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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand flash

          第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

          •   據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場報(bào)告,由于一家大型廠商的銷售額下降,第二季度NAND閃存市場意外下滑。   根據(jù)最終數(shù)據(jù),第二季度全球NAND銷售額為47億美元,比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預(yù)期,主要是因?yàn)闁|芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商,僅次于韓國三星電子。東芝銷售額大幅下降,拖累了整體市場,如表1所示。  
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

          手機(jī)應(yīng)用LED閃光燈的幾大優(yōu)勢

          • 現(xiàn)在的照相手機(jī)幾乎都可以當(dāng)作數(shù)字相機(jī)使用,用戶當(dāng)然希望在低照度情況下也能拍攝出高質(zhì)量的照片,因而照相手機(jī)...
          • 關(guān)鍵字: LED  Flash  

          把面向數(shù)字家庭的Adobe Flash引進(jìn)到MIPS-Based平臺(tái)

          •   Q.什么是三重播放集成?   A.TPI公司是一家致力于提供數(shù)字家庭視頻平臺(tái)解決方案的專業(yè)軟件服務(wù)公司。TPI公司還是官方Adobe 的“Scaling Partner”,為消費(fèi)電子平臺(tái)提供Flash Player 10、AIR和舞臺(tái)美術(shù)技術(shù)提供優(yōu)化的端口。我們有25名具有專業(yè)的項(xiàng)目管理和質(zhì)量保障經(jīng)驗(yàn)的高級(jí)工程師團(tuán)隊(duì),平均具有 24 年的工作經(jīng)驗(yàn).    ?   Triple Play Integration 銷售副總裁Mike Nottage   Q.
          • 關(guān)鍵字: TPI  Adobe Flash  

          出貨不如預(yù)期 閃存芯片價(jià)格小幅下跌

          •   受到諸多全球總體經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的不確定變數(shù)干擾,2011部份的NAND Flash終端應(yīng)用產(chǎn)品出貨量將不如預(yù)期,及3Q11受過剩庫存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應(yīng)遞延等因素的綜合影響下,8月上旬NANDFlash芯片市場買氣依然疲弱,但某些系統(tǒng)客戶的OEM訂單需求相對于記憶卡及UFD通路市場需求仍相對地穩(wěn)定,因此,MLCNAND Flash芯片合約均價(jià)小跌約1-2%,而TLCNAND Flash芯片合約均價(jià)則下跌約4-7%。  
          • 關(guān)鍵字: 閃存芯片  NAND  

          AT91SAM7Sxx系列MCU Boot-Loader的設(shè)計(jì)

          • AT91SAM7xx 系列是Atmel 公司推出的基于ARM7內(nèi)核的32位MCU。用戶代碼編譯在Thumb 模式下可獲得16位指令寬度 ...
          • 關(guān)鍵字: AT91SAM7Sxx  VID  Flash    

          下一代光刻技術(shù)延遲 NAND成長或趨緩

          •   在日前的一場閃存高峰會(huì)中,SanDisk公司的技術(shù)長Yoram Cedar指出,下一代光刻技術(shù)的延遲,將導(dǎo)致NAND閃存的成長趨緩。市場原先對閃存的展望都相當(dāng)樂觀,但Cedar表示,由于超紫外光(EUV)光刻技術(shù)的延遲,閃存的成長可能需要再評估。  
          • 關(guān)鍵字: SanDisk  NAND  

          東芝芯片業(yè)務(wù)業(yè)績可能達(dá)不到預(yù)期

          •   全球第二大閃存制造商?hào)|芝公司(Toshiba Corp)周三警告說,由于PC市場不景氣,美國和歐洲等經(jīng)濟(jì)體持續(xù)動(dòng)蕩以及日元強(qiáng)勢等原因,該公司芯片業(yè)務(wù)的利潤可能達(dá)不到預(yù)期。
          • 關(guān)鍵字: 東芝  芯片  NAND  

