- 2010年NAND Flash產業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統旺季，8月初合約價卻還是跌不停，存儲器業(yè)者表示，蘋果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠需求仍十分強勁，但零售市場買氣不振，模塊廠拿貨意愿不高，把平均合約價給拉下來，其中，三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應蘋果，走貨較順暢，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫存水位較高，但又不愿降價，與模塊廠陷入僵局。
近期大陸因為亞運因素，
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Apple NAND Flash
- 韓國海力士聲稱，在其M11的300毫米生產線上開始利用20納米技術進行64Gb的NAND閃存量產。
該公司在2月時曾報道擬進行20納米級的64Gb的NAND生產，采用現有的32Gb產品進行疊層封裝完成。
海力士稱它的芯片是26nm的一種，有人稱20nm級產品。三星是27nm的NAND閃存，IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。
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海力士 20納米 NAND
- 根據集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調查，今年第二季營收在DRAM合約價格穩(wěn)定上揚及產出持續(xù)增加下，全球DRAM產業(yè)第二季營收數字達107億美元(10.70 Billion USD)，較首季的93億美元(9.29 Billion USD)，成長約15%。在 NAND Flash 部分，品牌廠商第二季整體營收為47億7,600萬美元，較首季43億6,300萬美元成長約9.5%。
三星第二季營收仍居全球DRAM廠之冠
從市場面觀察，由于第二季 DRAM 合
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DRAM NAND
- 南韓內存廠商Hynix公司日前宣布已開始量產20nm制程級別64Gb NAND閃存芯片，這款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工廠生產的。Hynix公司表示，升級為2xnm制程節(jié)點后，芯片的生產率相比3xnm制程提升了60%，芯片的成本也有所降低，智能手機，SSD 硬盤等的NAND閃存容量則將大有增長。
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Hynix Cheong-ju M11工廠
Hynix公司稱首款基于2xnm制程的NAND閃存芯片產品將于今年年底上市銷售。Hynix公司雖然不是I
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Hynix NAND 20nm
- 摘要：U-Boot不能從NAND Flash啟動給應用帶來些不便，因此修改U-Boot使其支持從NAND Flash啟動。分析了U-Boot啟動流程的兩個階段及實現從NAND Flash啟動的原理和思路，并根據NAND Flash的物理結構和存儲特點，增加U-
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實現 啟動 Flash NAND U-Boot
- 日本半導體廠2010年度第1季(4~6月)財報表現明暗兩極。東芝(Toshiba)、爾必達(Elpida)拜內存事業(yè)表現亮眼之賜，獲利從谷底攀升;瑞薩電子(RenesasElectronics)則因系統芯片事業(yè)拖累，該季仍難揮別虧損陰霾。
東芝半導體事業(yè)的營業(yè)利益皆為NANDFlash所挹注。副社長村岡富美雄表示，受惠于蘋果(Apple)iPhone等智能型手機需求帶動，加上 NANDFlash均價跌幅趨緩，東芝半導體事業(yè)表現遠超過預期。小幅虧損的系統芯片事業(yè)亦因NANDFlash的豐沛獲利得以
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東芝 NAND
- VLSI提高IC預測，但是該公司看到雖然很多產品供不應求，但是有一種可能DRAM市場再次下跌。
同時由于經濟大環(huán)境可能對于產業(yè)的影響，目前對于產業(yè)抱謹慎的樂觀，如Marvell.Silicon Image及其它公司的大部分高管都有同樣的看法。
VLSI在它的最新看法中發(fā)現各種數據是交叉的，按VLSI的最新預測，2010年IC市場可能增長30%，但是2011年僅增長3.7%。而2010年半導體設備增長96%。
而在之前的預測中認為2010年全球IC市場增長28.1%，其它預測尚未改變。
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芯片制造 NAND
- 無疑2009年對于閃存市場是可怕之年。
要感謝產業(yè)的很快復蘇，預測2010年全球閃存市場已經很熱，然而按Web-Feet Research報告，其供應鏈部分卻遭受困境。
按Web-Feet剛公布的全球閃存的季度報告，NOR及NAND市場都很熱。NOR市場由2009年的47億美元，上升到2010年的57億美元。而NAND市場與2009年相比增長33.4%，達215億美元。
這是好的消息而壞消息在供應鏈中也開始傳了出來。
Apple及其它OEM釆購大量的閃存，使得市場中有些購買者采
