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          利用NAND Flash實現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠程更新

          • 利用NAND Flash實現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠程更新,引言
            嵌入式系統(tǒng)在各個領域有著廣泛的應用,嵌入式系統(tǒng)的維護與升級也變得日益重要。由于新技術的不斷涌現(xiàn)和對系統(tǒng)功能、性能等要求的不斷提高,開發(fā)者必須能夠針對系統(tǒng)進行升級和維護,以延長系統(tǒng)的使用周期,
          • 關鍵字: 系統(tǒng)  遠程  更新  嵌入式  實現(xiàn)  NAND  Flash  利用  

          固態(tài)硬盤每GB容量價格將跌破1美元

          •   1GB 1美元——這很久以來就被視為固態(tài)硬盤真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門檻,而根據(jù)DRAMeXchange的最新報告,今年下半年就能以低于1GB 1美元的價格買到固態(tài)硬盤。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn),閃存芯片的成本也會進一步降低,每 GB將會不足1美元。DRAMeXchange預計,在那之后超極本、超輕薄本都會從混合硬盤過渡到純粹的固態(tài)硬盤,而后者的主流容量也將升至 128GB。   隨著Intel Ivy Bridge處
          • 關鍵字: 固態(tài)硬盤  NAND  

          基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設計方案

          • 基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設計方案,摘要:提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設計方法,并完成了設計和仿真。由于市場對MCU功能的要求總是不斷變化和升級,MCU應用的領域也不斷擴展,因此往往需要對最初的設計進行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相
          • 關鍵字: 仿真器  設計  方案  在線  Flash  MCU  內(nèi)部  基于  

          NAND閃存存儲器的自適應閃存映射層設計

          • NAND閃存存儲器的自適應閃存映射層設計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型,其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構成,每個塊又劃分為固定大小的頁,塊是擦
          • 關鍵字: 閃存  設計  映射  存儲器  NAND  適應  

          一種基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設計方法

          Flash存儲器Am29F040結構分析

          •  Am29F040是AMD公司生產(chǎn)的Flash存儲器,主要作用是固化程序和保存歷史數(shù)據(jù),也就是開機后執(zhí)行閃存的程序,并在程序執(zhí)行的過程中實時地保存或修改其內(nèi)部的數(shù)據(jù)單元。下面首先介紹Am29F040的特點和操作。Am29F040是采
          • 關鍵字: Flash  F040  040  29F    

          基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn)

          • 基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn), Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體,因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點,已逐步取代其它半導體存儲元件,成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
          • 關鍵字: 存儲  管理  TMS320F28x  實現(xiàn)  Flash  Nand  磨損  均衡  思想  

          并行NOR Flash在SOPC開發(fā)中的應用

          • 并行NOR Flash在SOPC開發(fā)中的應用,摘要 討論Intel STrataFlash 3V Memory系列的JS28F128J3D75并行NOR flash在基于Xilinx MicroBlaze的SOPC開發(fā)中的4種不同用途。J3D Flash可以用于存儲FPGA配置比特流、可引導的軟處理器代碼、可直接執(zhí)行的軟處理器代碼
          • 關鍵字: 開發(fā)  應用  SOPC  Flash  NOR  并行  

          基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設計

          • 基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設計,現(xiàn)今嵌入式存儲產(chǎn)品已滲透進人們生活工作中的方方面面,從ATM 機到手持通訊設備。社會對嵌入式產(chǎn)品的性能也有越來越高的要求:大容量,高速度,斷電保護,體積限制等等。當前數(shù)據(jù)記錄儀的容量和速度普遍偏小。本文旨
          • 關鍵字: 記錄儀  設計  數(shù)據(jù)  高速  Flash  大容量  基于  

          大容量FLASH在單片機臺標系統(tǒng)中的應用

          • 1 引 言FLASH是一種兼有紫外線擦除EPROM和電可擦可編程只讀存儲器(E2PROM)兩者優(yōu)點的新型非易失存儲器。由于它可在線進行電可擦除和編程,芯片每區(qū)可獨立擦寫至少10,000次以上,因而對于需周期性地修改被儲存的代
          • 關鍵字: 系統(tǒng)  應用  臺標  單片機  FLASH  大容量  

          全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達到48.9億美元

          •   據(jù)媒體報道,根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù),2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達到48.9億美元,環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場的龍頭,市場份額達到了34.6%。   集邦科技提供的數(shù)據(jù)顯示,NAND閃存出貨環(huán)比增長了大約5%,而平均銷售價格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出,雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢,但是智能手機和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強勁。   集邦科技指出,三星電子
          • 關鍵字: 海力士  NAND  

          Hynix今年資本支出將上升20% 半數(shù)投入NAND

          •   外電報導,全球第二大內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財報:受內(nèi)存價格下滑、PC需求趨緩的影響,凈損達2,399億韓元(2.131億美元),遜于去年同期的純益300億韓元,已連續(xù)第2季繳出虧損成績單;營收年減7.2%至2.55兆韓元;營損達1,675億韓元,遜于去年同期的營益2,940億韓元。根據(jù)彭博社調(diào)查,分析師平均預期Hynix Q4凈損將達1,617億韓元。根據(jù)Thomson Reuters調(diào)查,分析師原先預期Hynix Q4
          • 關鍵字: Hynix  NAND  

          一種支持ISP的Flash在嵌入式設計中的應用

          • 一種支持ISP的Flash在嵌入式設計中的應用,引言在基于VxWorks的嵌入式系統(tǒng)開發(fā)過程中,板卡支持包BSP(Board Support Package)的開發(fā)是非常重要而又閑難的一個環(huán)節(jié)。因為不能確定硬件系統(tǒng)是否正常丁作,而后續(xù)應用開發(fā)都是以此為基礎。在實際開發(fā)中,為了提高開
          • 關鍵字: 設計  應用  嵌入式  Flash  ISP  支持  

          NAND Flash 在MSP430嵌入式系統(tǒng)中的應用

          • 摘 要 本文實現(xiàn)了大容量 NAND FLASH 在MSP430嵌入式系統(tǒng)中的應用,闡述了NAND FLASH 的使用方法,重點介紹了 ...
          • 關鍵字: MSP430F149  Flash  Memory  低功耗系統(tǒng)  

          蘋果去年買進了全球NAND閃存的1/4

          •   根據(jù)市場研究機構Bernstein Research 公司分析師Toni Sacconaghi 報告指出,蘋果公司在上一季買了全球NAND 快閃記憶體出貨量的23% ,憑借著這么大的采購量,蘋果拿到的成本價格可說是出乎意料之外的低。   Sacconaghi 報告指出,蘋果產(chǎn)品在2011 年第四季消耗了容量總數(shù)高達14.5 億GB 的NAND 快閃記憶體;其中iPhone 占了其中50% , iPad 為30% 。這么大的量,自然讓蘋果購買NAND 快閃記憶體有很大的折扣,大約是每GB 價格為0.6
          • 關鍵字: 蘋果  NAND  
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          nand flash介紹

           Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行,如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]

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