- 精華！兼容路創(chuàng)和Leviton調光器的LED燈絲燈解決方案-晶豐明源BP3216燈絲燈可控硅調光方案解決三大LED燈絲燈調光難題，BP3216內部集成MOSFET，體積小，特別適合燈絲燈的應用；采用源極驅動，DCMB的控制方式，沒有二極管反向恢復，開關損耗小。P3216系列芯片內部集成不同耐壓的MOSFET，可以滿足不同功率輸出的要求。
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MOSFET 可控硅調光 LED燈絲燈
- 導入柵極屏蔽結構 溝槽式MOSFET功耗銳減-更高系統(tǒng)效率和功率密度，是現今數據和電信電源系統(tǒng)設計的首要目標。為達此一目的，半導體開發(fā)商研發(fā)出采用柵極屏蔽結構的新一代溝槽式金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET），可顯著降低全負載及輕負載時的功率損耗。
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MOSFET 柵極屏蔽 快捷半導體
- 為反向極性保護設計一個電路-反向極性解決方案被看成是一個迫不得已、不得不做的事情。例如，在汽車系統(tǒng)中，搭線啟動期間，防止電池反接或者電纜反向連接很重要，然而系統(tǒng)設計人員也必須忍受反向極性保護出現時的功率損耗。
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汽車電池 反向極性保護 二極管 MOSFET
- 有刷直流柵極驅動器的演變-回望在電子產品領域奮戰(zhàn)的20年，我們已走過了漫漫長路。2015年正發(fā)布的組件具有無與倫比的精細度和集成度。處理器速度更快，發(fā)光二極管（LED）亮度更高，存儲器密度更大，每樣東西的功耗都更低，并且集成電路（IC）集成了比以往任何時候都多的組件。
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MOSFET 柵極驅動器 集成電路
- 模塊電源的散熱應對措施- 本篇文章以實例為基準，分析一個設計方案中的模塊電源散熱問題。本文的中的模塊采用100W，Vin24VVout5V，采用單管正激電路，使用的是UC3843B芯片控制，沒有采用有源嵌位和同步整流，工作頻率為300KHZ。
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MOSFET 二極管 模塊電源
- 基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案-隔離電源模塊可以高效解決各種端口干擾，開關芯片轉換出各種系統(tǒng)所需電壓，LDO給MCU處理器提供穩(wěn)定可靠的電能。電源模塊與芯片方案需要互助互補，各取所長才能共建一個良好的系統(tǒng)供電環(huán)境，同時開啟它們的共贏之路。
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MPS模塊 MOSFET LDO DC-DC
- Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護領域的領先企業(yè)，今日宣布推出了首個碳化硅(SiC)MOSFET產品系列，成為該公司不斷擴充的功率半導體產品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽的碳化硅技術開發(fā)公司Monolith Semiconductor Inc.，向成為功率半導體行業(yè)的領軍企業(yè)再邁出堅定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導通電阻(80m?)，是雙方聯手推出的首款由內部設計、開發(fā)和生產的
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Littelfuse MOSFET
- 利用單個反饋源實現任意量級偏置電流網絡-假設須要生成一些任意數量（以N為例）的電流沉/源（current sink/source），而每個電流沉/源的大小任意，可能須要針對不同階段的一些復雜模擬電路進行偏置。雖然基準電壓的生成僅須一次實施即可，電流沉整個反饋部分的重復進行卻使成本與設計空間密集化。
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模擬電路 MOSFET
- 采用自舉升壓結構設計雙電壓mosfet驅動電路-自舉升壓電路的原理圖如圖1所示。所謂的自舉升壓原理就是，在輸入端IN輸入一個方波信號，利用電容Cboot將A點電壓抬升至高于VDD的電平，這樣就可以在B端輸出一個與輸入信號反相，且高電平高于VDD的方波信號。具體工作原理如下：
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mosfet 驅動電路
- 功率mos管工作原理與幾種常見驅動電路圖-本文介紹功率mosfet工作原理、幾種常見的mosfet驅動電路設計，功率mosfet驅動電路原理圖。
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驅動電路 mosfet 電路圖
- MOSFET 安全工作區(qū)對實現穩(wěn)固熱插拔應用的意義所在-即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調整容量時，任務關鍵的伺服器和通信設備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現連接火花、背板供電干擾和電路板卡復位等問題?？刂破?IC 驅動與插入電路板之電源相串聯的功率 MOSFET 開關 （圖 1）。電路板插入后，MOSFET 開關緩慢接通，這樣，流入的浪涌電流對負載電容充電時能夠保持在安全水平。
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mosfet linear
- 摘要 本文評測了主開關采用意法半導體新產品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結果證明，新SiC碳化硅開關管提升了開關性能標桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對市場上現有系統(tǒng)設計影響較大?！ ∏把浴 ∈袌鰧﹂_關速度、功率、機械應力和熱應力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限?！ 拵栋雽w器件因電、熱、機械等各項性能表現俱佳而被業(yè)界看好，被認為是硅半導體器件的替代技術。在這些新材料中，兼容硅
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MOSFET SiC
- 用GaN重新考慮功率密度-電力電子世界在1959年取得突破，當時Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實驗室發(fā)明了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產，從那時起，幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現了雙極性早期產品不可能實現的性能和密度級別。
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mosfet 氮化鎵 pfc
- 什么是同步整流器？開關MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何？-同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET，來取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓。
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整流器 mosfet 二極管
- 平面式高壓MOSFET的結構
圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡單結構。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷，這會增加開關損耗和成本。另外還存在對于總硅片電阻能夠達到多低的限制。器件的總RDS(on)可表示為通道、epi和襯底三個分量之和：
RDS(on) = Rch + Repi + Rsub
圖1：傳統(tǒng)平面式MOSF
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MOSFET 超級結
mosfet介紹
金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [
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