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英飛凌第二財季扭虧為盈 凈利潤1.042億美元
- 據(jù)國外媒體報道，歐洲第二大芯片制造商英飛凌(Infineon Technologies AG)近日公布的財報顯示，結(jié)束于3月份的本財年第二財季凈利潤為7900萬歐元(約合1.042億美元)，去年同期虧損2.39億歐元;第二財季營收為 10億歐元，同比增長55%。 第二財季凈利潤好于分析師預(yù)期，營收與分析師預(yù)期相當(dāng)。據(jù)彭博社調(diào)查的分析師此前曾預(yù)計，該公司第二季度經(jīng)調(diào)整凈利潤7130萬歐元。第二財季為英飛凌連續(xù)第三季度實現(xiàn)盈利，而在那之前10個季度該公司累計虧損額高達39億歐元。 英飛凌上調(diào)了
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET
Vishay推出P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內(nèi)，這款20V器件提供業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET最低的導(dǎo)通電阻。 新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的首款芯片級產(chǎn)品。這種最先進的技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)超精細、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET所能實現(xiàn)的最低導(dǎo)通電阻減小了一半：在4.5V、2
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET TrenchFET
英飛凌與飛兆半導(dǎo)體達成功率MOSFET兼容協(xié)議
- 英飛凌科技股份公司與飛兆半導(dǎo)體公司近日宣布，兩家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 (Power33™)封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協(xié)議。 兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術(shù)，為3A至20A的DC-DC應(yīng)用提供非對稱MOSFET、雙MOSFET和單MOSFET。 英飛凌低壓MOSFET產(chǎn)品總監(jiān)兼產(chǎn)品線經(jīng)理Richard Kuncic表示：“我們的客戶將從功
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET 飛兆半導(dǎo)體
Maxim推出內(nèi)置28V MOSFET的雙向過流保護器
- Maxim推出內(nèi)置28V MOSFET的雙向過流保護器MAX14544/MAX14545，有效避免主機因過載故障和/或輸出過壓而損壞。器件本身的集成功能，結(jié)合開關(guān)斷開狀態(tài)下輸出端較高的耐壓能力，使其成為外設(shè)供電端口保護的理想選擇。目標(biāo)應(yīng)用包括：蜂窩電話、MID (移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)、電子書及其它外掛配件的便攜設(shè)備。 MAX14544/MAX14545的正向限流值可在200mA和400mA的工廠預(yù)置門限之間選擇，反向限流值設(shè)置為150mA。器件采用2mm x 2mm、8引腳TDFN無鉛封裝，工作在-
- 關(guān)鍵字： Maxim MOSFET 過流保護器
NXP發(fā)布以LFPAK為封裝全系列汽車功率MOSFET
- 恩智浦半導(dǎo)體(NXP?Semiconductors)近日成為首個發(fā)布以LFPAK為封裝(一種緊湊型熱增強無損耗的封裝)全系列汽車功率MOSFET的供應(yīng)商。結(jié)合了恩智浦在封裝技術(shù)及TrenchMOS技術(shù)方面的優(yōu)勢和經(jīng)驗，新的符合Q101標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)被認為是世界上高度可靠的功率SO-8封裝。LFPAK封裝針對高密度汽車應(yīng)用進行了優(yōu)化，其面積比DPAK封裝減小了46%而具有與DPAK封裝近似的熱性能。 隨著對電子應(yīng)用不斷增長的消費需求，汽車
- 關(guān)鍵字： NXP MOSFET LFPAK
飛兆半導(dǎo)體和英飛凌科技達成功率MOSFET兼容協(xié)議
- 全球領(lǐng)先的高性能功率和移動產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協(xié)議。 兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術(shù)，為3A至20A的DC-DC應(yīng)用提供非對稱、單一n溝道MOSFET。 飛兆半
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET DC-DC
飛兆半導(dǎo)體和英飛凌科技達成功率MOSFET兼容協(xié)議
- 全球領(lǐng)先的高性能功率和移動產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協(xié)議。 兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術(shù)，為3A至20A的DC-DC應(yīng)用提供非對稱、單一n溝道MOSFET。 飛兆半
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET
今年二季度半導(dǎo)體元件價格漲幅將超10%
