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          英特爾最新發(fā)展藍(lán)圖:明年或全面轉(zhuǎn)向144層堆疊NAND

          • 處理器龍頭英特爾(Intel)近期在快閃存儲器的發(fā)展上也隨著其他各家廠商的腳步,開始有了新的進(jìn)度。根據(jù)外媒報導(dǎo),英特爾的快閃存儲器部門最近公布了發(fā)展藍(lán)圖,在目前其他各家NAND快閃存儲器供應(yīng)商都已經(jīng)開始向1xx層堆疊的發(fā)展當(dāng)下,作為主要NAND制造商之一的英特爾也預(yù)計(jì)在2021年全面轉(zhuǎn)向144層堆疊的產(chǎn)品發(fā)展。
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          群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

          • 電子醫(yī)療設(shè)備、電競游戲機(jī)、NB筆記本電腦、電視機(jī)頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因?yàn)樾鹿诜窝?(COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護(hù)或宅經(jīng)濟(jì)需求上升,不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動能,更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長亮點(diǎn)之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長江存儲 (YMTC),在2016年加入NAND Flash設(shè)計(jì)生產(chǎn)后,也為市場添增了一股活力。
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          群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

          • 電子醫(yī)療設(shè)備、電競游戲機(jī)、NB筆記本電腦、電視機(jī)頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因?yàn)樾鹿诜窝?(COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護(hù)或宅經(jīng)濟(jì)需求上升,不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動能,更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長亮點(diǎn)之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長江存儲 (YMTC),在2016年加入NAND Flash設(shè)計(jì)生產(chǎn)后,也為市場添增了一股活力。
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          長江存儲:128層3D NAND技術(shù)會按計(jì)劃在今年推出

          • 據(jù)證券時報消息,長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示,128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會有所波及。但目前長江存儲已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工,從中長期來看,這次疫情并不會影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會按計(jì)劃在2020年推出。今年早些時候,長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔表示,接下來,長江存儲將跳過如今業(yè)界常見的96層,直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作?!L江存儲64層3D NAND閃存晶圓了解到,長江存儲科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月,總
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          集邦咨詢:受新冠肺炎疫情擴(kuò)大沖擊,NAND Flash均價可能提前于下半年反轉(zhuǎn)向下

          • 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查,雖然新冠肺炎疫情延燒,使得2020年第一季的終端產(chǎn)品出貨動能格外疲弱,但在NAND Flash領(lǐng)域,因?yàn)?020年全年供給位元產(chǎn)出年成長收斂至三成,加上各大供應(yīng)商資本支出保守,第一季NAND Flash均價在淡季仍上漲約5%。
          • 關(guān)鍵字: 集邦咨詢  新冠肺炎  NAND Flash  

          華邦電進(jìn)軍車用、工業(yè)領(lǐng)域

          • 存儲器大廠華邦電近日宣布,開發(fā)出業(yè)界首款新型高速Octal NAND Flash產(chǎn)品,可望使高容量序列(Serial)介面NAND Flash成為當(dāng)前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案,解決NOR Flash容量愈大、成本愈高問題。華邦電表示,Octal NAND Flash可望于1Gb以上儲存容量級別,提供車用與工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域穩(wěn)健可靠的儲存存儲器。
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          存儲器行業(yè)的冰與火之歌:凜冬是否已經(jīng)結(jié)束 ?

