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SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個機型，產品陣容豐富且支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101

　　全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個機型，該系列產品支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※2)，而且產品陣容豐富，擁有13個機型?！　OHM于2010年在全球率先成功實現(xiàn)SiC MOSFET的量產，在SiC功率元器件領域，ROHM始終在推動領先的產品開發(fā)和量產體制構建。在需求不斷擴大的車載市場，ROHM也及時確立車載品質，并于2012年開始供應車載充電器用的SiC肖特
關鍵字： ROHM SiC MOSFET

安森美半導體推出新的工業(yè)級和符合車規(guī)的SiC MOSFET，補足成長的生態(tài)系統(tǒng)，并為迅速增長的應用帶來寬禁帶性能的優(yōu)勢

　　2019年3月19日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，推出了兩款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工業(yè)級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級NVHL080N120SC1把寬禁帶技術的使能、廣泛性能優(yōu)勢帶到重要的高增長終端應用領域如汽車DC-DC、電動汽車車載充電機、太陽能、不間斷電源及服務器電源?！　∵@標志著安森美半導體壯大其全面且不斷成長的SiC 生態(tài)系統(tǒng)，包括SiC二極管和SiC驅動器等互補器件，以及
關鍵字：安森美 MOSFET

600V 超級結MOSFET “PrestoMOS”系列產品助力變頻空調節(jié)能

　　全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產品，在保持極快反向恢復時間(trr※1))的同時，提高設計靈活度，非常適用于空調、冰箱等白色家電的電機驅動以及EV充電樁。近日，該系列產品群又新增了“R60xxJNx系列”共30種機型?！　〈舜伍_發(fā)的新系列產品與以往產品同樣利用了ROHM獨有的壽命控制技術，實現(xiàn)了極快的反向恢復時間(trr)。與IGBT相比，輕負載時的功耗成功減少了58%左右。另外，通過提高導通MOSFET所需要的電壓水
關鍵字： ROHM MOSFET

Diodes 公司的雙極晶體管采用 3.3mm x 3.3mm 封裝并提供更高的功率密度

　　Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 為領先業(yè)界的高質量應用特定標準產品全球制造商與供貨商，產品涵蓋廣泛領域，包括獨立、邏輯、模擬及混合訊號半導體市場。公司推出 NPN 與 PNP 功率雙極晶體管，采用小尺寸封裝 (3.3mm x 3.3mm)，可為需要高達 100V 與 3A 的應用提供更高的功率密度。新款 NPN 與 PNP 晶體管的尺寸較小，可在閘極驅動功率 MOSFET 與 IGBT、線性 DC-DC 降壓穩(wěn)壓器、PNP LDO 及負載開關電路，提供更高的功率密度設計?！?/li>
關鍵字： Diodes MOSFET

Vishay攜最新MOSFET、IC、無源器件和二極管技術亮相APEC 2019

　　2019年3月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將在3月17日-21日于加利福尼亞州阿納海姆(Anaheim，California)舉行的2019年國際應用電力電子展會(APEC)上展示其強大產品陣容。Vishay展位設在411展臺，將展示適用于廣泛應用領域的最新業(yè)內領先功率IC、無源器件、二極管和MOSFET技術?！　≡贏PEC 2019上展示的Vishay Siliconix電源IC包括SiC9xx microBR
關鍵字： Vishay MOSFET

滿足新能源汽車應用的SiC MOSFET系列產品

　　世紀金光是國內首家貫通碳化硅全產業(yè)鏈的綜合半導體企業(yè)。產品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導體材料全產業(yè)鏈，包括：電子級碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應用，形成了較為完整的產業(yè)鏈體系，正在大力進行垂直整合，全面推進從產業(yè)源頭到末端的全鏈貫通?！　≈饕獞谩　高效服務器電源 w新能源汽車 w充電樁充電模組　　w光伏逆變器 w工業(yè)電機 w智能電網(wǎng) w航空航天　　SiC MOSFET系列　　產品覆蓋額定電壓650-1200V，額定電流30-92A，可滿足多
關鍵字：新能源汽車 MOSFET

碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
關鍵字：碳化硅(SiC)MOSFET 短路熱模型

Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅動器，可最大程度提高效率及安全性

　　深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門極驅動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。新品件經過設定后可支持不同的門極驅動電壓，來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅動器、電焊機和電源?！　IC1182K可在125°C結溫下提供8
關鍵字： Power Integrations SiC-MOSFET

貿澤開售STMicroelectronics MDmesh M6高效超結MOSFET

　　專注于引入新品的全球半導體與電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨STMicroelectronics (ST) 的MDmesh? M6系列超結晶體管。MDmesh M6系列MOSFET針對提高中等功率諧振軟開關和硬開關轉換器拓撲能效而設計，可提高電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅動器、電信和服務器電源以及太陽能微型逆變器等設備的功率密度?！　≠Q澤電子供應的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效，從而增加功率密度。該系列
關鍵字：貿澤 STMicroelectronics MOSFET

Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驅動器，提高逆變器級工作效率

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅動器---VOD3120A，擴展其光電產品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級工作效率?！　∪涨鞍l(fā)布的光耦采用CMOS技術，含有集成電路與軌到軌輸出級光學耦合的AIGaAs LED，為門控設備提供所需驅動電壓。VOD3120電壓和電流使
關鍵字： Vishay MOSFET

Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能達到業(yè)內最佳水平

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源應用提供高效解決方案，同時，柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導通電阻乘積在同類器件中達到業(yè)內最低水平，該參數(shù)是600 V MOSFET在功率轉換應用中的關鍵指標 (FOM)?！　ishay
關鍵字： Vishay MOSFET

穩(wěn)健的汽車40V 功率MOSFET提高汽車安全性

　　Filippo, Scrimizzi, 意法半導體, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com　　Giuseppe, Longo, 意法半導體, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com　　Giusy, Gambino, 意法半導體s, 意大利, giusy.gambino@st.com　　摘要　　意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機械、環(huán)境和電氣要求。這些機電系統(tǒng)
關鍵字：意法半導體 MOSFET

Vishay業(yè)界領先車規(guī)產品將在2019 Automotive World日本展上悉數(shù)亮相

　　2019年1月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將在1月16日-18日于東京有明國際展覽中心舉行的2019 Automotive World日本國際汽車展上，展示其全面豐富的車規(guī)產品。Vishay展位設在東5號館E47-40，以“Think Automotive, Think Vishay”為主題展示各種車規(guī)產品，包括符合并優(yōu)于AECQ認證標準的電容器、電阻器、電感器、二極管、MOSFET和光電產品?！　ishay亞
關鍵字： Vishay 轉換器 MOSFET

意法半導體高效超結MOSFET瞄準節(jié)能型功率轉換拓撲

　　意法半導體推出MDmesh?系列600V超結晶體管，該產品針對提高中等功率諧振軟開關和硬開關轉換器拓撲能效而設計?！　♂槍涢_關技術優(yōu)化的閾值電壓使新型晶體管非常適用于節(jié)能應用中的LLC諧振轉換器和升壓PFC轉換器。電容電壓曲線有助于提高輕載能效，最低16 nC的柵極電荷量(Qg)可實現(xiàn)高開關頻率，這兩個優(yōu)點讓MDmesh M6器件在硬開關拓撲結構中也有良好的能效表現(xiàn)?！　〈送?，意法半導體最先進的M6超結技術將RDS(ON)電阻降至0.036?，有助于電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅
關鍵字：意法半導體 MOSFET

高功率單片式 Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器滿足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并適合狹小的安放空間

　　隨著汽車中電子系統(tǒng)數(shù)量的成倍增加，車內產生電磁干擾的風險也大幅升高了。因此，新式車輛中的電子產品常常必須符合 CISPR 25 Class 5 EMI 測試標準，該標準對傳導型和輻射型 EMI 發(fā)射做了嚴格的限制。由于其本身的性質，開關電源充斥著 EMI，并在整個汽車中“彌漫擴散”。如今，低 EMI 與小的解決方案尺寸、高效率、散熱能力、堅固性和易用性一起，成為了對汽車電源的一項關鍵要求。Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器系列可滿足汽車制造商嚴格的 EMI 要求，同時擁有緊湊的尺寸以及集成化
關鍵字： MOSFET，LT8650S

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]