nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
三星電子全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線投產(chǎn)
- 據(jù)韓聯(lián)社報道，三星電子平澤工廠全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線近日正式投產(chǎn)。三星電子將在該工廠生產(chǎn)第四代64位V-NAND，月產(chǎn)能可達(dá)20萬片，并計劃持續(xù)擴(kuò)充生產(chǎn)設(shè)備，解決近年來全球半導(dǎo)體市場上供不應(yīng)求的局面。 據(jù)了解，位于韓國京畿道平澤市的三星電子平澤工廠于2015年5月動工建設(shè)，日均投入1.2萬名施工人員，耗時兩年多建成全球最大的單一產(chǎn)品生產(chǎn)線。 三星宣布，至2021年為止，要對位于平澤市的NAND型快閃存儲器廠房投入14.4萬億韓圜(約合125.4億美元)，并對華城市新建的半導(dǎo)體生產(chǎn)線投入6
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東芝明年量產(chǎn)96層3D NAND，或獨(dú)投1800億增產(chǎn)3D NAND
- 全球第 2 大 NAND 型快閃存儲器廠東芝(Toshiba)28 日宣布，攜手 SanDisk 研發(fā)出全球首款采用堆疊 96 層制程技術(shù)的 3D NAND Flash 產(chǎn)品，且已完成試樣。該款產(chǎn)品為 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術(shù)的產(chǎn)品，預(yù)計于 2017 年下半送樣、2018 年開始進(jìn)行量產(chǎn)，主要用來搶攻數(shù)據(jù)中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手機(jī)、平板電腦和存儲卡等市場。 東芝今后也計劃推出采用堆疊 96 層制程技術(shù)的
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
64層堆棧是3D NAND的「甜蜜點(diǎn)」？
- 64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎，預(yù)計將在未來18個月內(nèi)成為市場主流... Western Digital(WD)內(nèi)存技術(shù)執(zhí)行副總裁Siva Sivaram日前指出，64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎。 在最近接受《EE Times》的訪問中，Siva Sivaram將64層3D NAND定義為一種「開創(chuàng)性技術(shù)」(seminal technology)，可望應(yīng)用于WD逾50種產(chǎn)品線。 他預(yù)計今年WD約有一半的產(chǎn)品線都將采用3D
- 關(guān)鍵字： NAND 堆棧
三星64層NAND閃存宣布量產(chǎn)
- 三星電子 15 日宣布，最新 64 層 256GB V-NAND 閃存已進(jìn)入量產(chǎn)，與此同時，三星還將擴(kuò)展包含服務(wù)器、PC 與行動裝置的儲存解決方案。 64 層 V-NAND 閃存用稱為第四代 V-NAND 芯片，南韓 ITtimes.com 報導(dǎo)指出，三星為穩(wěn)固領(lǐng)先優(yōu)勢，打算于年底把第四代芯片占每月生產(chǎn)比重拉高至五成以上。 其實(shí)，三星今年 1 月已先為某關(guān)鍵客戶，打造第一顆內(nèi)含 64 層 V-NAND 芯片的固態(tài)硬盤(SSD)，自此之后，三星持續(xù)朝行動與消費(fèi)型儲存市場開發(fā)新應(yīng)用，務(wù)求與 I
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
若拿下東芝 郭董：優(yōu)先設(shè)廠美國
- 鴻海董事長郭臺銘昨(12)日證實(shí)，將籌組美、日、臺夢幻團(tuán)隊(duì)，共同競標(biāo)東芝半導(dǎo)體。 對日本出現(xiàn)擔(dān)心鴻海「中國因素」的評論，郭董炮火全開，左打美系私募基金，右批日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省高層，并強(qiáng)調(diào)，鴻海如果順利得標(biāo)，海外市場將優(yōu)先考慮在美設(shè)內(nèi)存芯片廠。 東芝半導(dǎo)體競標(biāo)案進(jìn)入倒數(shù)計時，預(yù)計本周公布結(jié)果。 競標(biāo)者之一鴻海動作不斷，郭臺銘接連接受日經(jīng)新聞、路透社專訪。 郭董強(qiáng)調(diào)，如果鴻海順利標(biāo)下東芝半導(dǎo)體事業(yè)，希望未來能在海外建立內(nèi)存工廠，地點(diǎn)將優(yōu)先考慮美國。 郭臺銘補(bǔ)充，因?yàn)槊绹鴩鴥?nèi)市場需求在當(dāng)?shù)剡€沒達(dá)到，
