nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
2018年Q1全球半導(dǎo)體銷售達(dá)1158億美元，無線通訊市場大幅下滑
- 在2018年第一季度，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額達(dá)到了1158億美元。即使該季度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總營收出現(xiàn)些許下滑，然而NAND市場依然創(chuàng)下了有史以來第二高的季度收入，其中，來自企業(yè)和消費(fèi)性固態(tài)硬盤(SSD)市場的需求最為強(qiáng)勁?！ ‰S著企業(yè)和儲存市場對于相關(guān)零組件需求的增加，在2018年第一季度，儲存類別增長率為1.7%，達(dá)到397億美元。事實(shí)上，對于服務(wù)器用內(nèi)存(Server DRAM)的強(qiáng)勁需求將持續(xù)推動該市場。然而，也能看到NAND漲幅在該季度內(nèi)收入略有下降，IHS Marki內(nèi)存與儲存市場資深總監(jiān)Crai
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96層3D NAND明年量產(chǎn) 群聯(lián)控制器方案準(zhǔn)備就緒
- 為實(shí)現(xiàn)更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加，單一晶胞內(nèi)能儲存的信息也越來越多。 目前NAND Flash芯片已經(jīng)進(jìn)入64層TLC時(shí)代，展望2019年，三星(Samsung)、東芝(Toshiba)等業(yè)者都將進(jìn)一步推出96層QLC顆粒。 為了因應(yīng)即將量產(chǎn)的新一代NAND Flash規(guī)格特性，控制器業(yè)者群聯(lián)已備妥對應(yīng)的解決方案?！ ∪郝?lián)電子發(fā)言人于紹庭表示，3D NAND Flash技術(shù)不斷推進(jìn)，目前64層TLC已經(jīng)是相當(dāng)穩(wěn)定的產(chǎn)品。 而為了進(jìn)一步提升儲存密度，NAND Flash供貨商正
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DRAM/NAND存儲器需求持續(xù)增溫 南亞科、旺宏業(yè)績看好
- 隨物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代來臨，數(shù)據(jù)中心、高速傳輸?shù)?G受重視，研調(diào)單位指出，協(xié)助運(yùn)算處理的DRAM與資訊儲存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫，南亞科(2408)日前表示，今年DRAM市場仍供不應(yīng)求，帶動存儲器族群行情向上，旺宏(2337)在權(quán)證市場同受關(guān)注，昨(29)日登上成交金額之首。 南亞科昨日股價(jià)雖然收小黑，小跌0.4%，收在98.9元(新臺幣，后同)，但獲外資逆勢敲進(jìn)逾2,000張，頗有逢低承接意味。 南亞科今年首季每股盈余(EPS)達(dá)2.39元，隨著DRAM市場仍持續(xù)供不應(yīng)求，對今年整體營運(yùn)表
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
美光科技交付業(yè)界首款QLC NAND固態(tài)硬盤
- 美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元(QLC)NAND 技術(shù)的固態(tài)硬盤現(xiàn)已開始供貨。美光? 5210 ION 固態(tài)硬盤在美光 2018年分析師和投資者大會上首次亮相，面向之前由硬盤驅(qū)動器 (HDD) 提供服務(wù)的細(xì)分市場，可提供高出三層單元 (TLC) NAND 33%的位密度。新型 QLC固態(tài)硬盤的推出，奠定了美光在實(shí)現(xiàn)更高容量和更低成本方面的領(lǐng)導(dǎo)者地位，可以滿足人工智能、大數(shù)據(jù)、商業(yè)智能、內(nèi)容傳輸和數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)對讀取密集型且性能敏感的云存儲的需求。 隨著工作負(fù)載的演變以滿足對于實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)的
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韓國存儲器產(chǎn)業(yè)銷售額將在2020年減少78億美元
- 當(dāng)前，不論DRAM還是NAND Flash等存儲器，中國市場基本上100%依賴進(jìn)口，這使得產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求也最為迫切。因此，現(xiàn)階段在政府的支持下，除了紫光集團(tuán)旗下的長江存儲已經(jīng)在武漢建設(shè)NAND Flash工廠，預(yù)計(jì)2018年下半年量產(chǎn)之外，其他包括安徽合肥、福建晉江也有團(tuán)隊(duì)在進(jìn)行DRAM研發(fā)，這使得未來幾年，中國生產(chǎn)存儲就會逐漸進(jìn)入市場。 對此，韓國企業(yè)也開始關(guān)注中國競爭對手的加入。韓國預(yù)測，在2022年時(shí)會因?yàn)橹袊偁幍挠绊?，韓國企業(yè)將減少78億美元的存儲器的銷售金額。 根據(jù)韓國媒體《et
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內(nèi)存瘋漲將告一段落 NAND/DRAM降價(jià)潮并沒有來
