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	mosfet-90n10
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          ROHM開發(fā)出超低導通電阻的Nch MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 新推出40V～150V耐壓的共13款產品，非常適用于工業(yè)設備電源和各種電機驅動全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產品（40V/60V/80V/100V/150V），這些產品非常適合驅動以24V、36V、48V級電源供電的應用，例如基站和服務器用的電源、工業(yè)和消費電子設備用的電機等。近年來，全球電力需求量持續(xù)增長，如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題，這就要求不斷提高各種電機和基站、服務器等工業(yè)設備的工作
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          • 關鍵字：
                        ROHM  超低導通電阻  Nch MOSFET                          
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          Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達驅動、太陽能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應、直流對直流 (DC-DC) 轉換器和電動車 (EV) 電池充電器等應用，對更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達 37A) 的條件下運作，同時維持低導
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          • 關鍵字：
                        Diodes  碳化硅 MOSFET                          
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          基于Infineon S7 MOSFET 主動式電源整流方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 因應日趨嚴苛的能源效率規(guī)范，特別是像server power的應用，從白金效率甚至是鈦金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET，提供在靜態(tài)切換的應用場合，減少功率損耗以提升效率，特別是針對高輸出功率的產品設計。S7系列MOSFET應用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系統(tǒng)效率，與傳統(tǒng)bridge diode相比，在230Vac輸入時在50% load約可提高0.5%，而115Vac輸入時在50% load約可提高1%。利用JRC NJ393C OP比較器搭
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          • 關鍵字：
                        Infineon  S7 MOSFET  電源整流                          
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          同時實現(xiàn)業(yè)內出色低噪聲特性和超快反向恢復時間的600V耐壓Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS?”產品陣容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新產品，非常適用于冰箱和換氣扇等對低噪聲特性要求很高的小型電機驅動。近年來，全球電力供應日趨緊張，這就要求設備要更加節(jié)能。據(jù)了解，電機所需的電力占全球電力總需求的50%左右。因此，在電機驅動中擔負功率轉換工作的逆變電路，越來越多地開始采用高效率MOSFET。另一方面，針對使用MOSFET時所產生的噪聲，主要通過添加部件和改變
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          • 關鍵字：
                        超快反向恢復時間  Super Junction MOSFET  MOSFET                          
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          SiC MOSFET的短溝道效應
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能給大家?guī)砀嘤袃r值的信息。今天我們著重看下第一部分——短溝道效應。Si IGBT/MOSFET與SiC MOSFET，盡
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  MOSFET                          
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          正確選擇MOSFET以優(yōu)化電源效率
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 優(yōu)化電源設計以提高效率十分重要。提高效率不僅可以節(jié)省能源，減少熱量產生，還可以縮小電源尺寸。本文將討論如何平衡上管 MOSFET (HS-FET) 和下管MOSFET (LS-FET) 的數(shù)量比，以提高電源設計的效率。圖 1 顯示了一個具有 HS-FET 和 LS-FET 的簡化電路。圖 1：具有 HS-FET 和 LS-FET 的電路選擇 MOSFET 時，如何恰當分配 HS-FET 和 LS-FET 的內阻以獲得最佳效率，這對電源工程師來說是一項挑戰(zhàn)。 MOSFET的結構和損耗組成MOSFE
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          • 關鍵字：
                        MPS  MOSFET                          
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          ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業(yè)設備功率模塊系列 
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產品。該電源模塊系列包括驅動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應用）兩種產品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
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          • 關鍵字：
                        ROHM  SiC MOSFET  SiC SBD  Apex  工業(yè)設備功率模塊                           
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          Nexperia首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET
          
                                                            
            
