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          三星/海力士NAND閃存芯片邁向20nm級工藝

          •   繼Intel、美光上個月宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存芯片后,韓國兩大存儲廠三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工藝NAND閃存投產(chǎn)計劃。   海力士將采用26nm工藝生產(chǎn)容量為64Gb的NAND閃存芯片,這和Intel、美光首批投產(chǎn)的25nm芯片容量一致。而三星則計劃在今年第二季度投產(chǎn)27nm NAND閃存。   海力士表示,和30nm工藝相比,新工藝的閃存芯片的產(chǎn)能將翻一番,成本也將大幅度降低。根據(jù)韓國當(dāng)?shù)孛襟w的報道,海力士將在今年第三季度開始量產(chǎn) 26nm閃存芯片。在這一點上三星已經(jīng)占
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          智能手機將使用更高性能的Managed型NAND閃存

          •   盡管智能手機在其它許多方面目前比普通手機更為先進,但目前智能手機中所配用的閃存與普通手機里的并沒有太大的區(qū)別,仍然使用的是普通規(guī)格的閃存,這種閃 存在讀寫性能方面較為一般化。不過這種情況在未來一段時間內(nèi)有望改觀,閃存芯片廠商會為手機制造性能更好,可媲美PC用閃存性能的閃存芯片。     鎂光公司副總裁Brian Shirley稱:“目前大多數(shù)播放器使用的都是普通的RAW型NAND閃存,不過我們未來會向手機推出更高級的Managed型NAND閃存。”這種Mana
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          TDK推出兼容U.DMA 6的工業(yè)用CompactFlash存儲卡和高可靠性RA8系列固態(tài)硬盤

          •   TDK公司2008年11月17日宣布,將于2008年12月開始銷售兼容U.DMA 6的CFG8A系列工業(yè) 用CompactFlash(CF)存儲卡和兼容并行ATA(PATA)模式的SDG8A系列固態(tài)硬盤 (SSD),最大容量高達16 Gbyte。   這些產(chǎn)品將TDK獨創(chuàng)的NAND閃存控制器(兼容GBDriver RA8 U.DMA 6)與高速、高頻寫 入單層單元(SLC)NAND閃存相結(jié)合,從而打造出業(yè)內(nèi)最先進的NAND閃存卡,在高速性 能、耐用性及高可靠性方面邁上了新臺階。   此外,
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          福布斯:Sun的閃存夢想

          •   《福布斯》日前刊文指出,昔日的服務(wù)器巨頭Sun微系統(tǒng)公司正將其新的希望寄托在基于閃存技術(shù)的創(chuàng)新產(chǎn)品之上,希望借此恢復(fù)昔日的輝煌。   11月3日,Sun推出了一系列基于NAND閃存的數(shù)據(jù)中心存儲產(chǎn)品。眾所周知,閃存廣泛應(yīng)用于諸如iPods、筆記本、MP3、MP4產(chǎn)品之中,因為閃存不僅可以提供更快的存儲速度,而且更省電。為此Sun號稱其全新的存儲系統(tǒng)Amber Road不僅更輕薄易于使用,而且其速度和效率是同等產(chǎn)品的4倍。   不像傳統(tǒng)的硬盤,固件方式的閃存沒有旋轉(zhuǎn)的部件,因此不需要花費
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          美光科技關(guān)廠、裁員、降薪

          •   北京時間10月10日消息,據(jù)國外媒體報道,半導(dǎo)體儲存及影像產(chǎn)品制造商美光科技(Micron Tech)表示,公司將會關(guān)閉位于美國愛達荷州首府博伊西(Boise)的NAND閃存芯片工廠,另外,作為電腦存儲芯片業(yè)務(wù)重組的一部分公司將在兩年內(nèi)裁員15%。   美光科技目前的員工總數(shù)約為2.26萬人,此次裁員涉及總?cè)藬?shù)為2850人,其中1500人來自博伊西。   本周四,美光科技表示,消費者需求下降和產(chǎn)品過渡供應(yīng)導(dǎo)致閃存芯片的售價低于成本,因此公司決定關(guān)閉位于博伊西的NAND閃存工廠,并于未來
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          金融風(fēng)暴蛻變之痛 芯片制造業(yè)重新洗牌

