nand 文章 進入nand 技術(shù)社區(qū)
NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場暗潮洶涌 各家布局蓄勢待發(fā)
- 受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲器價格將反轉(zhuǎn)契機出現(xiàn)，NAND Flash價格調(diào)漲從7月開始顯現(xiàn)，而國際大廠之間的技術(shù)競爭更是暗潮洶涌。
- 關(guān)鍵字： 三星電子 東芝存儲器 NAND Flash 3D XPoint Z-NAND
日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價格走勢，長期須關(guān)注原廠庫存水位
- Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報價狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長，短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲器價格將反轉(zhuǎn)，集邦咨詢分析指出，因DRAM價格已歷經(jīng)連續(xù)三個季度快速下滑，下游
- 關(guān)鍵字： 日韓貿(mào)易戰(zhàn) 東芝 DRAM/NAND
停電余威沖擊NAND Flash出貨 價格維持小跌
- 日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外，市場傳出存儲器大廠東芝存儲器(TMC)當(dāng)?shù)貭I運的5座 NAND Flash工廠的營運中斷，盡管東芝存儲器尚未對外說明影響，但據(jù)傳出，合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無法按照原定時程出貨。
- 關(guān)鍵字： ?威騰 東芝存儲器 NAND Flash
為物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)發(fā)展做出突出貢獻，Entegris用了哪些方法？
- 當(dāng)前，我們正在經(jīng)歷第四次工業(yè)革命的歷史進程，在這里催生了很多新技術(shù)和新市場，比如物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、新能源、3D打印、納米技術(shù)等等。這么多新的技術(shù)和產(chǎn)品相互激勵、互相融合，共同推動半導(dǎo)體行業(yè)不斷發(fā)展，從而改變?nèi)祟惖纳罘绞健?/li>
- 關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng) Entegris 3D NAND
NAND價格走跌，2019年P(guān)CIe SSD市場發(fā)展?jié)摿薮?/a>
- Admin 固態(tài)硬盤 今天由于NVMe的價格溢價下降，預(yù)計今年P(guān)CIe連接驅(qū)動器的銷售量將與SATA固態(tài)硬盤達到同等水平。 據(jù)報道，固態(tài)硬盤(SSD)和閃存卡中使用的NAND閃存大幅降價正在推動市場兩端的銷售。制造商正在為相對有利可圖的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心用例定制新的解決方案，而客戶端SSD的低成本正在推動OEM廠商的采用率，以包含在PC中?！ 「鶕?jù)該報告，最引人注目的是，512 GB固態(tài)硬盤的單價與2018年同期的256 GB固態(tài)硬盤相匹配，預(yù)計到2019年剩余時間內(nèi)固態(tài)硬盤的價格將從512 GB降
- 關(guān)鍵字： NAND SSD
集邦咨詢：受惠需求回溫及產(chǎn)能調(diào)節(jié)，第二季NAND Flash合約價跌幅略有收斂
- Mar. 20, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查指出，受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機換機周期延長、蘋果新機銷售不如預(yù)期等終端需求不佳沖擊，2019年第一季各類NAND Flash產(chǎn)品合約價綜合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash轉(zhuǎn)為供過于求以來跌幅最劇的一季?！ ≌雇诙?，DRAMeXchange分析師葉茂盛表示，歷經(jīng)第一季的需求低谷之后，智能手機、筆記本電腦及服務(wù)器等主要需求較第一季有所改善。另一方面，NAND Flash供應(yīng)商
- 關(guān)鍵字： NAND UFS SSD
東芝和西數(shù)正研發(fā)128層3D NAND閃存：最早2020年上市
- 根據(jù)外媒的報道，東芝及其戰(zhàn)略盟友西部數(shù)據(jù)準(zhǔn)備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中，該芯片將命名為BiCS-5?！ ?jù)介紹，芯片將實現(xiàn)TLC，而不是更新的QLC。這可能是因為NAND閃存制造商仍然對QLC芯片的低產(chǎn)量有擔(dān)心。該芯片的數(shù)據(jù)密度為512 Gb，新的128層芯片的容量比96層芯片多33%，可以在2020到2021年實現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)?！ ?jù)報道，新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB / s。據(jù)報道，該芯片還采用了CuA(陣列電路)，這是一
- 關(guān)鍵字： 東芝 西數(shù) NAND
中國將增加在美半導(dǎo)體采購量？韓媒：不太容易
- 據(jù)businesskorea報道，中國計劃在未來六年內(nèi)將在美國的半導(dǎo)體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元)，大約是目前水平的五倍?！ ∪欢?，許多專家表示，美國急于遏制中國的半導(dǎo)體野心，不太可能接受中國的提議，因為它將增加對中國的半導(dǎo)體依賴?！ №n國企業(yè)對該計劃持謹(jǐn)慎態(tài)度，主要有兩個原因。 首先，中國沒有提及將購買哪一種半導(dǎo)體。一家韓國半導(dǎo)體公司的高級官員表示:“中國沒有說明將進口何種半導(dǎo)體芯片，無論是內(nèi)存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導(dǎo)體芯片。在這種情況下，很難預(yù)測對韓國企業(yè)的影響。
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
韓媒：存儲器產(chǎn)業(yè)陷入低迷，中國企業(yè)或放緩前進步伐
- 根據(jù)韓國媒體Business Korea報道，由于存儲器產(chǎn)業(yè)從2018年年底迎來低迷，存儲器產(chǎn)品價格下跌，各大存儲器廠商先后宣布降低產(chǎn)量以來，雖然三星仍然穩(wěn)坐半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)頭把交椅，但是其盈利能力已經(jīng)受到質(zhì)疑?！ o獨有偶，SK海力士等廠商的日子也不好過。頭部廠商的日子尚且如此，那還在奮斗中的中國存儲器廠商又將面對怎樣的未來呢?
- 關(guān)鍵字： 存儲器，NAND
集邦咨詢：供需失衡態(tài)勢難止，NAND Flash供應(yīng)商2019年資本支出年減2%
- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，2018年NAND Flash市場經(jīng)歷全年供過于求，且2019年筆記本電腦、智能手機、服務(wù)器等主要需求表現(xiàn)仍難見起色，預(yù)計產(chǎn)能過剩難解。在此情況下，供應(yīng)商將進一步降低資本支出以放緩擴產(chǎn)進程，避免位元成長過多導(dǎo)致過剩狀況加劇?！ RAMeXchange調(diào)查指出，2018年因供過于求難以遏制，韓系供應(yīng)商帶頭降低資本支出。NAND Flash總體資本支出下調(diào)近10%，但供需失衡的情形仍無法逆轉(zhuǎn)。2019年美系廠商減少資本支出，使得NAND
- 關(guān)鍵字： NAND 東芝
nand 介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條nand !
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nand 的理解，并與今后在此搜索nand 的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nand 的理解，并與今后在此搜索nand 的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
nand 電路
nand 相關(guān)帖子
nand 資料下載
nand 專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473