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          打破半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)三強(qiáng)鼎立局面的機(jī)會(huì)何在?

          • 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一個(gè)高度壟斷的市場,其三大主流產(chǎn)品DRAM,NANDFlash,NORFlash更是如此,尤其是前兩者,全球市場基本被前三大公司占據(jù),且近年來壟斷程度逐步加劇。
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  NAND  

          中國手機(jī)出貨強(qiáng)勁 推動(dòng)?xùn)|芝營業(yè)利潤預(yù)期上調(diào)一倍

          •   據(jù)外媒報(bào)道,東芝今天將截至9月份的上半財(cái)年?duì)I業(yè)利潤預(yù)期上調(diào)一倍以上至700億日元(約合6.95億美元),此前預(yù)期為300億日元。   受此消息推動(dòng),東芝股價(jià)在周三快速上漲,創(chuàng)下自去年10月以來的最高點(diǎn)。這是東芝第二次上調(diào)營業(yè)利潤預(yù)期,該公司在今年5月份最初預(yù)計(jì)上半財(cái)年將營業(yè)虧損200億日元。   智能機(jī)存儲(chǔ)芯片的強(qiáng)勁需求推動(dòng)?xùn)|芝上調(diào)營業(yè)利潤預(yù)期。另外,比東芝保守預(yù)期更為疲軟的日元匯率也發(fā)揮了推動(dòng)作用。   芯片需求的增長源于中國智能機(jī)出貨量的強(qiáng)勁表現(xiàn)。盡管全球智能機(jī)市場表現(xiàn)乏力,但是中國智能機(jī)出
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

          NAND閃存需求提升 東芝調(diào)高上半年獲利預(yù)測

          •   先前,因?yàn)槭艿竭B續(xù)7年作假帳風(fēng)波,因而導(dǎo)致公司商譽(yù)嚴(yán)重受損,并且沖擊投資人信心的日本電子大廠東芝(Toshiba),28日宣布上調(diào)2016年上半年度的獲利預(yù)測,預(yù)估將上調(diào)至850億日元的水準(zhǔn),較原本預(yù)估的700億日元調(diào)高21.43%,每股EPS也將達(dá)到20.08日元,等于宣告正式擺脫公司作假帳的陰霾。   東芝于28日發(fā)出的消息表示,由于受惠于智能手機(jī)對(duì)于NAND閃存的提升,尤其在中國市場,在手機(jī)制造商不斷提升產(chǎn)品的儲(chǔ)存能力,所以需要性能越來越好的NAND閃存產(chǎn)品,導(dǎo)致相關(guān)價(jià)格的不斷上揚(yáng),如此以進(jìn)一
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

          三大變化為日本半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)增添活力

          •   日媒稱,日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)日前宣布8月份半導(dǎo)體制造設(shè)備的訂貨金額(3個(gè)月移動(dòng)平均值,速報(bào)值)為1348億日元(約合人民幣90億元),同比增長30.8%。這是自2014年3月(34.0%)以來時(shí)隔29個(gè)月增長率首次超過30%。中國半導(dǎo)體制造商興起、半導(dǎo)體的微細(xì)化、立體化這三大變化為整個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來了活力。另一方面,半導(dǎo)體設(shè)備制造商之間的優(yōu)勝劣汰也有可能變得更加明顯。   據(jù)外媒報(bào)道,“采購設(shè)備的時(shí)間提前了”,東電電子社長河合利樹無法掩飾他對(duì)半導(dǎo)體制造商們強(qiáng)烈設(shè)備投資欲的驚訝。
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  NAND  

          日媒:中國半導(dǎo)體制造設(shè)備市場大幅增長

          •   據(jù)韓聯(lián)社9月19日?qǐng)?bào)道,韓國市場調(diào)研機(jī)構(gòu)IHS和半導(dǎo)體業(yè)界19日消息,三星電子在今年第二季度整合元件制造商排名中位列第二,銷售額占有率為11.3%,與英特爾的差距縮小到3.4個(gè)百分點(diǎn)。   今年第二季度三星電子銷售額達(dá)94.52億美元,排名第一的美國英特爾半導(dǎo)體銷售額達(dá)122.72億美元,市場份額為14.7%。   三星與英特爾的市場份額差距在2012年達(dá)5.3個(gè)百分點(diǎn),2013年為4.2個(gè)百分點(diǎn),2014年3.4個(gè)百分點(diǎn),2015年為3.2個(gè)百分點(diǎn)。雖然,今年第一季度差距拉大到4個(gè)百分點(diǎn)以上,但
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  NAND  

