nand 閃存 文章 進入nand 閃存技術(shù)社區(qū)
恒憶聯(lián)合群聯(lián)電子海力士開發(fā)閃存控制器
- 恒憶半導體(Numonyx)、群聯(lián)電子(Phison Electronics Corp.)和海力士(Hynix)今天宣布三家公司簽署一份合作開發(fā)協(xié)議，三方將按照JEDEC新發(fā)布的JEDEC eMMC™ 4.4產(chǎn)業(yè)標準，為下一代managed-NAND解決方案開發(fā)閃存控制器。 預計此項合作將加快當前業(yè)內(nèi)最先進的eMMC標準的推廣，有助于管理和簡化大容量存儲需求，提高無線設(shè)備和嵌入式應用的整個系統(tǒng)級性能。 根據(jù)這項協(xié)議，恒憶、群聯(lián)電子和海力士將利用各自的技術(shù)，開發(fā)能夠支持各種NAND閃存
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內(nèi)存行業(yè)或已觸底 現(xiàn)貨漲價但復蘇道路漫長
- 《華爾街日報》撰文稱，從上周末三星和海力士發(fā)布的財報可以看出，內(nèi)存芯片行業(yè)似乎已經(jīng)觸底，這對整個半導體行業(yè)來說是一個積極的信號。 雖然內(nèi)存芯片行業(yè)收入只占全球半導體行業(yè)2600億美元總收入的14%，但作為使用廣泛的芯片，其地位類似芯片行業(yè)中的日用商品，很難與其他芯片部門區(qū)分開來，因此是芯片行業(yè)整體表現(xiàn)的主要指標。內(nèi)存行業(yè)下滑開始于2007年初，隨后芯片行業(yè)在2008年就開始了全面衰退。 上周五，兩家全球最大的內(nèi)存芯片商三星電子和海力士都在發(fā)布第一季度報告時稱，與芯片有關(guān)的虧損低于上年同期。
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東芝全球首家出貨32nm工藝閃存
- 東芝昨天宣布，于業(yè)界首家開始出貨32nm工藝NAND閃存顆粒。其中，全球首顆32nm工藝32Gb(4GB)NAND單芯片樣品即日起出貨，主流容量16Gb(2GB)顆粒樣品將于今年7月推出。東芝表示，首批32nm NAND閃存將主要用于存儲卡和USB存儲設(shè)備，未來會擴展到嵌入式產(chǎn)品領(lǐng)域。 目前，東芝是全球領(lǐng)先的32GB閃存供應商，使用8顆43nm工藝32Gb顆粒堆疊而成。而32nm工藝的應用將進一步提高生產(chǎn)效率，減小芯片體積，適應更高容量，更小巧的掌上產(chǎn)品需求。 東芝的32nm工藝32Gb
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iSuppli：存儲芯片市場恢復盈利還為時過早
- 在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調(diào)潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內(nèi)存芯片價格將在2009年剩余時間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。 繼 在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調(diào)潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內(nèi)存芯片價格將在2009年剩余時間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。
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TDK推出兼容串行ATA II的GBDriver RS2系列NAND閃存控制器
- TDK公司日前宣布開發(fā)出兼容串行ATA (SATA) II的NAND閃存控制器芯片GBDriver RS2 系列，并計劃于五月份開始銷售。 TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率達95MB/S的高速訪問。該產(chǎn)品支持2KB/頁和4KB/頁結(jié)構(gòu)的SLC(單層單元)內(nèi)存以及MLC(多層單元)NAND閃存，可用于制造容量為128MB至64GB的高速SATA存儲。因而，GBDriver RS2可廣泛用于各種應用領(lǐng)域，從SATADOM1及其他的嵌入式存儲器，到視聽設(shè)
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內(nèi)存晴雨表：聲稱內(nèi)存市場復蘇的報告過于夸張