                    	
          • 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專用MOSFET(ASFET)，該系列產品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強安全工作區(qū)(SOA)的特性。這些新型ASFET針對要求嚴格的熱插拔和軟啟動應用進行了全面優(yōu)化，可在175°C下工作，適用于先進的電信和計算設備。 憑借數(shù)十年開發(fā)先進晶圓和封裝解決方案所積累的專業(yè)知識，Nexperia推出的這款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N溝道ASFET）作為其產品組合中的首選，
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          • 關鍵字：
                        Nexperia  SMD  銅夾片  LFPAK88  MOSFET                          
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          [向寬禁帶演進]:您能跟上寬禁帶測試要求的步伐嗎?
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • _____碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來越高。在電氣方面，這些物質比硅和其他典型半導體材料更接近絕緣體。這些物質的采用旨在克服硅的局限性，而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料，所以會引發(fā)不良的導電性泄漏，且會隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導電率，相當于半導體運行失效。在這兩種寬禁帶材料中，GaN主要適合中低檔功率實現(xiàn)方案，大約在1 kV和100 A以下。GaN的一個顯著增長領域是它在LED照明中的應用，而且在汽車
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  IGBT                          
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          碳化硅MOSFET加速應用于光伏領域 增量市場需求望爆發(fā) 
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)報道，近年來，光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來越快。最近，又有兩家廠商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日，德國KATEK集團宣布，其Steca太陽能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導體的GeneSiC系列功率半導體，以提高效率，同時減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術，可以在高溫和高速下運行，壽命最多可延長3倍，適用于大功率和快速上市的應用。1月13日，美國制造商Brek Electronics開發(fā)了采
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          • 關鍵字：
                        SiC MOSFET                          
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          使用集成MOSFET限制電流的簡單方法
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中，必須防止電流過大，以便為電路提供可靠的保護。同樣在充電寶中，必須防止電池放電。放電電流過高會導致電池的壓降太大和下游設備的供電電壓不足。因此，通常需要將電流限制在一個特定值。大多數(shù)功率轉換器都有過流限制器，以保護其免受額外電流造成的損壞。在一些DC-DC轉換器中，甚至可以調整閾值。圖1. 每個端口輸出電流為1 A的充電寶中的電流限制。在圖1中，還可以使用具有內置甚至可調節(jié)限流器的DC-DC升壓轉換器。在這種情況下，無需額外的限流器模塊。不過，也有許多應
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          • 關鍵字：
                        ADI  MOSFET                          
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          Ameya360：平面MOSFET與超級結MOSFET區(qū)別 
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 今天,Ameya360給大家介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。因為接下來的幾篇將談超級結MOSFET相關的話題，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎上，根據(jù)其特征和特性對使用區(qū)分有個初步印象。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍?？梢钥闯觯琒i-MOSFET在這個比較中，導通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  超級結MOSFET                          
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          FPGA 和功率 MOSFET 缺貨現(xiàn)象下半年將持續(xù)
          
                                                            
            
                    	
          • 2023 年，半導體和電子元件價格正在穩(wěn)定，但仍有部分產品短缺。
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          • 關鍵字：
                        FPGA  MOSFET                          
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          詳解高效散熱的MOSFET頂部散熱封裝
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 電源應用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力，同時尺寸較小，從而有助于實現(xiàn)更緊湊的解決方案。盡管這些器件具有良好的功率能力，但有時散熱效果并不理想。由于器件的引線框架（包括裸露漏極焊盤）直接焊接到覆銅區(qū)，這導致熱量主要通過PCB進行傳播。而器件的其余部分均封閉在塑封料中，僅能通過空氣對流來散熱。因此，熱傳遞效率在很大程度上取決于電路板的特性：覆銅的面積大小、層數(shù)、厚度和布局。無論電路板是
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                        安森美  MOSFET                          
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          銀河微電：功率MOSFET器件已實現(xiàn)Clip Bond技術量產 
          
                                                            
            
                    	
          • 銀河微電12月20日在互動平臺表示，功率MOSFET器件已實現(xiàn)Clip Bond技術的量產；IPM模塊已完成一款封裝的量產，未來將根據(jù)市場情況逐步系列化；DFN0603無框架封裝已完成工藝驗證，性能指標符合開發(fā)目標要求；CSP0603封裝已完成技術開發(fā)，未來芯片線改擴建時將進行成果轉化。
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          • 關鍵字：
                        銀河微電  MOSFET                          
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