          第二季NAND Flash品牌營收排行

          •   第二季NAND Flash品牌商營收較上季成長3.4%,結(jié)束前兩季連續(xù)衰退的頹勢。   受惠于中國智慧型手機(jī)品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求,第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊;TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示,2016年第二季eMMC、用戶級(jí)固態(tài)硬碟與企業(yè)級(jí)固態(tài)硬碟的合約價(jià)跌幅開始收斂,通路端wafer價(jià)格更從四月起逐月走揚(yáng),第二季NAND Flash品牌商營收逆勢季成長3.4%,結(jié)束前兩季連續(xù)衰退的頹勢。   DRAM
          • 關(guān)鍵字: NAND  三星  

          美光3D NAND創(chuàng)新低成本制程分析

          •   美光公司日前開始量產(chǎn)其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體,包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示,這款產(chǎn)品的連續(xù)讀取/寫入速度分別高達(dá)每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅(qū)動(dòng)器(HDD)改善了90倍,據(jù)稱也更加耐用。   Crucial SSD的售價(jià)為200美元,這使其成為筆記型電腦應(yīng)用最具吸引力的選項(xiàng),而且我們發(fā)現(xiàn)有越來越多的電腦設(shè)備開始利用SSD取代傳統(tǒng)HDD。HDD也許將逐漸被市場所淘汰,不過必須承認(rèn)的
          • 關(guān)鍵字: 美光  3D NAND  

          TrendForce:市況逐步回穩(wěn),第二季NAND Flash品牌商營收季成長3.4%

          •   受惠于中國智能手機(jī)品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求,第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊。   TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新報(bào)告顯示,第二季eMMC、消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤與企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤的合約價(jià)跌幅開始收斂,渠道端wafer價(jià)格更從4月起逐月上揚(yáng),第二季NAND Flash品牌商營收逆勢季成長3.4%,結(jié)束前兩季度連續(xù)衰退的頹勢。        DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,第三?/li>
          • 關(guān)鍵字: 美光  NAND   

          美光:始終專注企業(yè)級(jí)閃存 觀望3D NAND

          • 在全球第二大DRAM芯片制造商的密切關(guān)注之下,2D或者說平面NAND仍將在3D技術(shù)普及之前繼續(xù)統(tǒng)治存儲(chǔ)領(lǐng)域。作為佐證,美光(Micron)公司有意將這套已出現(xiàn)兩
          • 關(guān)鍵字: 美光  企業(yè)級(jí)閃存  NAND   

          IC Insights:NAND與DRAM朝3D發(fā)展

          • 隨著DRAM和NAND技術(shù)持續(xù)邁向更先進(jìn)幾何制程與多層次存儲(chǔ)器的道路,IC Insights密切觀察有關(guān)DRAM和NAND供應(yīng)商的最新動(dòng)態(tài),期望能提供更清楚的DRAM/NAND發(fā)展
          • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM   

          三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升

          • 韓國三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)開始進(jìn)行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比,具有包
          • 關(guān)鍵字: 3D垂直閃存  V-NAND  固態(tài)硬盤   

          三星3D V-NAND固態(tài)盤加速企業(yè)閃存進(jìn)化

          • 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級(jí)應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤存儲(chǔ)--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術(shù)帶來性能上的提升,節(jié)省電力消耗,并提高了急需
          • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  3D  固態(tài)盤   

          8月NAND合約價(jià) 較上月跌近2成

          • 根據(jù)研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,NAND Flash合約價(jià)在8月上旬下跌6~8%后,8月下旬續(xù)跌5~10%,亦即8月合約價(jià)較7月重跌11~18%
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  NAND  Flash芯片   

          SK海力士業(yè)務(wù)重整 DRAM、NAND等目標(biāo)并進(jìn)

          • 南韓半導(dǎo)體大廠SK海力士(SK Hynix)將重整業(yè)務(wù)組織,將DRAM、NAND Flash、CMOS影像感測器(CIS)等三大事業(yè)群分開各自營運(yùn),事業(yè)群自行加強(qiáng)競爭力,而SK海力士
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  DRAM  NAND   

          三星、東芝競擴(kuò)產(chǎn),NAND Flash恐跌三成

          • 全球NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求,預(yù)估NAND Flash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成,且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli最
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