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2024二季度NAND Flash出貨增長放緩，AI SSD推動營收季增14%
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，由于Server（服務器）終端庫存調(diào)整接近尾聲，加上AI推動了大容量存儲產(chǎn)品需求，2024年第二季NAND Flash（閃存）價格持續(xù)上漲，但因為PC和智能手機廠商庫存偏高，導致第二季NAND Flash位元出貨量季減1%，平均銷售單價上漲了15%，總營收達167.96億美元，較前一季增長了14.2%。第二季起所有NAND Flash供應商已恢復盈利狀態(tài)，并計劃在第三季擴大產(chǎn)能，以滿足AI和服務器的強勁需求，但由于PC和智能手機今年上半年市場表現(xiàn)不佳，
- 關鍵字： TrendForce 集邦咨詢 NAND Flash AI SSD
TrendForce：今年 Q2 NAND 閃存出貨增長放緩，AI SSD 推動營收環(huán)比增長 14%
- IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨詢今天下午發(fā)布報告指出，由于服務器終端庫存調(diào)整接近尾聲，加上 AI 推動了大容量存儲產(chǎn)品需求，今年第二季度 NAND Flash（閃存）價格持續(xù)上漲。但由于 PC 和智能手機廠商庫存偏高，導致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環(huán)比下降 1%，平均銷售單價上漲了 15%，總營收達 167.96 億美元（IT之家備注：當前約 1193.37 億元人民幣），較前一季實現(xiàn)環(huán)比增長 14.2%。各廠商營收情況如下：三星：第二季時積極回應客戶對
- 關鍵字： 內(nèi)存 NAND Flash
第八代BiCS FLASH厲害在哪里？
- 第八代BiCS FLASH已然投入量產(chǎn)，意味著基于BiCS FLASH的產(chǎn)品也將得到新一輪升級。全新的BiCS FLASH無論在存儲密度、性能都有了顯著提升，特別是2Tb QLC NAND是當下業(yè)界內(nèi)最大容量的存儲器。為了讓第八代BiCS FLASH突破存儲限制，鎧俠通過專有工藝和創(chuàng)新架構(gòu)，實現(xiàn)了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡，所開發(fā)的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）和3.6Gbps接口速度，給AI應用、數(shù)據(jù)中心、移動設備提供了更多潛在可能。技
- 關鍵字： BiCS FLASH 閃存 flash 鎧俠
消息稱三星電子確認平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線投資，目標明年 6 月投運
- IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內(nèi)部已確認在平澤 P4 工廠建設 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計劃，該產(chǎn)線目標明年 6 月投入運營。平澤 P4 是一座綜合性半導體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產(chǎn)設備，但擱置了二期建設。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式
- 關鍵字： NAND 閃存 三星電子
1000層3D NAND Flash時代即將到來
- Lam Research 推出低溫蝕刻新技術，為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
- 關鍵字： NAND Flash
存儲亮劍！NAND技術多點突破
- 人工智能（AI）市場持續(xù)火熱，新興應用對存儲芯片DRAM和NAND需求飆升的同時，也提出了新的要求。近日恰逢全球存儲會議FMS 2024（the Future of Memory and Storage）舉行，諸多存儲領域議題與前沿技術悉數(shù)亮相。其中TrendForce集邦咨詢四位資深分析師針對HBM、NAND、服務器等議題展開了深度討論，廓清存儲行業(yè)未來發(fā)展方向。此外，大會現(xiàn)場，NVM Express組織在會中發(fā)布了 NVMe 2.1 規(guī)范，進一步統(tǒng)一存儲架構(gòu)、簡化開發(fā)流程。另外包括Kioxia
- 關鍵字： 存儲 NAND TrendForce
為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術 Lam Cyro 3.0
- IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團 Lam Research 當?shù)貢r間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術 Lam Cyro 3.0。泛林集團全球產(chǎn)品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶實現(xiàn) 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬片晶圓的生產(chǎn)，而我們的最新技術是 3D NAND 生產(chǎn)領域的一項突破。它能以埃米級精度創(chuàng)建高深寬比（IT之家注：High Aspect R
- 關鍵字： NAND 閃存 泛林集團
消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒
- IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發(fā)，計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準備，2026 年二季度正式啟動大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱這一顆粒計劃于 2025 上半年實現(xiàn)量產(chǎn)?！?SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說法，SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
- 關鍵字： SK海力士 內(nèi)存 NAND
長江存儲再度“亮劍”，在美國起訴美光侵犯其 11 項專利
- IT之家 7 月 22 日消息，據(jù)外媒 Tomshardware 報道，中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區(qū)指控美光侵犯了長江存儲的 11 項專利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權(quán)的存儲產(chǎn)品，并支付專利使用費。長江存儲指控稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
- 關鍵字： 長江存儲 NAND 美光 內(nèi)存
為什么QLC可能是NAND閃存的絕唱？
- NAND 閃存已經(jīng)達到了一定的密度極限，無法再進一步擴展。
- 關鍵字： NAND
三星發(fā)布了其首款60TB固態(tài)硬盤，能否搶占先機？
- 內(nèi)存和存儲芯片制造商三星發(fā)布了其首款容量高達60TB的企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD），專為滿足企業(yè)用戶的需求而設計。得益于全新主控，三星表示未來甚至可以制造120TB的固態(tài)硬盤。對比2020年發(fā)布的上一代BM1733，BM1733采用了第5代V-NAND技術的QLC閃存、堆疊層數(shù)為96層、最大容量為15.36TB，顯然BM1743的存儲密度有了大幅度提升。三星以往的固態(tài)硬盤容量上限為32TB，此次推出的BM1743固態(tài)硬盤則將容量提升至了驚人的60TB。值得注意的是，目前三星在該細分市場將面臨的競爭相對較少，因
- 關鍵字： 三星 固態(tài)硬盤 V-NAND
鎧俠產(chǎn)能滿載 傳7月量產(chǎn)最先進NAND Flash產(chǎn)品
- 《科創(chuàng)板日報》4日訊，鎧俠產(chǎn)線稼動率據(jù)悉已在6月回升至100%水準、且將在7月內(nèi)量產(chǎn)最先進存儲芯片(NAND Flash)產(chǎn)品，借此開拓因生成式AI普及而急增的數(shù)據(jù)存儲需求。據(jù)悉，鎧俠將開始量產(chǎn)的NAND Flash產(chǎn)品堆疊218層數(shù)據(jù)存儲元件，和現(xiàn)行產(chǎn)品相比，存儲容量提高約50%，寫入數(shù)據(jù)時所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ）
- 關鍵字： 鎧俠 NAND Flash
NAND市場，激戰(zhàn)打響
- 隨著人工智能（AI）相關半導體對高帶寬存儲（HBM）需求的推動，NAND 閃存市場也感受到了這一趨勢的影響。目前，NAND 閃存市場的競爭正在加劇，存儲巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產(chǎn)品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產(chǎn)第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類型之分，
- 關鍵字： 三星 第九代 V-NAND
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