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非互補有源鉗位可實現(xiàn)超高功率密度反激式電源設計
- 離線反激式電源在變壓器初級側需要有鉗位電路（有時稱為緩沖器），以在正常工作期間功率MOSFET開關關斷時限制其兩端的漏源極電壓應力。設計鉗位電路時可以采用不同的方法。低成本的無源網(wǎng)絡可以有效地實現(xiàn)電壓鉗位，但在每個開關周期必須耗散鉗位能量，這會降低效率。一種改進的方法就是對鉗位和功率開關采用互補驅動的有源鉗位技術，使得能效得以提高，但它們會對電源的工作模式帶來限制（例如，無法工作于CCM工作模式）。為了克服互補有源鉗位電路所帶來的設計限制，可以采用另外一種更先進的控制技術，即非互補有源鉗位。該技術可確保以
- 關鍵字： MOSFET
擴展新應用領域，PI推出首款汽車級開關電源IC
- 2022年2月15日，Power Integrations召開新品發(fā)布會，推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關IC——InnoSwitch3-AQ 1700V。新產(chǎn)品是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級開關MOSFET的汽車級開關電源IC，可提供高達70W的輸出功率，主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車，以及電動巴士、卡車和各種工業(yè)電源應用。在ACDC消費類應用中積累了深厚經(jīng)驗的Power Integrations，此次將目光聚焦到電動汽車領域的ACDC應用上
- 關鍵字： PI MOSFET 電動汽車 ACDC 開關電源
英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET
- 高功率密度、出色的性能和易用性是當前電源系統(tǒng)設計的關鍵要求。為此，英飛凌科技股份公司近日推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應用中的設計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。該功率MOSFET采用PQFN 封裝，尺寸為3.3 x 3.3 mm2，支持從25 V到100 V的寬電壓范圍。此種封裝可實現(xiàn)更高的效率、更高的功率密度以及業(yè)內(nèi)領先的熱性能指標，并降低BOM成本，在功率MOSFET的性能方面樹立了新的行業(yè)標桿。該器件的應用領域十分廣泛，涵蓋電機驅
- 關鍵字： MOSFET
Power Integrations推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關IC
- InnoSwitch3產(chǎn)品系列陣容再度擴大，新器件不僅能顯著減少元件數(shù)量，還可大幅提高電動汽車和工業(yè)應用的效率
- 關鍵字： InnoSwitch?3-AQ 碳化硅 MOSFET 電動汽車 牽引逆變器
大功率電池供電設備逆變器板如何助力熱優(yōu)化
- 電池供電電機控制方案為設計人員帶來多項挑戰(zhàn)，例如，優(yōu)化印刷電路板熱性能目前仍是一項棘手且耗時的工作；現(xiàn)在，應用設計人員可以用現(xiàn)代電熱模擬器輕松縮短上市時間。
- 關鍵字： MOSFET
ROHM開發(fā)出45W輸出、內(nèi)置FET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC“BM2P06xMF-Z”
- 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）面向空調、白色家電、FA設備等配備交流電源的家電和工業(yè)設備領域，開發(fā)出內(nèi)置730V耐壓MOSFET*1的AC/DC轉換器*2IC“BM2P06xMF-Z系列（BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z）”。近年來，家電和工業(yè)設備領域的AC/DC轉換器，不僅要支持交流輸入85V～264V以處理世界各地的交流電壓，作為電源整體還要符合能效標準“Energy Star*3”和安全標準“IEC 62368”等，需要從國際視角構建電源系統(tǒng)。其
- 關鍵字： MOSFET
ADI浪涌抑制器——為產(chǎn)品的可靠運行保駕護航
- 一、復雜的電子環(huán)境汽車、工業(yè)和航空電子設備所處的供電環(huán)境非常復雜，在這種惡劣的供電環(huán)境中運行，需要具備對抗各種浪涌傷害的能力。以汽車電子系統(tǒng)供電應用為例，該系統(tǒng)不但需要滿足高可靠性要求，還需要應對相對不太穩(wěn)定的電池電壓，具有一定挑戰(zhàn)性；與車輛電池連接的電子和機械系統(tǒng)的差異性，也可能導致標稱12 V電源出現(xiàn)大幅電壓偏移。事實上，在一定時間段內(nèi)，12 V電源的變化范圍為–14 V至+35 V，且可能出現(xiàn)+150 V至–220 V的電壓峰值。這種很高的瞬態(tài)電壓在汽車和工業(yè)系統(tǒng)是常見的，可以持久從微秒到幾百毫秒，
- 關鍵字： MOSFET
使用氮化鎵(GaN)提高電源效率
- 如今，越來越多的設計者在各種應用中使用基于氮化鎵的反激式ac/dc電源。氮化鎵之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源尺寸，降低工作溫度。晶體管無論是由硅還是由氮化鎵制成，都不是理想的器件，使其效率下降的兩個主要因素（在一個簡化模型中）：一個是串聯(lián)阻抗，稱為rds(on)，另一個是并聯(lián)電容，稱為coss。這兩個晶體管參數(shù)限制了電源的性能。氮化鎵是一種新技術，設計者可以用它來降低由于晶體管特性的不同而對電源性能產(chǎn)生的影響。在所有晶體管中，隨著rds(on)的減小，管芯尺寸會增加，這會導
- 關鍵字： MOSFET
意法半導體推出第三代碳化硅產(chǎn)品，推動電動汽車和工業(yè)應用未來發(fā)展
- ※? ?意法半導體最新一代碳化硅 (SiC) 功率器件，提升了產(chǎn)品性能和可靠性，保持慣有領先地位，更加適合電動汽車和高能效工業(yè)應用※? ?持續(xù)長期投資 SiC市場，意法半導體迎接未來增長服務多重電子應用領域的全球半導體領導者意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)近日推出第三代STPOWER碳化硅 (SiC) MOSFET晶體管[1]，推進在電動汽車動力系統(tǒng)功率設備的前沿應用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性為重要目標的場景應用。作為 Si
- 關鍵字： MOSFET
CISSOID 和 Silicon Mobility 宣布推出新能源汽車緊湊及高效碳化硅逆變器，并以此體現(xiàn)其所建立的合作伙伴關系
- 高溫半導體和功率模塊方面的領導性企業(yè)CISSOID 公司，與技術領先的、為新能源汽車超快速和超高安全性實時控制提供現(xiàn)場可編程控制器單元（FPCU）半導體架構的發(fā)明者Silicon Mobility公司共同宣布： Silicon Mobility 的 OLEA? FPCU 控制器已與 CISSOID 的碳化硅（SiC） 智能功率模塊（IPM）平臺實現(xiàn)了集成，雙方攜手打造的這一全新高集成度平臺將加速用于電動汽車電機驅動的緊湊型高效碳化硅逆變器的開發(fā)。該合作伙伴關系將提供一個碳化硅逆變器的模塊化平臺，從而提供高
- 關鍵字： MOSFET
安森美發(fā)布高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列，應用于服務器和電信
- 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi)，近日發(fā)布新的600 V SUPERFETò V MOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿足嚴苛的能效規(guī)定，如80 PLUS Titanium，尤其是在極具挑戰(zhàn)性的10%負載條件下。600 V SUPERFET系列下的三個產(chǎn)品組--FAST、Easy Drive和FRFET經(jīng)過優(yōu)化，可在各種不同的應用和拓撲結構中提供領先同類的性能。600 V SUPERFET V系列提供出色的開關特性和較低的門極噪聲，從而降低電磁干擾（EMI），這對服務器和電信系統(tǒng)是
- 關鍵字： MOSFET
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