- 根據(jù)Gartner的報(bào)告顯示，在過去的2017年中，三星已經(jīng)成功取代英特爾，搶下了全球最大芯片制造商的寶座。要知道，英特爾從1992年就一直占據(jù)著這一寶座，如今被三星超越實(shí)在是無奈，因?yàn)闆]有人能預(yù)料到這兩年內(nèi)存市場會如此強(qiáng)勁。 也許大家都快忘記了，兩年前8GB的內(nèi)存條價(jià)格還不到200元，然后8GB內(nèi)存條的價(jià)格一路上漲到300多、500多、700多，甚至一度要突破千元大關(guān)，用了幾年的二手內(nèi)存條都還能大賺一筆。內(nèi)存價(jià)格的飆升也帶動了整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的增長，其中三星獲益匪淺，
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
2017年全球十大半導(dǎo)體廠排名：三星首次登頂
- IHS Markit研究指出，2017年全球半導(dǎo)體市場營收達(dá)到4291億美元，與2016年相較成長了21.7%，年成長率創(chuàng)下近14年新高。 而三星也借著53.6%的年成長率，取代蟬連25年的英特爾成為2017年全球最大半導(dǎo)體廠商。 在前20大半導(dǎo)體廠商中，SK海力士(SK Hynix)的營收成長幅度最大，較2016年成長81.2%;美光科技(Micron)居次，營收較2016年成長了79.7%。 對此，IHS Markit半導(dǎo)體供應(yīng)鏈分析師Teevens表示，強(qiáng)勁的需求以及價(jià)格上漲，是企業(yè)營收大
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
我國首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn)
- 位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺11日正式進(jìn)場安裝，這標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補(bǔ)我國主流存儲器領(lǐng)域空白。 目前，我國通用存儲器基本全部依賴進(jìn)口，國家存儲器基地于2017年成功研發(fā)我國首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由1000人的團(tuán)隊(duì)歷時(shí)2年自主研發(fā)的芯片，是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片，有望使我國進(jìn)入全球存儲芯片第
- 關(guān)鍵字： NAND 存儲器
中國電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)?？焖僭鲩L 加快邁向中高端
- 近年來，全球信息技術(shù)創(chuàng)新進(jìn)入密集發(fā)生期，呈現(xiàn)多方向、寬前沿、集群式等特征，有望引發(fā)產(chǎn)業(yè)格局重大調(diào)整。這有助于我國電子信息產(chǎn)業(yè)打破因核心關(guān)鍵技術(shù)缺失帶來的低端鎖定，加快邁向全球價(jià)值鏈中高端，迎來從跟跑到并跑乃至領(lǐng)跑的歷史契機(jī)。 工業(yè)和信息化部副部長羅文8日在深圳舉行的全國電子信息行業(yè)工作座談會上透露，2017年我國規(guī)模以上電子信息產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模達(dá)18.5萬億元，手機(jī)、計(jì)算機(jī)和彩電產(chǎn)量穩(wěn)居全球第一，在通信設(shè)備、互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域涌現(xiàn)了一批具有全球競爭力的龍頭企業(yè)。 據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《電子信息制造業(yè)發(fā)展
- 關(guān)鍵字： AMOLED NAND
2018年內(nèi)存芯片收入有望實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄增長
- 全球半導(dǎo)體行業(yè)在2017年創(chuàng)下了10年以來的最好成績，年收入比2016年增長了22%，達(dá)到4291億美元。 這是根據(jù)英國分析公司IHS Markit的新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)得出的，HIS認(rèn)為市場對內(nèi)存芯片處理能力需求的大幅增加歸因于新興應(yīng)用如大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)和機(jī)器學(xué)習(xí)。 這一需求的增長使得三星電子作為全球領(lǐng)先芯片制造商占據(jù)第一位置，領(lǐng)先于競爭對手英特爾，而英特爾已經(jīng)占據(jù)第一的位置有25年之久。2017年，三星的收入增長了54%。 IHS表示，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器芯片的銷售總額增長了77%，而閃存芯片
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 NAND
三星中國西安NAND Flash工廠二期項(xiàng)目動工
- 在當(dāng)前NandFlash存儲器仍舊供不應(yīng)求，市場價(jià)格依舊居高不下的情況下，日前全球NandFlash存儲器龍頭企業(yè)的韓國三星，日前宣布將在本月底正式動工的中國西安NandFlash存儲器廠的擴(kuò)建計(jì)劃，28日正式動工，預(yù)計(jì)將在2019年完工啟用。 據(jù)了解，該項(xiàng)總金額高達(dá)70億美元，工程期間達(dá)到3年的擴(kuò)廠計(jì)劃，是三星在2017年的8月間所宣布。目前三星西安廠的第一期產(chǎn)線是在2014年所建置，月產(chǎn)能為12萬片。如今，新的產(chǎn)線動工建置，未來完成之后將可再為三星增加每月20萬片的產(chǎn)能。 只是，該新的
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nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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