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電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器電路及工作原理

電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級均為推挽對稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時間常數(shù)基本相等的脈沖響應以及
關鍵字： MOSFET VP-P 電壓

高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作原理

電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
關鍵字： MOSFET 高頻特性放大器電路工作原理

微芯有刷直流電機控制方案

有刷直流電機通過電刷進行換向。以下是關于有刷直流電機的一些關鍵點：典型的轉子(也就是電樞)上有繞組，并且在其末端連有換向器電刷與換向部分連接和斷開，從而將能量傳遞到電樞永磁直流電機的定子(或外部機筒)將有
關鍵字： MOSFET 光學編碼器 PWM 有刷直流電機驅(qū)動器

被忽略的細節(jié)：理解MOSFET額定電壓BVDSS

　　看到這個主題，可能有些工程師會問：多少伏的功率MOSFET，耐壓BVDSS不就是多少伏嗎?這里面還有什么被忽略的內(nèi)容?細節(jié)決定技術，今天研究功率MOSFET數(shù)據(jù)表中BVDSS所隱藏的一些有意思的細節(jié)，來理解這個參數(shù)所設定的含義。　　數(shù)據(jù)表中漏源擊穿電壓BVDSS通常定義為漏電流為250uA時漏極到源極的電壓，漏極到源極的漏電流表示為IDSS。數(shù)據(jù)表中標稱BVDSS電壓是在柵極和源極S短路、25℃的工作溫度、漏極和源極不發(fā)生雪崩擊穿時，所能施加的最大的額定電壓，測試的電路如圖1所示。關于雪崩擊穿問題
關鍵字： MOSFET BVDSS

Fairchild發(fā)布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列

　　Fairchild，現(xiàn)在是安森美半導體的一部分，今天推出了其SuperFET® III系列，用于650V N溝道MOSFET，這是該公司新一代的MOSFET，可滿足最新的通信、服務器、電動車(EV)充電器和太陽能產(chǎn)品的更高功率密度、系統(tǒng)效率和優(yōu)越的可靠性要求。　　SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和優(yōu)異熱性能，是高性能應用的理想之選。一流性能之外，該系列還提供了廣泛的封裝選擇，賦予了產(chǎn)品設計者更大的靈活性，特別是對于尺寸受限的設計。　　Fair
關鍵字： Fairchild MOSFET

英飛凌800 V CoolMOS P7系列設立效率和散熱性能的新基準

　　英飛凌科技股份公司推出800 V CoolMOS™ P7系列。該800 V MOSFET基于超級結技術，兼具出類拔萃的性能和優(yōu)異的易用性。這個新的產(chǎn)品家族非常適于低功率SMPS應用，可完全滿足性能、易于設計和性價比等市場需求。它主要側重于反激式拓撲，這種拓撲常見于適配器、LED照明、音頻、工業(yè)和輔助電源等應用。　　　　800 V CoolMOS P7系列可將效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3，或者比之典型反激式應用中測試的其他競爭對手產(chǎn)品，這相當于將
關鍵字：英飛凌 MOSFET

步進電機的MOSFET管驅(qū)動設計

H橋功率驅(qū)動電路可應用于步進電機、交流電機及直流電機等的驅(qū)動。永磁步
關鍵字：步進電機 MOSFET 驅(qū)動設計

意法半導體推出新款超結MOSFET和全球首款1500V TO-220FP 寬爬電間距封裝功率晶體管

　　橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)寬爬電間距封裝的功率晶體管，其中包括采用防電弧封裝的全球首款1500V超結MOSFET。　　電視和PC等設備常用的開放式電源表面很容易聚集塵土和粉塵，導致功率晶體管引腳之間產(chǎn)生高壓電弧放電現(xiàn)象，TO-220FP寬爬電間距封裝是這類應用功率晶體管的理想選擇。在使用2.54mm引腳間隔的常規(guī)封裝時，需要鑄封、引線成形、套管或密封等特殊工
關鍵字：意法半導體 MOSFET