          • 據(jù)IDC預(yù)測,2025年全球數(shù)據(jù)將有175 ZettaBytes的總量,如此驚人而又龐大的數(shù)據(jù)量,半導(dǎo)體存儲器將具有極大的市場。半導(dǎo)體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種,具體類型如下:“凜冬將至”:這兩年的存儲器市場2017年的存儲器市場可以用火熱來形容,三大存儲器公司(三星、海力士、美光)的財(cái)報都非常喜人,SK海力士、美光的營收規(guī)模均成長近8成,而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導(dǎo)體營收頭把交椅。整體來說,2017年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模比2016年成長22.2%,達(dá)4197.2億美元,存儲器的
          • 關(guān)鍵字: 存儲器、NAND、DRAM  

          武漢新芯推出50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

          • 近日,紫光集團(tuán)旗下武漢新芯集成電路制造有限公司,宣布推出業(yè)界先進(jìn)的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作,為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用提供靈活的設(shè)計(jì)方案。
          • 關(guān)鍵字: 武漢新芯  50nm  SPI NOR Flash  

          引領(lǐng)存儲新架構(gòu) 構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔 英特爾通過傲騰和QLC NAND技術(shù)變革存儲未來

          • 近日,以“數(shù)智·未來”為主題的2019中國數(shù)據(jù)與存儲峰會在北京成功舉辦。匯聚全球數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域知名的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)軍人物與代表性企業(yè)用戶,本次峰會旨在幫助企業(yè)和社會提升數(shù)據(jù)智能水平,推動全球存儲與數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生出席大會并發(fā)表演講,不僅從產(chǎn)品層面闡述了英特爾如何通過傲騰?技術(shù)和QLC NAND?技術(shù)填補(bǔ)當(dāng)前存儲層級中的巨大鴻溝,還通過諸多用戶案例進(jìn)一步展示英特爾如何通過內(nèi)存與存儲的產(chǎn)品、技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)存儲新架構(gòu),構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部
          • 關(guān)鍵字: QLC  NAND  內(nèi)存  

          SK海力士128層4D NAND出樣

          • 近日消息 根據(jù)guru3D的報道,隨著NAND閃存技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展,固態(tài)硬盤TB內(nèi)存時代即將到來,SK海力士現(xiàn)已推出了第一批基于其128層4D NAND產(chǎn)品樣品。
          • 關(guān)鍵字: SK  4D NAND  128層  

          海可枯石可爛,程序存儲的空間也會變

          • 現(xiàn)如今,基本上所有的東西都打上了一個叫做“保質(zhì)期”的標(biāo)簽。在電子產(chǎn)品那里,有一個更為專業(yè)一點(diǎn)的術(shù)語,叫做“產(chǎn)品生命周期”。
          • 關(guān)鍵字: RAM  flash  程序  

          兆易SPI NOR Flash GD25LX256E榮獲“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎

          • 近日,?業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)宣布,其旗下全新一代高速8通道SPI NOR Flash---GD25LX256E榮獲中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院頒發(fā)的2019年第十四屆“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎。“中國芯”獎項(xiàng)是目前國內(nèi)最具權(quán)威性與影響力的獎項(xiàng)之一,本屆共有125家芯片企業(yè)、累計(jì)187款芯片產(chǎn)品參與報名,基本涵蓋國內(nèi)最具實(shí)力的集成電路企業(yè)和最具代表性的產(chǎn)品,是國內(nèi)集成電路產(chǎn)品和技術(shù)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)和大檢閱。此次SPI NOR Flash產(chǎn)品
          • 關(guān)鍵字: NOR  Flash  

          東芝存儲器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)

          • 據(jù)外媒報道,東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC,XL-Flash將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲帶來了低延遲和高性能的解決方案,樣品預(yù)計(jì)將于下月送樣檢測,或?qū)⒂?020年量產(chǎn)。
          • 關(guān)鍵字: 東芝  存儲器  XL-Flash  

          中國首款!長江存儲啟動64層3D NAND閃存量產(chǎn)

          • 網(wǎng)易科技訊 9月2日消息 紫光集團(tuán)旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣布,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  

          NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場暗潮洶涌 各家布局蓄勢待發(fā)

          • 受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲器價格將反轉(zhuǎn)契機(jī)出現(xiàn),NAND Flash價格調(diào)漲從7月開始顯現(xiàn),而國際大廠之間的技術(shù)競爭更是暗潮洶涌。
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  東芝存儲器  NAND Flash  3D XPoint  Z-NAND  
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