nand 文章 進入nand 技術(shù)社區(qū)
支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng)新
- 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能）的性能，就需要對架構(gòu)、材料和核心制造流程進行復(fù)雜且代價高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構(gòu)、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預(yù)算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺，包括一個或多
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西部數(shù)據(jù)宣布進一步削減生產(chǎn)和投資，NAND 晶圓產(chǎn)量將減少至 30%
- IT之家 2 月 7 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 報道，在內(nèi)存半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)低迷的情況下，全球 NAND 閃存市場第四大公司西部數(shù)據(jù)宣布將進一步縮減設(shè)備投資和生產(chǎn)。西部數(shù)據(jù) 1 月 31 日在 2022 年第四季度業(yè)績電話會議上表示，2023 財年設(shè)備投資總額將達到 23 億美元（當前約 156.17 億元人民幣）。據(jù)IT之家了解，這一數(shù)字比 2022 年 10 月披露的 27 億美元（當前約 183.33 億元人民幣）下降了 14.8%，與 2022 年 8 月公布
- 關(guān)鍵字： NAND 內(nèi)存 西部數(shù)據(jù)
NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成
- 消費性固態(tài)硬盤（Client SSD）受惠于疫情紅利，在過去二年作為推動全球NAND Flash需求位成長的要角，市調(diào)機構(gòu)集邦預(yù)估，2022年消費性SSD在筆電的滲透率達92％，2023年約96％。但隨疫情紅利退場，加上總經(jīng)不佳導(dǎo)致消費性電子需求急凍，未來消費性SSD需求放緩最明顯，連帶使整體NAND Flash需求位成長受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消費性SSD于筆電搭載容量已逾500GB，512GB消費性SSD在近期迅速跌價后，已與半年前256GB報價相近，甚至
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基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設(shè)計與實現(xiàn)
- 在現(xiàn)代電子設(shè)備中，越來越多的產(chǎn)品使用NAND FLASH芯片來進行大容量的數(shù)據(jù)存儲，而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯(lián)。根據(jù)NAND FLASH的特點，需要識別NAND FLASH芯片的壞塊并進行管理。FPGA對壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設(shè)計方法，利用FPGA中RAM模塊，設(shè)計了狀態(tài)機電路，靈活地實現(xiàn)壞塊表的建立、儲存和管理，并且對該設(shè)計進行測試驗證。
- 關(guān)鍵字： NAND FLASH FPGA 壞塊 壞塊檢測 202212
全球首款！美光232層NAND客戶端SSD正式出貨
- 12月15日，美光宣布，已開始向PC OEM客戶出貨適用于主流筆記本電腦和臺式機的美光2550 NVMe固態(tài)硬盤（SSD）。據(jù)官方介紹，美光2550是全球首款采用200+層NAND技術(shù)的客戶端SSD，該產(chǎn)品基于PCIe 4.0架構(gòu)，采用美光232層NAND技術(shù)，加強了散熱架構(gòu)和低功耗設(shè)計。美光2550 SSD可在包括游戲、消費和商用客戶端等主流PC平臺上提升應(yīng)用程序的運行速度和響應(yīng)靈敏度。與競品相比，2550 SSD文件傳輸速度快112%，辦公應(yīng)用運行速度快67%，主流游戲加載速度快57%，內(nèi)容創(chuàng)
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韓國芯片出口暴降30%！SSD腰斬白菜價甩賣：SK海力士、三星虧到家
- 作為韓國的重要支柱，芯片出口的多少，直接關(guān)系著幾大財團的營收，比如三星、SK海力士等等。據(jù)國外媒體報道，消費電子產(chǎn)品需求下滑，導(dǎo)致對芯片的需求下滑，尤其是存儲芯片，需求與價格雙雙下滑。韓國關(guān)稅廳最新公布的數(shù)據(jù)顯示，在11月份的前20天，韓國芯片出口52.8億美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韓國重要的出口產(chǎn)品還有智能手機等移動設(shè)備，但這一類產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額，也同比下滑20.6%，降至13.6億美元。比較有標志性的一個現(xiàn)象是，全球智能手機老大已經(jīng)在不停的砍單了，至少在3000萬部，這也
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三星開始量產(chǎn)第8代V-NAND，存儲密度高達1Tb
- 作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。三星電子第八代V-NAND，1Tb三星閃存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁SungHoi Hu表示："市場對更高密度、更大容量存儲的需求，推動了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3
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三星宣布量產(chǎn)第 8 代 V-NAND 閃存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps
- IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒有發(fā)布任何實際產(chǎn)品，但三星電子現(xiàn)宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度，當搭配高端主控使用時，它可使得消費級 SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據(jù)介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒有公開 IC 的大小和實際密度，不過他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱，與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比，