- 據(jù)來自IC分銷渠道的消息人士透露，目前包括電源管理芯片(PWM)、金氧半場效晶體管(MOSFET)和DRAM在內(nèi)的大部分半導(dǎo)體元件供應(yīng)比較緊張，但是由于代工廠已經(jīng)在滿負荷運行，預(yù)計短期內(nèi)這種情況不會得到緩解。 據(jù)臺灣媒體報道，消息人士指出，預(yù)計在今年第二季度，半導(dǎo)體元件的價格漲幅將超過10%。在第一季度中，其價格已經(jīng)平均提高了5-10%。 另外，消息人士還表示，由于在第一季度NOR閃存芯片供應(yīng)不足，多芯片封裝(multi-chip package，MCP)價格漲幅最大，在今年余下幾個月中，
- 關(guān)鍵字： PWM MOSFET DRAM
設(shè)計更高能效、極低EMI準(zhǔn)諧振適配器
- 準(zhǔn)方波諧振轉(zhuǎn)換器也稱準(zhǔn)諧振(QR)轉(zhuǎn)換器，廣泛用于電源適配器。準(zhǔn)方波諧振的關(guān)鍵特征是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在漏極至源極電壓(VDS)達到其最低值時導(dǎo)通，從而減小開關(guān)損耗及改善電磁干擾(EMI)信號。 準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器采用不連續(xù)導(dǎo)電模式(DCM)工作時，VDS必須從輸入電壓(Vin)與反射電壓(Vreflect)之和降低到Vin。變壓器初級電感(Lp)與節(jié)點電容(Clump，即環(huán)繞MOSFET漏極節(jié)點的所有電容組合值，包括MOSFET電容和變壓器寄生電容等)構(gòu)成諧振網(wǎng)絡(luò)，Lp與C
- 關(guān)鍵字： 安森美 MOSFET 電源適配器 EMI
PI 推出創(chuàng)新的雙端子CAPZero系列IC
- 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出創(chuàng)新的雙端子CAPZero系列IC，該IC可對X電容自動進行放電，不僅能消除功率損耗，還可輕松滿足各項安全標(biāo)準(zhǔn)。 X電容通常位于電源的輸入端子之間，用于過濾EMI噪聲。由于它們可以在AC斷電后長時間貯存高壓電能，因此會構(gòu)成安全威脅。電阻通常用于對這些電容進行放電，以便滿足安全要求;但這些電阻會在AC接通后產(chǎn)生恒定的功率損耗，這是造成空載及待機輸入功耗的重要因素。 CAPZero與放電電容串聯(lián)
- 關(guān)鍵字： PI CAPZero MOSFET
IR 推出新型25V DirectFET 芯片組
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用 (包括服務(wù)器、臺式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技術(shù)，還具有業(yè)界領(lǐng)先的性能指數(shù) (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開關(guān)和熱特性，成為一個為高頻率 DC-DC 開
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET DirectFET 芯片組
安森美推出帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET
- 應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30 V產(chǎn)品。 NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時分別擁有2 毫歐(m?)、3 m?及5 m?的最大導(dǎo)通阻抗(RDS(on))值，針對降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的同步端而優(yōu)化，達致更高電源能效。典型門電荷(在4.5 V門極-源極電壓(Vgs)時)規(guī)格分別為39.6納庫侖(nC)、25.6 nC及1
- 關(guān)鍵字： 安森美 MOSFET 肖特基二極管
IR 推出具有低導(dǎo)通電阻的汽車用 MOSFET 系列
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系列，適用于需要低導(dǎo)通電阻的各種應(yīng)用，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機 (ISA) 泵和電機控制、DC-DC 轉(zhuǎn)換、電池開關(guān)，以及內(nèi)燃機 (ICE) 和混合動力汽車平臺的其它重載應(yīng)用。 新器件采用了 IR 經(jīng)過驗證的 Gen 10.2 技術(shù)，可提供低至 1.0 mΩ 的導(dǎo)通電阻 (最大) ，在各種表面貼裝器件 (SMD) 和通孔封裝上均可承受 24V 至
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Vishay Siliconix 推出新款500V N溝道功率MOSFET
- 日前，Vishay宣布推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開關(guān)速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓撲，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，柵極電荷為34nC。 SiHF8N50L-E3改善了反向恢復(fù)特性，從而能夠更好地抵御EMI，實現(xiàn)更高的效率，同時避免出現(xiàn)導(dǎo)致MOSFET燒毀的內(nèi)部體二極管恢復(fù)故障。 Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級，在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET
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