- 串行Flash存儲器的編程解決方案,串行Flash存儲器具有體積小、功耗低、管腳少、掉電不丟失數據等諸多優(yōu)點，在IC卡和便攜式智能檢測儀表中廣泛的應用。本文將介 紹一種通過51系列單片機的串行口與AT45d041芯片通訊的方法，此方法不僅編程簡單，且運行
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解決方案 編程 存儲器 Flash 串行
- 基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過地址映射方式實現片外FLASH擦寫,1 引言
在DSP系統(tǒng)的設計中，經常要使用片外存儲器擴充系統(tǒng)存儲空間。特別是當DSP的片內數據存儲器和程序存儲器容量比較小時, 必須把一部分數據，如常量、原始數據庫等存儲到片外的存儲器中，從而節(jié)省DSP芯片內部
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方式 實現 FLASH 擦寫 映射 地址 DSP 嵌入式 系統(tǒng) 通過
- 基于Flash構架的模數混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應用設計,Fution系列的FPGA是世界上首個基于Flash構架的模數混合的FPGA，即在數字FPGA的基礎上加入了模擬電路部分，解決了傳統(tǒng)模擬電路和FPGA分離給設計帶來的諸多問題，降低了PCB板的制作難度，縮小了產品的體積。FPGA的可編
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心電 監(jiān)控 應用 設計 FPGA 混合 Flash 構架 模數 基于
- 2010年在半導體存儲器業(yè)界，各廠商紛紛恢復了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結狀態(tài)的大型設備投資。由此，市場上的份額競爭再次變得激烈起來。 2008～2009年導致各廠商收益惡化的價格下跌在2010年上半年僅出現了小幅下跌。然而，進入2010年下半年后，以DRAM為中心、價格呈現出大幅下降的趨勢。2011年很有可能再次進入殘酷的實力消耗戰(zhàn)。技術方面，微細化競爭愈演愈烈，以突破現有存儲器極限為目標的新存儲器的開發(fā)也越來越活躍。
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存儲器 NAND
- Flash的可自編程性（Self-Programmability）是指，用Flash存儲器中的駐留軟件或程序對Flash存儲器進行擦除/編程，但是，要求運行程序代碼的存儲區(qū)與待編程的存儲區(qū)不在同一模塊中。因此，只有一個片上Flash存儲器模塊
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技術 編程 單片機 Flash
- C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM29LV800BA接口技術, DSP是針對實時數字信號處理而設計的數字信號處理器，由于它具有計算速度快、體積小、功耗低的突出優(yōu)點，非常適合應用于嵌入式實時系統(tǒng)。FLASH存儲器是新型的可電擦除的非易失性只讀存儲器，屬于EEPROM器件，與其它的
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MBM29LV800BA 接口 技術 存儲器 FLASH C6701 DSP 處理器
- 針對2011年半導體資本支出的趨勢，設備大廠應用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長，幅度將勝過DRAM產業(yè)，晶圓代工也仍然相當強勁，預估整體半導體設備市場將有持平至5%的成長幅度。
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應用材料 NAND
- 集邦科技發(fā)布近日報告稱，明年全球閃存芯片銷售額將達到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價格將同比下降35%。
集邦科技稱，新款智能機、平板機的發(fā)布以及春節(jié)期間的采購將緩解明年一季度閃存市場受到的季節(jié)性銷售因素影響。到二季度時，閃存市場的供需就會更加平衡，價格下降幅度不會太大。
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NAND 20nm
- 根據Ovum的分析，對於Apple是否要扭轉他對Adobe Flash的禁令，Apple將面臨越來越大的壓力，因為越來越多智慧型手機平臺支援這項技術。
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Apple Flash
- 根據VLSIResearch發(fā)布的報告，該公司預測2010年度全球IC市場將成長32%，2011年度將成長8%;2010年度設備市場將成長103%，2011年度將成長10.6%。該公司認為目前的全球IC市場呈現出一些正面與負面的跡象;
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IC NAND
- O 引言 Flash是一種非易失存儲器，它在掉電條件下仍然能夠長期保持數據。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點，近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動存儲設備中得到了廣泛的應用。本文給出了
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芯片 設計 控制 flash SD NAND 用于
- 據iSuppli公司，由于智能手機以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營業(yè)收入將達到最高紀錄。
預計2010年NAND閃存營業(yè)收入將達到187億美元，比去年的135億美元勁增38%，部分利益于智能手機和蘋果iPad等消費電子產品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需雙雙增長，2011年NAND閃存市場將繼續(xù)增長，盡管不及今年強勁。iSuppli公司的數據顯示，預計明年NAND閃存市場上升25%至225億美元。
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NAND 智能手機
- 2010年對于全球半導體產業(yè)而言，可說是值得紀念的一年，拓墣產業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導體產業(yè)年成長率將高達30%，創(chuàng)下10年以來新高紀錄。然而，受到PC產業(yè)成長趨緩影響，2011年全球半導體產業(yè)僅將成長5%，移動通訊產品反成為支撐整體產業(yè)成長的重要動能。預估2011年移動通訊用產品占總體半導體比重將從2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也將隨著智能手機等移動通訊產品興起而與日俱增。
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SAMSUNG DRAM NAND
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