凌  

          功率器件和被動元件點亮第97屆中國電子展,CEF下半年成都上海再相見

          • 2021年4月11日,為期三天的第97屆中國電子展在深圳會展中心圓滿落幕,展會與第九屆中國電子信息博覽會(CITE2021)同期舉辦,現(xiàn)場有超1500家參展商參展,共發(fā)布近萬件新產(chǎn)品、新技術(shù),全方位、多角度展示我國電子信息產(chǎn)業(yè)的最新發(fā)展成果。同時,博覽會期間還舉辦了近100場同期活動,吸引了超過10萬名專業(yè)觀眾到場參觀,500余萬觀眾線上觀展。據(jù)主辦方介紹,展會以“創(chuàng)新驅(qū)動 高質(zhì)量發(fā)展”為主題,展覽展示、論壇會議和現(xiàn)場活動三大板塊聯(lián)動,三位一體,亮點紛呈。亮點一展覽:展示最新產(chǎn)品?9號館——基礎(chǔ)
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  

          碳化硅技術(shù)如何變革汽車車載充電

          • 日趨嚴格的CO2排放標準以及不斷變化的公眾和企業(yè)意見在加速全球電動汽車(EV)的發(fā)展。這為車載充電器(OBC)帶來在未來幾年巨大的增長空間,根據(jù)最近的趨勢,到2024年的復(fù)合年增長率(CAGR(TAM))估計將達到37.6%或更高。對于全球OBC模塊正在設(shè)計中的汽車,提高系統(tǒng)能效或定義一種高度可靠的新拓撲結(jié)構(gòu)已成為迫在眉睫的挑戰(zhàn)。用于單相輸入交流系統(tǒng)的簡單功率因數(shù)校正(PFC)拓撲結(jié)構(gòu)(圖1)是個傳統(tǒng)的單通道升壓轉(zhuǎn)換器。該方案包含一個用于輸入交流整流的二極管全橋和一個PFC控制器,以增加負載的功率因數(shù),從
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  PFC  

          Vishay推出全球領(lǐng)先的汽車級80 V P溝道MOSFET,以提高系統(tǒng)能效和功率密度

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc. 近日推出通過AEC-Q101認證、全球先進的p溝道80 V TrenchFET? MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP導(dǎo)通電阻達到80 V p溝道器件優(yōu)異水平,可提高汽車應(yīng)用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結(jié)構(gòu)5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK? SO-8L小型單體封裝,10 V條件下最大導(dǎo)通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。日前發(fā)布的汽車級M
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  

          72V 混合式 DC/DC 方案使中間總線轉(zhuǎn)換器尺寸銳減 50%

          • 背景資訊大多數(shù)中間總線轉(zhuǎn)換器 (IBC) 使用一個體積龐大的電源變壓器來提供從輸入至輸出的隔離。另外,它們一般還需要一個用于輸出濾波的電感器。此類轉(zhuǎn)換器常用于數(shù)據(jù)通信、電信和醫(yī)療分布式電源架構(gòu)。這些 IBC 可由眾多供應(yīng)商提供,而且通??煞胖糜跇I(yè)界標準的 1/16、1/8 和 1/4 磚占板面積之內(nèi)。典型的 IBC 具有一個 48V 或 54V 的標稱輸入電壓,并產(chǎn)生一個介于 5V 至 12V 之間的較低中間電壓以及從幾百 W 至幾 kW 的輸出功率級別。中間總線電壓用作負載點穩(wěn)壓器的輸入,將負責(zé)給 FP
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  IBC  

          意法半導(dǎo)體發(fā)布隔離式柵極驅(qū)動器,可安全控制碳化硅MOSFET

          • STGAP2SiCS能夠產(chǎn)生高達26V的柵極驅(qū)動電壓,將欠壓鎖定(UVLO)閾壓提高到15.5V,滿足SiC MOSFET開關(guān)管正常導(dǎo)通要求。如果電源電壓低引起驅(qū)動電壓太低,UVLO保護機制將確保MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài),以免產(chǎn)生過多的耗散功率。這款驅(qū)動器有雙兩個輸入引腳,讓設(shè)計人員可以定義柵極驅(qū)動信號的極性。STGAP2SiCS在輸入部分和柵極驅(qū)動輸出之間設(shè)計6kV電氣隔離,電隔離有助于確保消費電子和工業(yè)設(shè)備的用電安全。4A吸電流/拉電流驅(qū)動能力使其適用于高端家用電器、工業(yè)驅(qū)動裝置、風(fēng)扇、電磁爐、電焊機
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  UVLO  

          電機驅(qū)動系統(tǒng):新一代功率解決方案提升能效和可靠性

          • 1? ?電機驅(qū)動系統(tǒng)的關(guān)鍵是可靠性和能效電機在現(xiàn)代生活中無處不在, 從氣候控制、電器和商業(yè)制冷到汽車、工廠和基礎(chǔ)設(shè)施。根據(jù)國際能源署 (International Energy Agency) 的數(shù)據(jù),電機占全球總電力消耗的45%,因此電機驅(qū)動電子設(shè)備的可靠性和能效會對世界各地的舒適、便利和環(huán)境及各種應(yīng)用產(chǎn)生影響。工業(yè)自動化和機器人是電機最重要的應(yīng)用之一,隨著傳統(tǒng)機器人、協(xié)作機器人和自主移動機器人的采用,我們看到工廠和其他設(shè)施變得更加自動化。一種提高電機驅(qū)動系統(tǒng)能效的方法是,以基于三相
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  IPM  202103  

          基于LCC拓撲的2相輸入300W AC-DC LED電源

          • 近年來,諧振變換器的熱度越來越高,被廣泛用于計算機服務(wù)器、電信設(shè)備、燈具和消費電子等各種應(yīng)用場景。諧振變換器可以很容易地實現(xiàn)高能效,其固有的較寬的軟開關(guān)范圍很容易實現(xiàn)高頻開關(guān),這是一個關(guān)鍵的吸引人的特性。本文著重介紹一個以半橋LCC諧振變換數(shù)字控制和同步整流為特性的300W電源。圖1所示的STEVAL-LLL009V1是一個數(shù)控300W電源。原邊組件包括PFC級和DC-DC功率級(半橋LCC諧振變換器),副邊組件包括同步整流電路和STM32F334微控制器,其中STM32F334微控制器對DC-DC功率級
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  IC  

          開關(guān)模式電源電流檢測

          • 開關(guān)模式電源有三種常用電流檢測方法是:使用檢測電阻,使用MOSFET RDS(ON),以及使用電感的直流電阻(DCR)。每種方法都有優(yōu)點和缺點,選擇檢測方法時應(yīng)予以考慮。檢測電阻電流作為電流檢測元件的檢測電阻,產(chǎn)生的檢測誤差最低(通常在1%和5%之間),溫度系數(shù)也非常低,約為100 ppm/°C (0.01%)。在性能方面,它提供精度最高的電源,有助于實現(xiàn)極為精確的電源限流功能,并且在多個電源并聯(lián)時,還有利于實現(xiàn)精密均流。圖1.RSENSE電流檢測另一方面,因為電源設(shè)計中增加了電流檢測電阻,所以電阻也會產(chǎn)
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  DCR  
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