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存儲系統(tǒng)的數(shù)字安全技術(shù)
- NAND 閃存用于各種消費和工業(yè)產(chǎn)品，從筆記本電腦和手機到工業(yè)機器人、醫(yī)療設(shè)備和嵌入式物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，如傳感器和控制器。 在我們?nèi)找婊ヂ?lián)的世界中，這些應(yīng)用程序中的所有脆弱點都需要足夠和強大的安全措施，包括數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)。 因此，在選擇或設(shè)計 NAND 閃存存儲系統(tǒng)時，必須確保存儲器的安全性滿足應(yīng)用程序的要求。執(zhí)行現(xiàn)代安全技術(shù)需要足夠的處理能力。 作為存儲系統(tǒng)的“大腦”，NAND閃存控制器必須足夠強大以支持整個存儲系統(tǒng)所需的安全級別。 本文概述了 NAND 閃存的安全性，涵蓋了最常見的硬件和軟件技術(shù)，有助于告知讀
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SK海力士：未研究過“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”相關(guān)具體計劃
- 近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠運營作出澄清說明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績發(fā)表會上，針對由于地緣政治問題及多種因素導(dǎo)致中國工廠運營受困的各種假想情境，作出了可能會考慮應(yīng)急方案(Contingency Plan)的原則性回復(fù)。其中，“中國工廠的設(shè)備轉(zhuǎn)移”等相關(guān)發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場回復(fù)，SK海力士澄清并未研究過與此相關(guān)的具體計劃。另外，針對美國對芯片設(shè)備出口的管制，SK海力士表示，
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SK海力士與美國完成協(xié)商，確保在一年內(nèi)不獲取許可的前提下為中國工廠供應(yīng)設(shè)備
- SK海力士于10月12日通過聲明表示，公司完成與美國商務(wù)部進行協(xié)商，確保在接下來一年內(nèi)不獲取個別許可的前提下為中國工廠供應(yīng)所需的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備。借此，SK海力士預(yù)期將能夠在接下來一年內(nèi)不獲取美方個別許可的前提下為中國工廠保障生產(chǎn)設(shè)備的供應(yīng)，進而維持在中國的生產(chǎn)經(jīng)營。SK海力士表示：“公司與美方圓滿完成了就在中國持續(xù)生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的協(xié)商。SK海力士將繼續(xù)與韓國政府及美國商務(wù)部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠的運營盡最大的努力?！泵绹虅?wù)部先前于10月7日發(fā)布稱，將限制用于在中國生產(chǎn)18納米以下
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業(yè)界首發(fā)，美光232層NAND，開啟存儲技術(shù)創(chuàng)新浪潮
- 如何開發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同時容量更大的閃存產(chǎn)品，這是美光研發(fā)工程師每天都要應(yīng)對的挑戰(zhàn)。隨著各國對數(shù)字化轉(zhuǎn)型和云遷移的重視，世界對存儲容量和性能的要求越來越大。美光正在迎接這一創(chuàng)新變局。這些變化體現(xiàn)在異構(gòu)計算、邊緣計算、數(shù)據(jù)中心、金融系統(tǒng)實時大數(shù)據(jù)更新，以及移動設(shè)備、消費電子、汽車信息娛樂系統(tǒng)帶來智能化沉浸式體驗。美光232層NAND技術(shù)為這些高性能存儲應(yīng)用環(huán)境提供了可能。優(yōu)秀的架構(gòu)，高效優(yōu)化存儲顆粒的使用空間和密度 美光推出的全球首款232層NAND基于CuA架構(gòu)，通過增加NAN
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集邦：第四季NAND Flash價格續(xù)跌15～20％
- 根據(jù)集邦科技研究顯示，目前NAND Flash正處于供過于求，下半年起買方著重去化庫存而大幅減少采購量，賣方開出破盤價以鞏固訂單，使第三季NAND晶圓（wafer）價格跌幅達30～35％，但各類NAND Flash終端產(chǎn)品仍疲弱，原廠庫存因此急速上升，預(yù)期將導(dǎo)致第四季NAND Flash總體平均價格跌幅擴大至15～20％。集邦表示，因為需求低迷導(dǎo)致NAND Flash下半年價格大跌，多數(shù)原廠的NAND Flash產(chǎn)品銷售也將自今年底前正式步入虧損，意即部分供貨商在運營陷入虧損的壓力下，對于采取減產(chǎn)以降低虧
- 關(guān)鍵字： 集邦 NAND Flash
庫存難減 DRAM價Q4恐再跌13～18％
- 市調(diào)機構(gòu)表示，在高通脹影響下，消費性產(chǎn)品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購，導(dǎo)致供貨商庫存壓力進一步升高。同時，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場上已有「第三、四季合并議價」或「先談量再議價」的情形，導(dǎo)致第四季DRAM價格續(xù)跌13％～18％。標準型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠仍將著重去化DRAM庫存，而DRAM供應(yīng)端在營業(yè)利益仍佳的前提下，未有實際減產(chǎn)情形，故位產(chǎn)出仍持續(xù)升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來
- 關(guān)鍵字： 集邦 DRAM NAND
拆機證實，國行蘋果 iPhone 14 / Pro 系列已采用長江存儲國產(chǎn) NAND 閃存
- IT之家 9 月 16 日消息，9 月 8 日，蘋果召開新品發(fā)布會，正式發(fā)布了 iPhone 14 系列手機，起價 5999 元。在此之前，韓媒消息稱中國廠商長江存儲已經(jīng)進入蘋果供應(yīng)鏈，將供貨 iPhone 14 系列 NAND 閃存。后續(xù)蘋果也承認正考慮從長江存儲采購 NAND 芯片，但僅會用于在中國銷售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前，蘋果高度依賴三星電子、SK 海力士等韓國存儲芯片廠商。因此，市場觀察人士認為，蘋果與長江存儲合作，將使他們 NAND 閃存的供應(yīng)商進一步
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