          •   10月10日 據(jù)知情人透露,五樁價值數(shù)十億美元的重大交易目前已經(jīng)擺上臺面,牽涉到日本、臺灣和韓國的芯片制造業(yè)巨頭。日本電子業(yè)巨頭東芝正在進行談判,意欲收購美國的內(nèi)存芯片制造商Spansion。內(nèi)存芯片是手機、筆記本電腦、攝像機、MP3播放器等高科技產(chǎn)品的重要支柱。不過,由于全球金融危機壓抑了消費者的購物熱情,對高科技產(chǎn)品的需求直線降低,導(dǎo)致內(nèi)存芯片的需求跟著下跌,致使芯片售價低于制造成本。   法國巴黎銀行分析師彼得-于(Peter Yu)說:“這堪比一場完美風(fēng)暴。這個產(chǎn)業(yè)正步入產(chǎn)
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          SSD存儲技術(shù)將終結(jié)HDD

          •   HDD(混合硬盤存儲)、磁盤存儲技術(shù)將會讓位于更簡便的、更有效的SSD(固態(tài)存儲)。有什么證明嗎?希捷、西部數(shù)據(jù)、三星、東芝。英特爾、富士通、AMD、Micron、SandDisk以及LSI邏輯等企業(yè)正在開發(fā)閃存技術(shù)作為下一代處理器,并已形成規(guī)模。有一些企業(yè)諸如Spansion 和Virident Systems正在開發(fā)先進的SSD技術(shù)。閃存技術(shù)是可移動USB存儲設(shè)備的蘋果iPod以及iPhone的核心。戴爾和Sun等多年前就在開發(fā)SSD技術(shù)。以下分析可以說明為何SSD是HHD的殺手。   高可靠性
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          Seagate欲收購SanDisk 分析師表示不看好

          •   據(jù)EETimes報道,近來在閃存產(chǎn)業(yè)界盛傳希捷(Seagate)將全部或部份收購SanDisk;不過對于這樁可能的婚事,分析師卻不看好。   有人推測Seagate僅對SanDisk的固態(tài)硬盤(SSD)業(yè)務(wù)感興趣;更早的時候還有謠傳指出Seagate將收購Simple Tech (一家SSD和其它產(chǎn)品供貨商)。不過Seagate不愿對這些謠言發(fā)表評論,SanDisk也不做任何響應(yīng)。   雖然身為一家硬盤機供貨商,Seagate對閃存技術(shù)非常感興趣,且認(rèn)為SSD將對其傳統(tǒng)業(yè)務(wù)構(gòu)成潛在威脅。為了維護市
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          東芝提高手機存儲卡產(chǎn)能60%

          •   日本最大的芯片制造商東芝公司計劃將手機用小型存儲卡產(chǎn)能提升60%。昨天,外電引述業(yè)內(nèi)人士的分析稱,隨著日本國內(nèi)越來越多的人希望能在手機上觀看和錄制電視節(jié)目,市場對手機內(nèi)存的需求變得異常旺盛。公司打算逐月增產(chǎn)東芝Micro SD閃存卡,盡量趕在2009年春季實現(xiàn)月產(chǎn)2000萬件的目標(biāo)。   近日,東芝隆重推出了用于移動數(shù)碼消費設(shè)備的最大容量嵌入式NAND閃存,預(yù)計今年第四季度開始量產(chǎn)。
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          手機拆機分析揭示移動存儲的未來

          •   NAND和mDRAM激增,NOR-less機型增多   手機內(nèi)存內(nèi)容是否正在發(fā)生根本性變化?   在相對較短的時間內(nèi),隨著手機從商用工具發(fā)展成隨處可見的大眾通信工具,手機所使用的內(nèi)存一直基于NOR閃存與SRAM的組合,最近是NOR閃存與pSRAM的組合。但是,這種內(nèi)存配置正在面臨使用移動DRAM(mDRAM)和/或NAND閃存組合的方案的挑戰(zhàn)。   這種轉(zhuǎn)變的背后,是因為市場需要大容量、低成本數(shù)據(jù)存儲用于保存語音/音樂、照片和視頻,NAND最適于滿足這種需求。這些功能也需要手機RAM
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          存儲卡和優(yōu)盤市場仍有巨大潛力

