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三星發(fā)布了其首款60TB固態(tài)硬盤(pán)，能否搶占先機(jī)？

內(nèi)存和存儲(chǔ)芯片制造商三星發(fā)布了其首款容量高達(dá)60TB的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)（SSD），專(zhuān)為滿足企業(yè)用戶的需求而設(shè)計(jì)。得益于全新主控，三星表示未來(lái)甚至可以制造120TB的固態(tài)硬盤(pán)。對(duì)比2020年發(fā)布的上一代BM1733，BM1733采用了第5代V-NAND技術(shù)的QLC閃存、堆疊層數(shù)為96層、最大容量為15.36TB，顯然BM1743的存儲(chǔ)密度有了大幅度提升。三星以往的固態(tài)硬盤(pán)容量上限為32TB，此次推出的BM1743固態(tài)硬盤(pán)則將容量提升至了驚人的60TB。值得注意的是，目前三星在該細(xì)分市場(chǎng)將面臨的競(jìng)爭(zhēng)相對(duì)較少，因
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鎧俠產(chǎn)能滿載傳7月量產(chǎn)最先進(jìn)NAND Flash產(chǎn)品

《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》4日訊，鎧俠產(chǎn)線稼動(dòng)率據(jù)悉已在6月回升至100%水準(zhǔn)、且將在7月內(nèi)量產(chǎn)最先進(jìn)存儲(chǔ)芯片(NAND Flash)產(chǎn)品，借此開(kāi)拓因生成式AI普及而急增的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。據(jù)悉，鎧俠將開(kāi)始量產(chǎn)的NAND Flash產(chǎn)品堆疊218層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件，和現(xiàn)行產(chǎn)品相比，存儲(chǔ)容量提高約50%，寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ）
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NAND市場(chǎng)，激戰(zhàn)打響

隨著人工智能（AI）相關(guān)半導(dǎo)體對(duì)高帶寬存儲(chǔ)（HBM）需求的推動(dòng)，NAND 閃存市場(chǎng)也感受到了這一趨勢(shì)的影響。目前，NAND 閃存市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)正在加劇，存儲(chǔ)巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產(chǎn)品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產(chǎn)第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品開(kāi)始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場(chǎng)的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類(lèi)型之分，
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鎧俠結(jié)束減產(chǎn)？?jī)勺鵑AND工廠開(kāi)工率提高至100%

據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，鑒于市場(chǎng)正在復(fù)蘇，日本存儲(chǔ)芯片廠商鎧俠已結(jié)束持續(xù)20個(gè)月的減產(chǎn)行動(dòng)，且貸方同意提供新的信貸額度。報(bào)道稱(chēng)，鎧俠于6月份將位于三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND工廠的生產(chǎn)線開(kāi)工率提高至100%。而隨著業(yè)務(wù)好轉(zhuǎn)，債權(quán)銀行已同意為6月份到期的5,400億日元（34.3億美元）貸款進(jìn)行再融資。他們還將設(shè)立總額為2,100億日元的新信貸額度。2022年10月，為應(yīng)對(duì)需求低迷的市場(chǎng)環(huán)境，鎧俠發(fā)布聲明稱(chēng)，將調(diào)整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠的生產(chǎn)，將晶圓生產(chǎn)量減少約30%，并表示會(huì)繼續(xù)根據(jù)
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Omdia：2027 年 QLC 市場(chǎng)規(guī)模將占整體 NAND 閃存 46.4%，為去年 3.6 倍

IT之家 6 月 14 日消息，韓媒 Sedaily 轉(zhuǎn)述市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu) Omdia 的話稱(chēng)，2027 年 QLC 市場(chǎng)規(guī)模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%，僅略低于 TLC 的 51%。作為對(duì)比，Omdia 認(rèn)為 2023 年 QLC 閃存市場(chǎng)份額占比僅有 12.9%，今年這一比例將大幅增至 20.7%。換句話說(shuō)，未來(lái)三年 QLC 在 NAND 市場(chǎng)整體中的占比將在今年的基礎(chǔ)上繼續(xù)提升 1.24 倍，達(dá) 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前，QLC 的市場(chǎng)滲透主要
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三星計(jì)劃到2030年推出1000層3D NAND新材料

據(jù)外媒報(bào)道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實(shí)現(xiàn)pb級(jí)ssd。如果上述材料研發(fā)順利，將能夠在特定條件下表現(xiàn)出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術(shù)中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩(wěn)定度。據(jù)三星電子高管預(yù)測(cè)，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數(shù)將超過(guò)1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術(shù)演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroel
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三星1000層NAND目標(biāo)，靠它實(shí)現(xiàn)