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閃存 NAND NOR
- iPhone、iPad等蘋果i家族產品的熱銷，正引發(fā)連鎖反應。
7月28日，閃存企業(yè)SanDisk全球高級副總裁兼零售業(yè)務部總經理Shuki Nir在上海接受本報記者專訪時表示，蘋果產品的熱銷消耗了整個閃存芯片市場不少庫存，目前行業(yè)正處于供不應求的局面。
受此拉動，閃存芯片巨頭們普遍迎來了一個靚麗的財季。
近期陸續(xù)出爐的最新一季財報顯示，在iPhone以及iPad的拉動下，閃存芯片近期需求及價格大幅上升，英特爾、三星、美光、海力士、東芝、SanDisk等閃存芯片主要提供商在當季的銷售
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NAND 閃存芯片 iPhone
- 據國外媒體報道，三星電子周五發(fā)布了該公司2010年第二季度財報。財報顯示，受芯片業(yè)務大幅增長的推動，公司第二季度凈利潤同比增長83%。
在截至6月30日的第二季度，三星電子凈利潤為4.28萬億韓元(約合36億美元)。這一業(yè)績好于上年同期，2009年第二季度，三星電子的凈利潤為2.33萬億韓元。三星電子第二季度運營利潤為5萬億韓元(約合41億美元)，創(chuàng)公司季度運營利潤歷史新高，同比增長87.5%。三星電子第二季度營收為37.9萬億韓元，較去年同期增長17%。三星電子本月初發(fā)布的初步財報顯示，公司第
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三星電子 NAND 閃存芯片
- 未來半導體制造將越來越困難已是不爭的事實。巴克萊的C J Muse認為如DRAM制造商正處于關鍵的成品率挑戰(zhàn)階段，在4x，3x節(jié)點時發(fā)現了許多問題。目前盡管EUV光刻己經基本就緒(或者還沒有)，是黃金時刻，然后在芯片制造中其它的工藝技術的挑戰(zhàn)也有很多，如兩次圖形曝光(在NAND，DRAM及l(fā)ogic中)，高k金屬柵等。由此，在未來的2011-2012年，甚至更長一段時期內必須要加大投資強度。(Citigroup的Tim Arcuri建議要有五年時間，它是在牛/熊市小組座談會上發(fā)表此看法) 。另一位會議
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半導體制造 DRAM NAND
- 三星電子(Samsung Electronics)宣布，2011年將開始量產較既有快閃存儲器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年開始量產后，采用該產品的智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)中所儲存的影片、照片、音樂等再生速度將更上一層樓。
三星近期已完成可支持400Mbps資料處理速度的Toggle DDR2.0規(guī)格NAND Flash開發(fā)作業(yè)，并計劃于2011年投入量產。三星計劃20奈米制程以下的NAND Flash產品將
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三星電子 NAND
- 三星和東芝公司已經宣布了一個合作計劃，旨在制定新規(guī)范推動NAND快閃記憶體的傳輸速率，具體來說，兩家公司致力于發(fā)展DDR 2.0 NAND型快閃記憶體和400MB/s的接口技術，這比目前版本的NAND閃存接口技術快了十倍，這項技術將于英特爾、鎂光和SanDisk共同開發(fā)的ONFI接口進行直接競爭，主要面向高性能產品例如SSD以及智能手機和消費電子產品。
三星和東芝公司目前供應NAND快閃記憶體市場70%的貨源，因此它們在行業(yè)內具有相當大的話語權，這對他們的新規(guī)范計劃將非常有利。
三星上個月
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三星 NAND 30nm
- 日廠爾必達(Elpida)將與飛索半導體(Spansion)擴大合作范圍，雙方除共同研發(fā)NAND Flash制程技術與產品外，爾必達將為飛索半導體代工生產NAND Flash。另外，爾必達亦在研擬雙方合作研發(fā)NOR Flash，并為其代工的可能性。
據悉，爾必達已取得飛索的NAND IP技術的授權，該項技術乃是以其稱為MirrorBit的獨家技術為基礎。此外，爾必達計劃自2011年起透過旗下的廣島12寸廠，為飛索代工生產高階NAND Flash，而雙方亦將各自進行客戶營銷。
路透(Reut
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爾必達 NAND
- 三星和東芝今天共同宣布，雙方將協力支持新一代高性能NAND閃存技術：擁有400Mbps接口的DDR NAND閃存，即toggle DDR 2.0規(guī)范。兩家公司將支持這一規(guī)范成為行業(yè)標準，被業(yè)界廣泛接受使用。
最初的SDR NAND閃存架構接口速度僅為40Mbps，現行的DDR 1.0標準將接口帶寬提高到了133Mbps。三星和東芝推動的toggle DDR 2.0規(guī)范則進一步提升到400Mbps，是DDR 1.0的3倍，普通SDR NAND閃存的10倍。
高速閃存接口的優(yōu)勢不言而喻，未來將
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三星 NAND 東芝
nand 介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [
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