- 在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調(diào)潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內(nèi)存芯片價格將在2009年剩余時間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。 繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產(chǎn)品市場將在今年剩余時間內(nèi)增長。第二季度DRAM與NAND閃存營業(yè)收入合計將增長3.6%，第三和第四季度分別增長21.9%和17.5%。 圖4所示為iSuppli公
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集邦：海力士大幅減產(chǎn)NAND 將由第三位滑落至第五位
- 針對NAND閃存產(chǎn)業(yè)，研究機構(gòu)集邦科技最新研究報告指出，三星可望穩(wěn)居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產(chǎn)，市場占有率恐將下滑剩下10%，落居第5名。 集邦科技根據(jù)各NAND Flash供貨商目前的制程技術(shù)、產(chǎn)能、營運狀況分析指出，三星因擁有較大產(chǎn)能，同時制程持續(xù)轉(zhuǎn)往42納米及3x納米，預期今年市占率 40%以上居冠，日本東芝與美商SanDisk聯(lián)盟的產(chǎn)能利用率略降，但制程技術(shù)也將轉(zhuǎn)往 43納米及32納米，預期東芝今年的市場占有率約在30%以上居次。 集邦科技表示，市場占有率第三和第
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恒憶推出針對汽車和嵌入式應用的工作電壓為5伏的NOR閃存
- 恒憶近日宣布公司正在擴展其主流NOR閃存產(chǎn)品線，其中包括恒憶™ Axcell™ M29F閃存產(chǎn)品。此器件工作電壓為5伏，非常適合汽車和嵌入式應用。該款NOR閃存的密度為16Mb、8 Mb、4 Mb及2 Mb，具有快速存儲執(zhí)行、靈活及穩(wěn)定等特性，適合于汽車、軍工、工廠自動化及航天應用。 汽車及嵌入式應用需要高質(zhì)量、高可靠性及高穩(wěn)定性的器件供給——有些要求達5年，或甚至更長。然而，大多數(shù)存儲器供應商趨于最新更新的技術(shù)，這些關(guān)鍵產(chǎn)品生產(chǎn)通常會斷斷續(xù)續(xù)，這
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三維NAND內(nèi)存技術(shù)將讓固態(tài)存儲看到希望
- IBM的技術(shù)專家Geoff Burr曾說過，如果數(shù)據(jù)中心的占地空間象足球場那么大，而且還要配備自己的發(fā)電廠的話，那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢。然而，如果首席信息官們現(xiàn)在不定好計劃將他們的數(shù)據(jù)中心遷移到固態(tài)技術(shù)平臺的話，那么10年以后他們就會陷入那樣的噩夢之中。 這并非危言聳聽，過去的解決方案現(xiàn)在已經(jīng)顯露出存儲性能和容量不足的現(xiàn)象，這就是最好的證明。以前，如果需要更多的性能或容量，企業(yè)只需在數(shù)據(jù)中心添加更多的傳統(tǒng)硬盤就可以了，而且那樣做也很方便?，F(xiàn)在，Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
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Flash Memory作為數(shù)據(jù)存儲器在E5中的應用
- 1． E5的特點及體系結(jié)構(gòu)
E5是位于美國硅谷的公司Triscend 推出的一款全新的CPU，它是基于8051的內(nèi)核，但將微處理器的內(nèi)核，ASCI及可重構(gòu)邏輯陣列集成與一體，構(gòu)成一款CSOC（可配置系統(tǒng)）芯片。Triscend E5的主要特點 - 關(guān)鍵字： E5 應用 存儲器 數(shù)據(jù) Memory 作為 Flash Triscend E5 閃存 映射
FSI國際宣布將ViPR全濕法去除技術(shù)擴展到NAND存儲器制造
- 全球領(lǐng)先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)日前宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA清洗系統(tǒng)擴展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估?？蛻魧χ圃爝^程中無灰化光刻膠剝離法、實現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機臺能力給予肯定。除了
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