IGBT是啥？看完這篇文章我不信你還不明白

　　電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命，由它產(chǎn)生的動能每天都在源源不斷的釋放，人對電的需求不亞于人類世界的氧氣，如果沒有電，人類的文明還會在黑暗中探索。　　然而在電力電子里面，最重要的一個元件就是IGBT。沒有IGBT就不會有高鐵的便捷生活。　　　　一說起IGBT，半導體**的人都以為不就是一個分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成電路**一樣，是國家“02專項”的重點扶持項目，這玩意是現(xiàn)在目前功率電子器件里
關鍵字： IGBT MOSFET

住在市區(qū)還是郊區(qū)？考慮采用轉換器或控制器調(diào)節(jié)大電流電壓

　　一般來講，尋求更大生活空間的居民會放棄在市區(qū)附近生活。盡管住在市區(qū)上班方便，并能享受城市服務，但他們更愿意搬到郊區(qū)，因為那里房子更大，院子更寬敞。同樣，當工程師需要大電流用于負載點(POL)設計時，他們一般會放棄高密度轉換器(帶集成MOSFET)的便利，取而代之使用一個更復雜的涉及控制器(帶外部MOSFET)解決方案?？刂破鳎c郊區(qū)環(huán)境相類似，具有相對的靈活性和經(jīng)濟性，但會占據(jù)更多不動產(chǎn)，更多的電路板空間。　　　　直到最近，電流超過10-15A的應用一般會依賴帶外部MOSF
關鍵字： MOSFET 封裝

關于MOS管的基礎知識大合集

　　下面對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎的一點總結，包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應用電路。　　1，MOS管種類和結構　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。　　至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。　　對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開
關鍵字： MOS管 MOSFET

意法半導體(ST)的先進碳化硅功率器件加快汽車電動化進程

　　橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)在混動汽車和電動汽車(EV，Electric Vehicles)市場發(fā)布了先進的高能效功率半導體器件，同時還公布了新產(chǎn)品AEC-Q101汽車質(zhì)量認證時間表。　　電動汽車和混動汽車通過提高電能利用率來延長續(xù)航里程。意法半導體最新的碳化硅(SiC)技術讓車企能夠研制續(xù)航里程更長、充電速度更快的電動和混動汽車，使其更好地融入車主的生活。作為碳化硅技術的領導者，針對汽車所有主要電氣模塊，意法半導體率先推
關鍵字：意法半導體 MOSFET

英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝，進一步擴大緊湊型門級驅(qū)動產(chǎn)品陣容

　　英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門級驅(qū)動IC產(chǎn)品家族帶來了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能。　　全新IC的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅(qū)動高壓功率MOSFET和IGBT而設計。目標應用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動汽車充電站、焊接設備及商用和農(nóng)用車等。優(yōu)化的
關鍵字：英飛凌 SiC-MOSFET

理解超級結技術

　　基于超級結技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結MOSFET出現(xiàn)之前，高壓器件的主要設計平臺是基于平面技術。但高壓下的快速開關會產(chǎn)生AC/DC電源和逆變器方面的挑戰(zhàn)。從平面向超級結MOSFET過渡的設計工程師常常為了照顧電磁干擾(EMI)、尖峰電壓及噪聲考慮而犧牲開關速度。本應用指南將比較兩種平臺的特征，以便充分理解和使用超級結技術的優(yōu)點。　　為了理解兩種技術的差異，我
關鍵字： MOSFET 超級結結構

意法半導體(ST)新的MOSFET晶體管技術/封裝解決方案重新定義功率能效

　　橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET為低壓電源設計人員提高計算機、電信網(wǎng)絡、工業(yè)、消費電子產(chǎn)品的能效創(chuàng)造新的機會。　　全世界的人都在獲取、保存、分享大量的電子書、視頻、相片和音樂文件，數(shù)據(jù)使用量連續(xù)快速增長，運行云計算技術的服務器集群、互聯(lián)互通的電信網(wǎng)絡、數(shù)據(jù)用戶終端設備的耗電量也隨之越來越高，人們對這些設備能耗最小化的需求越來越多
關鍵字：意法半導體 MOSFET

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