          •   6月5日消息,盡管業(yè)內(nèi)廠商認(rèn)為存儲卡和優(yōu)盤市場飽和了,金士頓公司總裁John Tu最近表示,這個市場仍存在巨大的商業(yè)潛力。   Tu說,存儲卡和優(yōu)盤每個月的平均出貨量達2000萬個。巨大的出貨量表明這個市場仍在增長。他認(rèn)為,存儲卡和優(yōu)盤將作為消費者與不同種類的內(nèi)容打交道的一個“平臺”。   雖然許多人認(rèn)為存儲設(shè)備廠商應(yīng)該向數(shù)字內(nèi)容提供商付費以便為其產(chǎn)品產(chǎn)品增加內(nèi)容,但是,Tu說應(yīng)該是內(nèi)容提供商向金士頓付費,以便通過金士頓成功的銷售網(wǎng)絡(luò)、品牌和市場份額來分
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          產(chǎn)綜研聯(lián)合東京大學(xué)研制出采用強電介質(zhì)NAND閃存單元

          •   日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所(產(chǎn)綜研)與東京大學(xué),聯(lián)合研制出了采用強電介質(zhì)柵極電場效應(yīng)晶體管(Ferroelectric gate field-effect transistor:FeFET)的NAND閃存存儲單元??刹翆?億次以上,寫入電壓為6V以下。而此前的NAND閃存存儲單元只能擦寫1萬次,且寫入電壓為20V。以往的NAND閃存只能微細(xì)化到30nm左右,而此次的存儲單元技術(shù)還可以支持將來的20nm和10nm工藝技術(shù)。     此次,通過調(diào)整p型Si底板溝道中所注入雜質(zhì)的條件,使NAND
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          芯片設(shè)備業(yè)有望迎來新一輪增長周期

          •   《商業(yè)周刊》文章指出,經(jīng)過一年時間的磨難和快速衰退,半導(dǎo)體廠商們有望在2009年迎來新一輪增長周期。   當(dāng)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士正在為美國經(jīng)濟是否已經(jīng)陷入衰退而爭論不休時,半導(dǎo)體設(shè)備廠商們早就經(jīng)歷了衰退浪潮的侵襲。標(biāo)準(zhǔn)普爾分析師Angelo Zino表示:“芯片設(shè)備產(chǎn)業(yè)擁有繁榮周期,它早在一年前就已經(jīng)進入衰退期,2008年的情況也不太樂觀。”   Zino說,預(yù)計今年的半導(dǎo)體設(shè)備的銷售額將繼續(xù)下滑,主要是因為內(nèi)存芯片尤其是DRAM芯片的需求疲軟。他說:“我們
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          東芝稱NAND閃存供不應(yīng)求 計劃增建12吋晶圓廠

          • 東芝半導(dǎo)體部門總裁兼運行官齊藤莊藏表示,公司無法滿足NAND閃存的需求,且訂單已排至12月。其坦承,公司僅能滿足70%顧客訂單需求。 東芝計劃在日本興建一座新的12吋晶圓廠。東芝與其合作伙伴SanDisk最近才啟用位于日本三重縣四日市廠區(qū)興建的第4座晶圓廠(Fab4)。  齊藤莊藏還證實,該公司正在策劃下建下一座晶圓廠——Fab5,不過,確切的廠址還沒有確定。  此外,齊藤莊藏對NAND閃存的平均售價并不樂觀。不過他認(rèn)為市場對閃存的需求十分強勁,東芝公司也計劃大幅度提高產(chǎn)量,以滿足迅速
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          NAND閃存市場價格疲軟 東芝Q4凈利潤下滑37%

          • 據(jù)國外媒體報告,日本東芝公司日前發(fā)布06/07財年第四季度財務(wù)報告。報告顯示,由于閃存價格大幅下滑,東芝第四季度凈利潤同比下滑37%,但銷售額仍有所增長。  在截至今年3月31日的第四季度,東芝凈利潤達到261.7億日元(約合2.218億美元),遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于05/06財年第四季度的416.9億美元。盡管如此,該公司銷售額達到2.16萬億日元(約合183億美元),同比增長16%。由于面臨韓國以及中國臺灣廠商越來越激烈的市場競爭,包括東芝在內(nèi)的日本電子廠商面臨越來越大的價格壓力,該公司業(yè)績因此受到NAN
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          nand閃存介紹

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