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ROHM開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻的第五代Pch MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出非常適用于FA和機(jī)器人等工業(yè)設(shè)備以及空調(diào)等消費(fèi)電子產(chǎn)品的共計(jì)24款Pch MOSFET*1/*2產(chǎn)品，其中包括支持24V輸入電壓的－40V和－60V耐壓?jiǎn)螛O型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和雙極型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。本系列產(chǎn)品作為ROHM擁有豐碩市場(chǎng)業(yè)績(jī)的Pch MOSFET產(chǎn)品，采用了第五代新微米工藝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低的單位面積導(dǎo)通電阻*3。－40
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Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經(jīng)十億個(gè)周期測(cè)試的可靠重復(fù)雪崩性能

半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天發(fā)布獲得AEC-Q101認(rèn)證的新重復(fù)雪崩專(zhuān)用FET (ASFET)產(chǎn)品組合，重點(diǎn)關(guān)注動(dòng)力系統(tǒng)應(yīng)用。該技術(shù)已通過(guò)十億個(gè)雪崩周期測(cè)試，可用于汽車(chē)感性負(fù)載控制，例如電磁閥和執(zhí)行器。除了提供更快的關(guān)斷時(shí)間（高達(dá)4倍）外，該技術(shù)還能通過(guò)減少BOM數(shù)量簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。在汽車(chē)動(dòng)力總成中的電磁閥和執(zhí)行器控制領(lǐng)域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續(xù)流二極管或主動(dòng)鉗位拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行構(gòu)建。第四個(gè)選擇是重復(fù)雪崩設(shè)計(jì)，利用MOSFET的重復(fù)雪崩能力來(lái)泄放在其關(guān)
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簡(jiǎn)化汽車(chē)車(chē)身電機(jī)控制器設(shè)計(jì)，快速實(shí)現(xiàn)輕量化

無(wú)論是調(diào)整座椅至最佳位置還是能夠輕松打開(kāi)行李箱，車(chē)身電子設(shè)備系統(tǒng)都可使用電機(jī)來(lái)提高駕乘人員的舒適性和便利性。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）控制這些應(yīng)用的電動(dòng)裝置。但將MOSFET用作開(kāi)關(guān)給電子控制模塊設(shè)計(jì)（包括電磁干擾（EMI）和熱管理、電流感應(yīng)、斷電制動(dòng)以及診斷與保護(hù)）帶來(lái)了新的技術(shù)性挑戰(zhàn)。德州儀器開(kāi)發(fā)的集成電路（IC）電機(jī)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品集成了模擬功能，可幫助電子控制模塊設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，同時(shí)減小解決方案尺寸并縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間。本文中，我們將討論可幫助應(yīng)對(duì)這些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)、集成到電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路中
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照明的光明未來(lái)

要有（電）燈！但誰(shuí)負(fù)責(zé)點(diǎn)亮呢？有許多人聲稱(chēng)自己是電燈的發(fā)明者，在19世紀(jì)中葉的許多發(fā)展為世界變得更亮一點(diǎn)鋪平了道路。我們可能無(wú)法查明確切的“發(fā)現(xiàn)”！但我們知道的是，1879年，托馬斯·愛(ài)迪生（Thomas Edison）申請(qǐng)了第一個(gè)商業(yè)上成功的帶有碳化竹絲的電燈泡專(zhuān)利[[1]]。除了細(xì)絲材料的微小改進(jìn)，包括20世紀(jì)初期從碳到鎢的轉(zhuǎn)變，我們從那時(shí)起直到最近基本上一直在使用愛(ài)迪生的古老技術(shù)。白熾燈泡迅速普及，提供了低成本和高質(zhì)量的照明。但在過(guò)去的一二十年中，照明技術(shù)發(fā)生了根本性的變化，在大多數(shù)住宅和商業(yè)設(shè)施中
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三安集成完成碳化硅MOSFET量產(chǎn)平臺(tái)打造，貫通碳化硅器件產(chǎn)品線

中國(guó)化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈制造平臺(tái) -- 三安集成于日前宣布，已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺(tái)的打造。首發(fā)1200V 80mΩ產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過(guò)一系列產(chǎn)品性能和可靠性測(cè)試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開(kāi)關(guān)電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域，有助于減小系統(tǒng)體積，降低系統(tǒng)功耗，提升電源系統(tǒng)功率密度。目前多家客戶處于樣品測(cè)試階段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET隨著中
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占空比的上限