三星電子計(jì)劃實(shí)現(xiàn)“PB級(jí)”存儲(chǔ)器目標(biāo)。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實(shí)現(xiàn)目標(biāo)，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲(chǔ)器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計(jì)劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)將達(dá)到驚人的430層。三星的目標(biāo)是盡快實(shí)現(xiàn)超過(guò)1000 TB的存儲(chǔ)容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強(qiáng)大的存儲(chǔ)支持。最新消息是，KAIST的研究
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三星1000層NAND目標(biāo)，靠它實(shí)現(xiàn)？

三星電子計(jì)劃實(shí)現(xiàn)“PB級(jí)”存儲(chǔ)器目標(biāo)。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實(shí)現(xiàn)目標(biāo)，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲(chǔ)器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計(jì)劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)將達(dá)到驚人的430層。三星的目標(biāo)是盡快實(shí)現(xiàn)超過(guò)1000 TB的存儲(chǔ)容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強(qiáng)大的存儲(chǔ)支持。最新消息是，KAIST的
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SK海力士開(kāi)發(fā)新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案“ZUFS 4.0”

· 作為業(yè)界最高性能產(chǎn)品，將于今年第3季度開(kāi)始量產(chǎn)并搭載于端側(cè)AI手機(jī)· 與前一代產(chǎn)品相比，長(zhǎng)期使用所導(dǎo)致的性能下降方面實(shí)現(xiàn)大幅改善，其使用壽命也提升40%· “繼HBM后，也在NAND閃存解決方案領(lǐng)域引領(lǐng)面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司開(kāi)發(fā)出用于端側(cè)（On-Device）AI*的移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0為新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品，其產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高
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SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨(dú)特的性能。
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第二季DRAM合約價(jià)漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%

據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預(yù)估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價(jià)季漲幅同步上修至約15~20%，全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價(jià)格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢?cè)阮A(yù)估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當(dāng)時(shí)從合約價(jià)先行指標(biāo)的現(xiàn)貨價(jià)格就可看出，現(xiàn)貨價(jià)已出現(xiàn)連續(xù)走弱，上漲動(dòng)能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機(jī)
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累計(jì)上漲100%還不停！消息稱(chēng)SK海力士將對(duì)內(nèi)存等漲價(jià) 至少上調(diào)20%

5月6日消息，供應(yīng)鏈爆料稱(chēng)，SK海力士將對(duì)旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價(jià)，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說(shuō)法，海力士DRAM產(chǎn)品價(jià)格從去年第四季度開(kāi)始逐月上調(diào)，目前已累計(jì)上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩?？恐鎯?chǔ)漲價(jià)，三星電子2024年第一季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到了6.606萬(wàn)億韓元。財(cái)報(bào)顯示，三星電子一季度存儲(chǔ)業(yè)務(wù)營(yíng)收17.49萬(wàn)億韓元，環(huán)比增長(zhǎng)11%，同比暴漲96%，在整體的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收當(dāng)中的占比高達(dá)75.58%。三星表示，一季度存儲(chǔ)市場(chǎng)總體需求強(qiáng)勁，特別是生
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美光率先量產(chǎn)面向客戶端和數(shù)據(jù)中心的200+層QLC NAND產(chǎn)品

Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，美光232層QLC NAND現(xiàn)已量產(chǎn)，并在部分?Crucial?英睿達(dá)固態(tài)硬盤(pán)（SSD）中出貨。與此同時(shí)，美光?2500 NVMeTM?SSD?也已面向企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)客戶量產(chǎn)，并向?PC OEM?廠商出樣。這些進(jìn)展彰顯了美光在?NAND?技術(shù)領(lǐng)域的長(zhǎng)期領(lǐng)導(dǎo)地位。美光?232?層?QLC NAND?可為移動(dòng)
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群聯(lián)3月?tīng)I(yíng)收年增73%，創(chuàng)歷史單月新高紀(jì)錄

近日，存儲(chǔ)廠商群聯(lián)公布了2024年3月份營(yíng)運(yùn)結(jié)果，合并營(yíng)收為新臺(tái)幣67.75億元，年成長(zhǎng)達(dá)73%，刷新歷史單月?tīng)I(yíng)收新高紀(jì)錄。全年度營(yíng)收累計(jì)至3月份達(dá)新臺(tái)幣165.26億元，年成長(zhǎng)達(dá)64%，為歷史同期次高。群聯(lián)表示，2024年3月份SSD控制芯片總累計(jì)總出貨量年成長(zhǎng)達(dá)96%，其中PCIe SSD控制芯片總出貨量年增率達(dá)176%，刷新歷史單月新高。此外，全年度累計(jì)至3月份之整體NAND閃存位元數(shù)總出貨量的年成長(zhǎng)率（Bit Growth Rate）也達(dá)80%，刷新歷史同期新高，顯示整體市場(chǎng)需求持續(xù)緩步回升趨勢(shì)不
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3D NAND，1000層競(jìng)爭(zhēng)加速

據(jù)國(guó)外媒體Xtech Nikkei報(bào)道，日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上宣布，該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應(yīng)用幾乎無(wú)處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)便主要集中在芯
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