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          Vishay發(fā)布用于功率MOSFET的免費在線仿真工具

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS產(chǎn)品的免費在線熱仿真工具ThermaSim 3.0版。為精確分析仿真的溫度曲線,功能強大的最新版本ThermaSim引入了很多關(guān)鍵特性,比如裸片溫度對功率耗散的時間縮放功能,定義更多的真實條件以提高仿真精度和設計靈活性,減輕對用戶使用經(jīng)驗的要求。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  DrMOS  

          HID燈鎮(zhèn)流器中UniFET II MOSFET的性能和效率

          • 摘要: 先進的單元結(jié)構(gòu)和壽命控制技術(shù)已同時增強了功率MOSFET的導通電阻和反向恢復性能。 本文介紹一種新開發(fā)的平面MOSFET—UniFETTM II MOSFET—具有顯著提高的體二極管特性,另外還介紹了其性能和效率。
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  鎮(zhèn)流器  FRFET  201302  

          IR推出AUIR3200S MOSFET驅(qū)動IC

          • 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出車用AUIR3200S MOSFET 驅(qū)動IC。新產(chǎn)品具有全面保護和診斷功能,為繼電器更換和電池開關(guān)應用提供更高的可靠性。
          • 關(guān)鍵字: IR  驅(qū)動IC  AUIR3200S  MOSFET  

          用TrenchFET IV功率MOSFET系列設計更綠色、更小的電源

          • TrenchFET IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產(chǎn)品。與TrenchFET III相比,TrenchFET IV的導通電阻(RDS(ON)和柵極電荷(QG,QGD)數(shù)值都有所減小,降低了同步DC/DC轉(zhuǎn)換器中的損耗。過去,降低RDS(ON)通常會以更高的柵極電荷做為折衷。但TrenchFET IV采用一種新的高密度設計,同時實現(xiàn)了優(yōu)化的柵極電荷水平和更低的RDS(ON)。
          • 關(guān)鍵字: TrenchFET  MOSFET  DC/DC  

          MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理

          • MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理,金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管
          • 關(guān)鍵字: mosfet  場效應管    

          通過可定制單芯片系統(tǒng)提高光伏逆變器的效率(上)

          • PV逆變器系統(tǒng)通常有兩個主要的組成部分:用于實施系統(tǒng)管理任務和控制算法的控制器,以及AC至DC轉(zhuǎn)換電路??刂破鞯奶匦匀Q于PV系統(tǒng)的類型和結(jié)構(gòu)以及功能需求。以下章節(jié)將更詳細地分析每個組成部分以及它們?nèi)绾斡绊懻w系統(tǒng)效率。
          • 關(guān)鍵字: PV系統(tǒng)  逆變器  MOSFET  光伏逆變器  

          采用具有最新超級結(jié)MOSFET的高功率因數(shù)反激式轉(zhuǎn)換器的LED照明解決方案

          • 隨著LED用于室內(nèi)照明解決方案日漸盛行,成本結(jié)構(gòu)已成為關(guān)鍵因素。簡單的反激式轉(zhuǎn)換器是實現(xiàn)低成本LED照明的最佳解決方案之一。然而,LED照明的開關(guān)電源仍要求高功率因數(shù)及高系統(tǒng)效率。為應對這一挑戰(zhàn),采用最新的功率器件至關(guān)重要。本文將介紹用作LED照明解決方案的全新集成控制器和高性能高壓超級結(jié)MOSFET。
          • 關(guān)鍵字: LED  MOSFET  DCM  

          討論在PFC中應用的新型超級結(jié)MOSFET器件的特點

          • 超級結(jié)(Super-Junction)MOSFET器件基于電荷平衡技術(shù),在減少導通電阻和寄生電容兩方面提供了出色的性能,這通...
          • 關(guān)鍵字: PFC  MOSFET  

          功率元器件應用秘訣,采用專用MOSFET提高效率

          • 新的MOSFET將瞄準多個市場,包括直流對直流(DC-DC)、離線交流對直流(AC-DC)、電機控制、不斷電系統(tǒng)(UPS)、太陽能逆 ...
          • 關(guān)鍵字: 功率元器件  MOSFET  效率  

          安森美半導體汽車音響及信息娛樂系統(tǒng)方案

          • 過去,汽車娛樂系統(tǒng)基本上指的就是音響系統(tǒng)。如今,越來越多消費領(lǐng)域的功能正逐步應用到汽車中,使得現(xiàn)代汽車信息娛樂系統(tǒng)已經(jīng)取代傳統(tǒng)的汽車娛樂系統(tǒng)。當今的汽車搭載了先進的信息娛樂系統(tǒng),包括導航、音響、遠程信息處理、緊急呼叫、USB、藍牙、SD卡、HDMI和視頻等。
          • 關(guān)鍵字: 安森美  MOSFET  LED  娛樂系統(tǒng)  

          Cypress PSoC 1在步進電機驅(qū)動器中的應用

          • 利用PSoC 1系列芯片中的可編程模擬單元可實現(xiàn)對步進電機的高細分數(shù)和精確的正弦波形控制。圖1為利用PSoC 1實現(xiàn)以上步進電機驅(qū)動器方案電路圖,只需一個芯片,就可實現(xiàn)可編程模擬電路,例如高速/低速比較器,DAC等功能模塊,以及可編程數(shù)字電路,并且利用芯片內(nèi)的模擬/數(shù)字總線非常方便靈活地進行互聯(lián)。
          • 關(guān)鍵字: PSoC  DAC  MOSFET  

          瑞薩電子宣布推出低通態(tài)電阻功率MOSFET

          • 全球領(lǐng)先的半導體及解決方案供應商瑞薩電子株式會社(TSE:6723)于日前宣布推出三種新型的低通態(tài)電阻 MOSFET 產(chǎn)品,包括在網(wǎng)絡服務器和存儲系統(tǒng)內(nèi)的電源裝置中作為ORing FET使用的 μPA2766T1A。
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩  MOSFET  

          恩智浦推出針對熱插拔應用的新一代功率MOSFET

          • 憑借在功率MOSFET領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼:NXPI)近日推出了其NextPower Live產(chǎn)品組合,設計出專門用于“熱插拔”環(huán)境的全新線性模式的功率MOSFET系列。NextPower Live系列同時提供出色的線性模式性能和極低的RDS(on)值,該獨特組合展示了恩智浦在該領(lǐng)域的技術(shù)能力。
          • 關(guān)鍵字: 恩智浦  MOSFET  NextPower  以太網(wǎng)  

          Microchip推出基于模擬的電源管理控制器

          • 全球領(lǐng)先的整合單片機、混合信號、模擬器件和閃存專利解決方案的供應商——Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布,推出全球第一款數(shù)字增強型電源模擬控制器MCP19111,它擴展了Microchip多元化的智能DC/DC電源轉(zhuǎn)換解決方案。此外,Microchip還宣布推出全新MCP87018、MCP87030、MCP87090和MCP87130,擴展其高速MOSFET系列。
          • 關(guān)鍵字: Microchip  控制器  MOSFET  

          IR推出全新300V功率MOSFET

          • 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列,可為各種高效工業(yè)應用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ,這些工業(yè)應用包括110V-120V交流電壓線性調(diào)節(jié)器和110V-120V交流電壓電源,以及直流-交流逆變器,如太陽能逆變器、不間斷電源 (UPS)等。
          • 關(guān)鍵字: IR  MOSFET  
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          mosfet-90n10介紹

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