          基于TMS320DM642的Flash編程

          • 基于TMS320DM642的Flash編程,本文首先介紹常見的Flash編程方法,然后詳細(xì)介紹本文方法的原理,以及DSP系統(tǒng)上電加載原理,最后給出整個(gè)實(shí)現(xiàn)過程并分析了Flash編程時(shí)需要注意的一些問題?! lash編程方法  常見的Flash編程方式  Flash在正常使用
          • 關(guān)鍵字: 編程  Flash  TMS320DM642  基于  

          NAND Flash合約價(jià)續(xù)跌

          •   據(jù)韓國電子新聞報(bào)導(dǎo),計(jì)算機(jī)用DRAM芯片價(jià)格快速下跌,NAND Flash合約價(jià)也從6月起出現(xiàn)陡峭跌幅,2個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)2011年來最低價(jià)2美元紀(jì)錄。下半年則因智能型手機(jī)(Smartphone)與平板計(jì)算機(jī) (Tablet PC)新品陸續(xù)問世,可望帶動(dòng)NAND Flash價(jià)格回升。
          • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM芯片  

          C6201/C6701 DSP處理器與FLASH存儲(chǔ)器MBM

          • 本文以基于三個(gè)C6201/C6701 DSP芯片開發(fā)成功的嵌入式并行圖像處理實(shí)時(shí)系統(tǒng)為例,介紹這一設(shè)計(jì)技術(shù)。
          • 關(guān)鍵字: C6201  C6701  FLASH  DSP    

          基于AT25T1024 FLASH的高速SPI接口設(shè)計(jì)

          •   在一些軍用芯片的早期設(shè)計(jì)中,一般先采用比較成熟的商用協(xié)議芯片進(jìn)行軍用化改造(通常做成板卡形式),而商用 ...
          • 關(guān)鍵字: AT25T1024  FLASH  高速SPI接口  

          存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)群雄割據(jù)時(shí)代將再度來臨

          •   隨著存儲(chǔ)器容量越來越大,NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后,也開始遇到瓶頸,業(yè)界在未來制作更大容量存儲(chǔ)器上,面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(SamsungElectronics),但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸,因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司,均已決定投入3D存儲(chǔ)器的開發(fā)。
          • 關(guān)鍵字: 三星  存儲(chǔ)器  NAND  

          納米制程遇瓶頸 業(yè)者紛紛投入3D存儲(chǔ)器的開發(fā)

          •   隨著存儲(chǔ)器容量越來越大,NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后,也開始遇到瓶頸,業(yè)界在未來制作更大容量存儲(chǔ)器上,面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(Samsung Electronics),但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸,因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司,均已決定投入3D存儲(chǔ)器的開發(fā)。  
          • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  NAND  

          C6000系列DSP Flash二次加載技術(shù)研究

          • C6000系列DSP Flash二次加載技術(shù)研究,引言
            TI公司C6000系列DSP具有強(qiáng)大的處理能力,在嵌入式系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。由于程序在DSP內(nèi)部存儲(chǔ)器的運(yùn)行速度遠(yuǎn)大于片外存儲(chǔ)器的運(yùn)行速度,通常需要將程序從外部加載到DSP內(nèi)部運(yùn)行。由于C6000系列DSP均沒有
          • 關(guān)鍵字: 技術(shù)  研究  加載  Flash  系列  DSP  C6000  

          今年游戲主機(jī)NAND flash內(nèi)存密度提高40%

          •   內(nèi)存的成本高昂,今年 NAND 在家庭主機(jī)和手持設(shè)備上的密集度仍將提高 40% 以上,而這是游戲最主要的游戲環(huán)境。   今年家用游戲主機(jī)的 NAND 平均密度預(yù)計(jì)達(dá) 923MB,較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設(shè)備的 NAND 平均密度則預(yù)計(jì)自去年的 87MB 增長 41.4%,達(dá) 123MB。   
          • 關(guān)鍵字: Sony  NAND  
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          nand flash介紹

           Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行,如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]

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