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結(jié)合超寬帶測(cè)距和雷達(dá)功能以實(shí)現(xiàn)高級(jí)IoT應(yīng)用 11.14珠海｜與泰克共探半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)這里瞧瞧NXP技術(shù)培訓(xùn)視頻吧>> 來(lái)學(xué)習(xí)NXP基于i.MX處理器的工業(yè)解決方案吧！

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mosfet-90n10 文章進(jìn)入mosfet-90n10技術(shù)社區(qū)

Vishay推出新款Vishay Siliconix功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸，具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

Vishay將參加西安2012西部電源技術(shù)創(chuàng)新論壇

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，將參加11月24日在西安皇后酒店舉行的中國(guó)西部電源技術(shù)論壇。論壇與中國(guó)電源行業(yè)協(xié)會(huì)合辦，由Vishay技術(shù)專家做4場(chǎng)技術(shù)報(bào)告，探討在新能源、軍工、通信、工業(yè)電源和其他行業(yè)中電容器、電阻、電感器、MOSFET、功率模塊和二極管的應(yīng)用。
關(guān)鍵字： Vishay 電容器電感器 MOSFET

功率元器件的發(fā)展與電源IC技術(shù)的變革

　　前言　　為了防止地球溫室化，減少CO2排放量已成為人類(lèi)的課題。為了減少CO2排放量，節(jié)電與提高電壓的轉(zhuǎn)換效率是當(dāng)務(wù)之急。在這種背景下，羅姆通過(guò)用于LED照明的技術(shù)貢獻(xiàn)于節(jié)電，通過(guò)功率元器件提升轉(zhuǎn)換效率。　　而提高轉(zhuǎn)換效率就需要減少損耗。發(fā)電站產(chǎn)生幾十萬(wàn)伏的電壓，通過(guò)電線和變壓器將這些電壓降低為如我們所熟悉的手機(jī)充電器所提供的約5V的電壓進(jìn)行使用。從發(fā)電站到充電器之間電壓被多次轉(zhuǎn)換，每次轉(zhuǎn)換都會(huì)發(fā)生損耗。這些損耗的原因之一是功率元器件的損耗。只要這些損耗變成零，就可以大幅消減CO2排放量。雖然不
關(guān)鍵字：羅姆功率元器件 MOSFET

新型降壓穩(wěn)壓器拓?fù)湓趯捿斎?、高用電量?fù)載中的應(yīng)用

摘要：本文介紹了一種“零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)降壓”的新型降壓穩(wěn)壓器拓?fù)?，說(shuō)明了其給系統(tǒng)帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)和其在Picor Cool-Power ZVS降壓穩(wěn)壓器系列產(chǎn)品中的集成。
關(guān)鍵字：穩(wěn)壓器柵極驅(qū)動(dòng) MOSFET 201211

羅姆在新一代功率元器件領(lǐng)域的飛躍發(fā)展與前沿探索

在功率元器件的發(fā)展中，主要半導(dǎo)體材料當(dāng)然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里，在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k，同時(shí)將電壓也降低到1/k，力爭(zhēng)更低功耗”的指導(dǎo)原理下，隨著微細(xì)加工技術(shù)的發(fā)展，實(shí)現(xiàn)了開(kāi)關(guān)更加高速、大規(guī)模集成化。在功率元器件領(lǐng)域中，微細(xì)加工技術(shù)的導(dǎo)入滯后數(shù)年，需要確保工作電壓的極限(耐壓)并改善模擬性能。
關(guān)鍵字：羅姆功率元器件 MOSFET

節(jié)能家電電源整體解決方案

摘要：家電是節(jié)能推行過(guò)程中重要的一部分。在本文中，推薦了家電電源的整體解決方案。通過(guò)融合最先進(jìn)的技術(shù)，能夠設(shè)計(jì)出頂尖的開(kāi)關(guān)電源，這引起了系統(tǒng)設(shè)計(jì)者極大的興趣。本文描述每款產(chǎn)品的功能特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)，并列出評(píng)估板的測(cè)試結(jié)果。
關(guān)鍵字：飛兆新能源 MOSFET 201211

提升能效,讓整個(gè)世界微笑

摘要：面對(duì)越來(lái)越嚴(yán)格的能效等級(jí)，電源產(chǎn)品面臨著全新的技術(shù)需求挑戰(zhàn)，未來(lái)幾年，電源半導(dǎo)體企業(yè)需要滿足更為嚴(yán)格的電源設(shè)計(jì)需求。
關(guān)鍵字：電源管理 DC/DC MOSFET 201211

Microchip推出高電壓模擬降壓PWM控制器

全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布，推出全新電源轉(zhuǎn)換控制器系列及其首個(gè)功率MOSFET器件系列。該全新脈寬調(diào)制(PWM)控制器與配套的低品質(zhì)因數(shù)(FOM)MOSFET產(chǎn)品系列組合支持高效的DC/DC電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)，涵蓋了廣泛的消費(fèi)電子和工業(yè)應(yīng)用。
關(guān)鍵字： Microchip PWM MOSFET 單片機(jī)

反激式電源中MOSFET的鉗位電路

輸出功率100W以下的AC/DC電源通常都采用反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這種電源成本較低，使用一個(gè)控制器就能提供多路輸出...
關(guān)鍵字：反激式 MOSFET 鉗位電路

安森美新器件用于富于挑戰(zhàn)的不同汽車(chē)應(yīng)用

推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)宣布推出數(shù)款新汽車(chē)產(chǎn)品系列，專門(mén)為發(fā)展迅速的汽車(chē)市場(chǎng)而設(shè)計(jì)，配合汽車(chē)電子成分持續(xù)升高，用于燃油經(jīng)濟(jì)性、安全、信息娛樂(lè)系統(tǒng)及車(chē)載通信等先進(jìn)功能。
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET LED

Vishay發(fā)布新型光隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用小尺寸SOP-4表面貼裝封裝的新型光隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器--- VOM1271。新器件集成了關(guān)斷電路，因此不需要外部的關(guān)斷元件和副邊供電電源。新的MOSFET驅(qū)動(dòng)器極大降低了配置成本和PCB空間，并提高了整體的系統(tǒng)可靠性和性能。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET 驅(qū)動(dòng)器

Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要

b觸點(diǎn)型“PhotoMOS”的開(kāi)發(fā)隨著PhotoMOSMOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢(shì)被廣泛了解，人們將其用于信息通信...
關(guān)鍵字： MOSFET 光電耦合器

實(shí)現(xiàn)汽車(chē)器件0ppm目標(biāo)的舉措

汽車(chē)可靠性和AEC資格認(rèn)證汽車(chē)可能是我們每個(gè)人擁有的最可靠的設(shè)備之一。這可能聽(tīng)起來(lái)有失偏頗，并且如果您的...
關(guān)鍵字：汽車(chē)電子 IR MOSFET

雙柵極SET與MOSFET的混合特性

雙柵極SET 與MOSFET 的混合特性　　由SET 的周期振蕩特性和MOSFET 的閾值電壓特性可構(gòu)成雙柵極SET/MOSFET ...
關(guān)鍵字：雙柵極 SET MOSFET

MOSFET柵漏電流噪聲分析

CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢(shì)，導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長(zhǎng)度和柵面積都急劇減小。柵氧化層越薄，柵漏電流越 ...
關(guān)鍵字： MOSFET 柵漏電流噪聲分析

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