開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器使用占空比來(lái)實(shí)現(xiàn)電壓或電流反饋控制。占空比是指導(dǎo)通時(shí)間(TON)與整個(gè)周期時(shí)長(zhǎng)（關(guān)斷時(shí)間(TOFF)加上導(dǎo)通時(shí)間）之比，定義了輸入電壓和輸出電壓之間的簡(jiǎn)單關(guān)系。更準(zhǔn)確的計(jì)算可能還需要考慮其他因素，但在以下這些說(shuō)明中，這些并不是決定性因素。開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的占空比由各自的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器拓?fù)錄Q定。降壓型（降壓）轉(zhuǎn)換器具有占空比D，D = 輸出電壓/輸入電壓，如圖1所示。對(duì)于升壓型（升壓）轉(zhuǎn)換器，占空比D = 1 –（輸入電壓/輸出電壓）。這些關(guān)系僅適用于連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)。在這個(gè)模式下，電感電流在時(shí)間段T
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iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計(jì)中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來(lái)諸多優(yōu)勢(shì)

大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長(zhǎng)，因此高效AC/DC電源對(duì)于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。但是，電力電子行業(yè)中的硅MOSFET已達(dá)到其理論極限。同時(shí)，近來(lái)氮化鎵(GaN)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開(kāi)關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢(shì)，需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。GaN晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET要快得多，并可降低開(kāi)關(guān)損耗，原因在于：■? ?較低的漏源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON))可實(shí)現(xiàn)更高的電流操作，從
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應(yīng)用筆記140 - 第3/3部分：開(kāi)關(guān)電源組件的設(shè)計(jì)考慮因素

開(kāi)關(guān)頻率優(yōu)化一般來(lái)講，開(kāi)關(guān)頻率越高，輸出濾波器元件L和CO的尺寸越小。因此，可減小電源的尺寸，降低其成本。帶寬更高也可以改進(jìn)負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。但是，開(kāi)關(guān)頻率更高也意味著與交流相關(guān)的功率損耗更高，這需要更大的電路板空間或散熱器來(lái)限制熱應(yīng)力。目前，對(duì)于 ≥10A的輸出電流應(yīng)用，大多數(shù)降壓型電源的工作頻率范圍為100kHz至1MHz ~ 2MHz。對(duì)于<10A的負(fù)載電流，開(kāi)關(guān)頻率可高達(dá)幾MHz。每個(gè)設(shè)計(jì)的最優(yōu)頻率都是通過(guò)仔細(xì)權(quán)衡尺寸、成本、效率和其他性能參數(shù)實(shí)現(xiàn)的。輸出電感選擇在同步降壓轉(zhuǎn)換器中，電感峰峰值
關(guān)鍵字： MOSFET DCE ESR MLCC

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）最新推出 100 V eGaNFET產(chǎn)品,為業(yè)界樹(shù)立全新性能基準(zhǔn)

增強(qiáng)型硅基氮化鎵（eGaN）功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）最新推出的兩款100 V eGaN FET（EPC2218及EPC2204），性能更高并且成本更低，可立即發(fā)貨。采用這些先進(jìn)氮化鎵器件的應(yīng)用非常廣，包括同步整流器、D類(lèi)音頻放大器、汽車(chē)信息娛樂(lè)系統(tǒng)、DC/DC轉(zhuǎn)換器（硬開(kāi)關(guān)和諧振式）和面向全自動(dòng)駕駛汽車(chē)、機(jī)械人及無(wú)人機(jī)的激光雷達(dá)系統(tǒng)。EPC2218（3.2 mΩ、231 Apulsed）和EPC2204（6 mΩ、125 Apulsed）比前代eGaN FET的導(dǎo)
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應(yīng)用筆記140 第2/3部分 - 開(kāi)關(guān)模式電源基礎(chǔ)知識(shí)

為何使用開(kāi)關(guān)模式電源？顯然是高效率。在SMPS中，晶體管在開(kāi)關(guān)模式而非線性模式下運(yùn)行。這意味著，當(dāng)晶體管導(dǎo)通并傳導(dǎo)電流時(shí)，電源路徑上的壓降最小。當(dāng)晶體管關(guān)斷并阻止高電壓時(shí)，電源路徑中幾乎沒(méi)有電流。因此，半導(dǎo)體晶體管就像一個(gè)理想的開(kāi)關(guān)。晶體管中的功率損耗可減至最小。高效率、低功耗和高功率密度（小尺寸）是設(shè)計(jì)人員使用SMPS而不是線性穩(wěn)壓器或LDO的主要原因，特別是在高電流應(yīng)用中。例如，如今12VIN、3.3VOUT開(kāi)關(guān)模式同步降壓電源通常可實(shí)現(xiàn)90%以上的效率，而線性穩(wěn)壓器的效率不到27.5%。這意味著功率
關(guān)鍵字： MOSFET

TrenchFET器件典型RDS(ON)為 61 mΩ，優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2