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NAND閃存的三種架構(gòu)：MLC、SLC、MBC
- NAND閃存的內(nèi)部架構(gòu):NAND閃存可以分為三種不同架構(gòu)，即：單層單元SLC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術(shù)為基礎(chǔ)的NAND閃存架構(gòu)，由英飛凌與Saifun合作開發(fā)，但該項(xiàng)架構(gòu)技術(shù)并不成熟。采SLC架構(gòu)是在每個Cell中存儲1個bit的信息，以達(dá)到其穩(wěn)定、讀寫速度快等特點(diǎn)，Cell可擦寫次數(shù)為10萬次左右。作為SLC架構(gòu)，其也有很大的缺點(diǎn)，就是面積容量相對比較小，并且由于技術(shù)限制，基本上很難再向前發(fā)展了。
- 關(guān)鍵字： MLC 閃存 NAND 英特爾
NAND Flash下季度或史上最缺貨
- NAND Flash控制芯片與模塊廠群聯(lián)董事長潘健成日前估計，接下來將面臨史上最缺貨的第3季，而該公司也積極備戰(zhàn)，近日捧著5000多萬美元現(xiàn)金，大舉吃下某大廠釋出的貨源，為下半年建立更多庫存。 群聯(lián)在去年初NAND Flash市況尚未大熱時，建立的庫存水位一度超過三億美元，后來市場景氣于去年第3季開始往上，價格走升，也讓該公司因此大賺。 潘健成提到，今年大概只有5月有機(jī)會多收貨，所以該公司在前兩個禮拜以現(xiàn)金買了大約5000多萬美元的額外貨源，預(yù)計可供第3季使用。 群聯(lián)在今年4月時，手
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基于FPGA的水聲信號高速采集存儲系統(tǒng)的設(shè)計與實(shí)現(xiàn)
- 介紹了一種基于FPGA的水聲信號數(shù)據(jù)采集與存儲系統(tǒng)的設(shè)計與實(shí)現(xiàn),給出了系統(tǒng)的總體方案,并對各部分硬件和軟件的設(shè)計進(jìn)行了詳細(xì)描述。系統(tǒng)以FPGA作為數(shù)據(jù)的控制處理核心,以存儲容量達(dá)2 GB的大容量NAND型Flash作為存儲介質(zhì)。該系統(tǒng)主要由數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)存儲模塊和RS-232串行通信模塊組成,具有穩(wěn)定可靠、體積小、功耗低、存儲容量大等特點(diǎn),實(shí)驗(yàn)證明該系統(tǒng)滿足設(shè)計要求。
- 關(guān)鍵字： 數(shù)據(jù)采集 Flash FPGA
FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)的概念
- FPGA最小系統(tǒng)是可以使FPGA正常工作的最簡單的系統(tǒng)。它的外圍電路盡量最少，只包括FPGA必要的控制電路。一般所說的FPGA的最小系統(tǒng)主要包括：FPGA芯片、下載電路、外部時鐘、復(fù)位電路和電源。如果需要使用NIOS II軟嵌入式處理器還要包括：SDRAM和Flash。一般以上這些組件是FPGA最小系統(tǒng)的組成部分。
- 關(guān)鍵字： FPGA最小系統(tǒng) Altera NiosII Flash SDRAM
2017第一季度NAND Flash品牌廠商營收排名
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，第一季整體NAND Flash市況延續(xù)第四季持續(xù)受到缺貨影響，即使第一季度為傳統(tǒng)NAND Flash淡季，渠道顆粒合約價卻仍上揚(yáng)約20-25%。在智能終端設(shè)備如智能手機(jī)與平板電腦內(nèi)的行動式存儲價格也呈現(xiàn)雙漲的狀況下，2017年將是NAND Flash成果豐碩的一年。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，進(jìn)而轉(zhuǎn)進(jìn)垂直堆棧制程(3D/Vertical-NAND)
- 關(guān)鍵字： NAND SK海力士
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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