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國際廠競搶Flash LED新高地 明年恐見殺價潮
- LED產(chǎn)品價格不斷下滑，壓縮各廠獲利空間，廠商除靠壓低生產(chǎn)成本外，也持續(xù)開發(fā)高毛利產(chǎn)品領(lǐng)域以求生存，因此高毛利的FlashLED(閃光燈)成為各廠欲競逐的市場，除國際大廠PhilipsLumileds、CREE、OSRAM等外，臺廠有億光、新世紀、光寶科等業(yè)者，但近期市場傳出，韓廠三星將走出過去堅守的4139封裝規(guī)格，計劃加入主流的2016規(guī)格戰(zhàn)局。隨著市場競爭者越來越多，估計FlashLED明年將會見到一波價格下殺潮。 消費者對于智慧型手機要求越來越高，除處理效能要接近電腦外，就連照相功能也向
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10月快閃存儲器NAND供過于求 合約價看漲
- 市調(diào)機構(gòu)集邦科技預(yù)期，第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩，10月合約價看漲。 集邦科技表示，海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發(fā)生火災(zāi)意外，不僅帶動動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)價格飆漲，同時激勵9月NANDFlash合約價上漲3%至6%。 集邦科技指出，盡管NANDFlash市場銷售并無好轉(zhuǎn)跡象，不過，海力士無錫廠復(fù)工情況依然混沌不明，NANDFlash供給將連帶受到影響，預(yù)期第4季NANDFlash市場供過于求情況可望趨緩。 集邦預(yù)期，近期1至2個月
- 關(guān)鍵字： 快閃存儲器 NAND
基于嵌入式MCU數(shù)據(jù)Flash的數(shù)據(jù)存儲及管理方法研究與實現(xiàn)
- 摘要：本文設(shè)計了一種利用MCU內(nèi)部數(shù)據(jù)Flash存儲非易失性數(shù)據(jù)的方法，它將數(shù)據(jù)Flash的若干扇區(qū)劃分為多個數(shù)據(jù)分區(qū)，不同數(shù)據(jù)分區(qū)存儲數(shù)據(jù)在不同歷史時間的拷貝，最新數(shù)據(jù)分區(qū)存儲最新的數(shù)據(jù)拷貝;在數(shù)據(jù)讀操作進行時，計算最新數(shù)據(jù)拷貝的Flash存儲位置，直接讀取該地址;在數(shù)據(jù)寫操作進行時
- 關(guān)鍵字： 嵌入式 MCU Flash 數(shù)據(jù)存儲 EEPROM 201310
三星宣布量產(chǎn)全球首個3D垂直閃存V-NAND
- 三星電子在存儲技術(shù)上的領(lǐng)先的確無可匹敵，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個采用3D垂直設(shè)計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來。 三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內(nèi)部采用三星獨有的垂直單元結(jié)構(gòu)，通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來連接3D單元陣列。 三星稱，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫入性能也可達到1xnm N
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半導(dǎo)體廠擴產(chǎn) 力成進補
- 不讓韓國三星專美于前，日本半導(dǎo)體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠，導(dǎo)入最新16至17納米制程，使總產(chǎn)能提升20%，明年4月量產(chǎn)，為在臺后段封測廠力成(6239)營運挹注成長動能。 這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導(dǎo)體資本支出后，東芝近兩年來首度做出增產(chǎn)決定，因為蘋果中低價手機和大陸手機的強勁需求。 研究機構(gòu)統(tǒng)計，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 NAND
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