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鎂光：3D閃存芯片能讓手機(jī)擁有更多內(nèi)存容量
- 近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(Flash Memory Summit)上，鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲存空間。據(jù) PCWorld 報道，鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB，其目標(biāo)市場為中高端的智能手機(jī)。該產(chǎn)品基于新的 UFS 2.1 標(biāo)準(zhǔn)，市面上的智能手機(jī)均未使用這種理論上更快的儲存協(xié)議。 鎂光認(rèn)為智能手機(jī)對內(nèi)存容量的需求越來越高，虛擬現(xiàn)實應(yīng)用和流媒體都將占用大量的儲存空間。他們表示，在幾年
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面對大陸攻勢 三星海力士強(qiáng)化3D NAND投資
- 據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報導(dǎo)，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強(qiáng)力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強(qiáng)化投資。 市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導(dǎo)體市場中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲進(jìn)行武漢新芯的股權(quán)收購，成立長江存儲科技有限責(zé)任公司，未來可能引發(fā)NAND Flash市場版圖變化。 清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈，在社會上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術(shù)方面
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三星年底前量產(chǎn)64層3D NAND
- 上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報道，三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND，三星表示，目標(biāo)是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。 SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術(shù)演進(jìn)，成本價格逐漸逼近硬盤(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash(儲存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
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東芝超車失?。喝悄甑浊傲慨a(chǎn)64層3D NAND
- 上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報道，三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND，三星表示，目標(biāo)是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。 SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術(shù)演進(jìn)，成本價格逐漸逼近硬盤(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash(儲存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
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陶氏發(fā)表OPTIPLANE 先進(jìn)半導(dǎo)體制造化學(xué)機(jī)械研磨液(CMP)平臺
- 陶氏電子材料是陶氏化學(xué)公司的一個事業(yè)部，本日推出 OPTIPLANE™ 化學(xué)機(jī)械研磨液 (CMP) 平臺。OPTIPLANE 研磨液系列的開發(fā)是為了滿足客戶對先進(jìn)半導(dǎo)體研磨液的需求：能以有競爭力的成本，符合減少缺陷的要求和更嚴(yán)格的規(guī)格，適合用來製造新一代先進(jìn)半導(dǎo)體裝置。 全球 CMP 消耗品市場持續(xù)成長，部分的成長驅(qū)動力來自新的 3D 邏輯、NAND 快閃記憶體和封裝應(yīng)用，這些均要求大幅提高的平坦化效果和最低程度的缺陷率，以符合無數(shù)先進(jìn)電子裝置的性能需求。 「生產(chǎn)先進(jìn)半導(dǎo)體晶圓
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英特爾大連55億美元非易失性存儲項目提前投產(chǎn)
- 經(jīng)過8個多月的努力，英特爾大連非易失性存儲制造新項目7月初實現(xiàn)提前投產(chǎn)。7月25日，記者在英特爾半導(dǎo)體(大連)有限公司廠區(qū)內(nèi)看到，1000多名英特爾員工和來自全世界的數(shù)千名項目建設(shè)供應(yīng)商員工，正井然有序地忙碌著，他們的共同目標(biāo)只有一個：全力加速非易失性存儲制造新項目的量產(chǎn)步伐。 去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設(shè)為世界上最先進(jìn)的非易失性存儲器制造工廠。該項目是迄今為止英特爾在中國的最大一筆投資，也是大連市乃至遼寧省改革開放以來最大的外資項目。此前的2010年，作為英特爾在亞洲
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NAND快閃記憶體價格上漲 創(chuàng)見威剛笑開懷
- NAND快閃記憶體受惠固態(tài)硬盤(SSD)銷售熱絡(luò)，加上智能手機(jī)搭載容量提高，帶動近月價格持續(xù)上漲，創(chuàng)見、威剛等模組廠營運(yùn)受惠，市場預(yù)期蘋果將推出的iPhone 7拉貨動能如何，將攸關(guān)NAND快閃記憶體價格續(xù)漲力道。 市場指出，上半年非蘋陣營智能手機(jī)產(chǎn)品銷售強(qiáng)勁，產(chǎn)品功能提升帶動記憶體需求大增，加上6月三星西安廠因變電廠爆炸導(dǎo)致停工，帶動NAND快閃記憶體價格上漲，主流產(chǎn)品在1個月內(nèi)漲幅超過2成。 市況變化帶動記憶體模組廠營運(yùn)增溫，創(chuàng)見表示，在漲價預(yù)期心理帶動下，通路拉貨力道明顯回升，DRA
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三星西安廠事故導(dǎo)致NAND價格爆沖22%
- 因中國大陸、中國臺灣智能手機(jī)廠商紛紛強(qiáng)化產(chǎn)品功能、帶動記憶體需求大增，加上三星電子西安工廠6月因附近變電廠爆炸而一度停工，帶動使用于智能手機(jī)、記憶卡的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)交易價格轉(zhuǎn)趨走揚(yáng)，指標(biāo)性產(chǎn)品6月份批發(fā)價在1個月期間內(nèi)飆漲22%。 報道指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)類型64Gb NAND價格揚(yáng)升至每個2.75美元、為2年9個月以來首度走升，其中也有部分交易價格超過3美元，且進(jìn)入7月以來價格仍持續(xù)走揚(yáng)。據(jù)英國調(diào)查公司指出，2016年全球NA
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東芝將領(lǐng)先三星推出64層3D NAND Flash
- 據(jù)海外媒體報道，東芝(Toshiba)計劃領(lǐng)先三星電子(Samsung Electronics)于2016財年開始量產(chǎn)64層3D NAND Flash存儲器芯片。日經(jīng)亞洲評論(Nikkei Asian Review)報導(dǎo)，東芝于7月15日舉辦日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導(dǎo)體二廠啟用儀式，未來將在此工廠生產(chǎn)64層NAND Flash。 64層NAND Flash較東芝和三星目前生產(chǎn)的48層NAND Flash容量高30%，雖然價格較高，但每單位容量會比48層版的便宜。若應(yīng)用于智能型手機(jī)
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三星48層3D V-NAND快閃存儲器揭密
- 備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊總算等到了大好機(jī)會先睹為快。 三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強(qiáng)調(diào)將用于各種固態(tài)硬碟(SSD)，也預(yù)計會在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實現(xiàn)了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。 圖1：三星T3 2TB S
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東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成
- 東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲器事業(yè)的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示，將沖刺N(yùn)AND Flash產(chǎn)量，目標(biāo)在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴(kuò)增至2015年度的3倍水準(zhǔn)(以容量換算)。 關(guān)于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash，成毛康雄指出，將強(qiáng)化3D Flash的生產(chǎn)，目標(biāo)在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準(zhǔn)。 東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。 日經(jīng)、韓國先驅(qū)報(
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