日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布，推出新型200V n溝道MOSFET--- SiSS94DN ，器件采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下典型導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的61 mΩ。同時(shí)，經(jīng)過(guò)改進(jìn)的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開(kāi)關(guān)應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為854 mΩ*nC。節(jié)省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN 專(zhuān)門(mén)用來(lái)提高功率密度，占位面積比采
關(guān)鍵字： MOSFET FOM

健康催生可穿戴多功能需求

可穿戴設(shè)備廣泛用于娛樂(lè)、運(yùn)動(dòng)和醫(yī)療健康等領(lǐng)域，作為把多媒體、傳感器和無(wú)線通信等技術(shù)嵌入人們的衣著或配件的設(shè)備，可支持手勢(shì)和眼動(dòng)操作等多種交互方式。作為消費(fèi)電子業(yè)面臨的又一個(gè)新發(fā)展機(jī)遇，可穿戴設(shè)備經(jīng)歷了前些年從概念火爆到實(shí)際產(chǎn)品大量普及的過(guò)程之后，行業(yè)前景一直穩(wěn)步成長(zhǎng)。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2019年全球可穿戴技術(shù)產(chǎn)品市場(chǎng)的規(guī)模超過(guò)了500億美元，是2014年的2倍以上，可以說(shuō)可穿戴設(shè)備已成為過(guò)去5年來(lái)消費(fèi)電子領(lǐng)域最成功的市場(chǎng)之一。1? ?市場(chǎng)需求持續(xù)爆發(fā)雖然2020年全球經(jīng)歷了嚴(yán)重的新冠疫情影響，部
關(guān)鍵字： MOSFET VR MR CGM IDC 202009

ROHM為新基建帶來(lái)的功率器件和電源產(chǎn)品

1 無(wú)線基站羅姆（ROHM）針對(duì)無(wú)線基站推出了多款解決方案，包括一系列高耐壓MOSFET和高效率DC/DC轉(zhuǎn)換器等，有助于降低功耗。?SiC MOSFET具有高耐壓、高速開(kāi)關(guān)、低導(dǎo)通電阻的特性，即使在高溫環(huán)境下也能顯示出色的電器特性，有助于大幅降低開(kāi)關(guān)損耗和周邊零部件的小型化。羅姆備有650V、1200V、1700V SiC?MOSFET產(chǎn)品。其中，第3代溝槽柵型SiC MOSFET?SCT3系列有650?V和1?200?V的六款產(chǎn)品，特點(diǎn)是導(dǎo)通
關(guān)鍵字：耐高壓 MOSFET DC/DC 202009

有助于減輕激光光源電路的設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)并提高測(cè)距精度

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日確立了一項(xiàng)VCSEL*1模塊技術(shù)，該技術(shù)通過(guò)提高VCSEL的輸出功率，進(jìn)一步提高了空間識(shí)別和測(cè)距系統(tǒng)（TOF系統(tǒng)*2）的精度。以往采用VCSEL的激光光源中，作為光源的VCSEL產(chǎn)品和用來(lái)驅(qū)動(dòng)光源的MOSFET產(chǎn)品在電路板上是獨(dú)立貼裝的。在這種情況下，產(chǎn)品之間的布線長(zhǎng)度（寄生電感*3）無(wú)意中會(huì)影響光源的驅(qū)動(dòng)時(shí)間和輸出功率，這就對(duì)實(shí)現(xiàn)高精度感應(yīng)所需的短脈沖大功率光源帶來(lái)了局限性。ROHM此項(xiàng)新技術(shù)的確立，將新VCSEL元件和MOSFET元件集成于1個(gè)模塊
關(guān)鍵字： MOSFET VCSEL TOF AGV

內(nèi)置高壓MOS管和高壓?jiǎn)?dòng)的AC/DC電源控制芯片

一、芯片介紹繼推出5W和20W的開(kāi)關(guān)電源控制IC后，為滿足客戶對(duì)更多功率段的需求，金升陽(yáng)推出內(nèi)置高壓MOS管和高壓?jiǎn)?dòng)的AC/DC電源控制芯片——SCM1738ASA。SCM1738ASA是一款內(nèi)置高壓MOS 管功率開(kāi)關(guān)的原邊控制開(kāi)關(guān)電源（PSR），采用PFM 調(diào)頻技術(shù)，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環(huán)路，穩(wěn)定性和平均效率非常高。由于集成高壓?jiǎn)?dòng)，可以省去外圍的啟動(dòng)電阻，實(shí)現(xiàn)低損耗可靠啟動(dòng)。同時(shí)，該芯片具有可調(diào)節(jié)線性補(bǔ)償功能和內(nèi)置峰值電流補(bǔ)償功能，輸出功率最大可達(dá)8W。二、產(chǎn)品應(yīng)用可廣泛應(yīng)用于AC
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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類(lèi)比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]