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瑞薩推出SH7216系列32-位片上Flash存儲器MCU
- 瑞薩科技公司(以下簡稱“瑞薩”)于2009年4月7日宣布推出SH7216系列32-位片上Flash存儲器微控制器(Flash微控制器)。這個系列是32位SuperH™ RISC系列*1的新成員,它為AC伺服、FA(工廠自動化)設(shè)備、樓宇自動化(空調(diào)和電力監(jiān)控設(shè)備)和各種通信設(shè)備等工業(yè)應(yīng)用實現(xiàn)了200 MHz操作和大量內(nèi)置式外設(shè)及通信功能。SH7216系列包含12個產(chǎn)品群的36款器件,其片上存儲器容量和封裝類型各有不同。 這些產(chǎn)品的主要特性如下: (1) 達到
- 關(guān)鍵字: 瑞薩 RISC 32MCU Flash SuperH
集邦:海力士大幅減產(chǎn)NAND 將由第三位滑落至第五位
- 針對NAND閃存產(chǎn)業(yè),研究機構(gòu)集邦科技最新研究報告指出,三星可望穩(wěn)居今年全球市占率龍頭寶座,而海力士則因大幅減產(chǎn),市場占有率恐將下滑剩下10%,落居第5名。 集邦科技根據(jù)各NAND Flash供貨商目前的制程技術(shù)、產(chǎn)能、營運狀況分析指出,三星因擁有較大產(chǎn)能,同時制程持續(xù)轉(zhuǎn)往42納米及3x納米,預(yù)期今年市占率 40%以上居冠,日本東芝與美商SanDisk聯(lián)盟的產(chǎn)能利用率略降,但制程技術(shù)也將轉(zhuǎn)往 43納米及32納米,預(yù)期東芝今年的市場占有率約在30%以上居次。 集邦科技表示,市場占有率第三和第
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三星和海力士獲得蘋果7000萬NAND大單
- 4月15日消息 據(jù)韓國媒體報道 蘋果最近向韓國三星電子與海力士兩家公司下單,要求供應(yīng)7000萬顆NAND型閃存芯片,用于生產(chǎn)iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成,引發(fā)蘋果可能推出新一代iPhone的聯(lián)想 韓國時報指出,有可靠的消息來源透露“三星電子被要求供應(yīng)5000萬顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋果,而海力士也將供應(yīng)2000萬顆。” 部分分析師認(rèn)為,蘋果這次大規(guī)模訂單,將刺激韓國芯片廠商業(yè)績,同時,也有助于全球芯片產(chǎn)業(yè)早日復(fù)蘇。 分析師還指出,N
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三維NAND內(nèi)存技術(shù)將讓固態(tài)存儲看到希望
- IBM的技術(shù)專家Geoff Burr曾說過,如果數(shù)據(jù)中心的占地空間象足球場那么大,而且還要配備自己的發(fā)電廠的話,那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢。然而,如果首席信息官們現(xiàn)在不定好計劃將他們的數(shù)據(jù)中心遷移到固態(tài)技術(shù)平臺的話,那么10年以后他們就會陷入那樣的噩夢之中。 這并非危言聳聽,過去的解決方案現(xiàn)在已經(jīng)顯露出存儲性能和容量不足的現(xiàn)象,這就是最好的證明。以前,如果需要更多的性能或容量,企業(yè)只需在數(shù)據(jù)中心添加更多的傳統(tǒng)硬盤就可以了,而且那樣做也很方便。現(xiàn)在,Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
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Flash Memory作為數(shù)據(jù)存儲器在E5中的應(yīng)用
- 1. E5的特點及體系結(jié)構(gòu)
E5是位于美國硅谷的公司Triscend 推出的一款全新的CPU,它是基于8051的內(nèi)核,但將微處理器的內(nèi)核,ASCI及可重構(gòu)邏輯陣列集成與一體,構(gòu)成一款CSOC(可配置系統(tǒng))芯片。Triscend E5的主要特點 - 關(guān)鍵字: E5 應(yīng)用 存儲器 數(shù)據(jù) Memory 作為 Flash Triscend E5 閃存 映射
FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴展到NAND存儲器制造
- 美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國際有限公司(納斯達克:FSII)今日宣布:一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR?全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA?清洗系統(tǒng)擴展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準(zhǔn)多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估??蛻?/li>
- 關(guān)鍵字: FSI NAND 存儲器
FSI國際宣布將ViPR全濕法去除技術(shù)擴展到NAND存儲器制造
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國際有限公司(納斯達克:FSII)日前宣布:一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA清洗系統(tǒng)擴展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準(zhǔn)多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估??蛻魧χ圃爝^程中無灰化光刻膠剝離法、實現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機臺能力給予肯定。除了
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DRAMeXchange:2009年NAND flash產(chǎn)能預(yù)計將減小59%
- 據(jù)EE Times網(wǎng)站報道,市場研究公司DRAMeXchange的分析顯示,全球NAND flash產(chǎn)能繼2008年減少近28%之后,2009年將再降59%。 2009年NAND flash位增長幅度將較2008大64%,而2007年位增長率高達133%。如果需求在下半年恢復(fù)且供應(yīng)商控制其產(chǎn)出增長,那供應(yīng)過剩的局面可能得到改善,NAN
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嵌入式操作系統(tǒng)自更新機制的設(shè)計與應(yīng)用
- 引言隨著嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展和廣泛應(yīng)用,必不可少的維護工作變得日益繁重。如移動電話在用戶使用過程中,部...
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 自更新機制 進程 Flash
2008年存儲市場忽上忽下,令人難忘
- 2008年對于全球存儲產(chǎn)業(yè)來說是一個重要階段,發(fā)生了幾件改變市場的大事: ? 一種高清DVD格式落敗,而另一種格式則成為產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。 ? 固態(tài)存儲作為硬盤的替代品,地位繼續(xù)上升 ? 年末經(jīng)濟滑坡破壞了整體科技產(chǎn)業(yè)的前景 HD-DVD之死 一年以前,緊接著2008年1月的國際消費電子展會(CES),華納兄弟作出了令業(yè)內(nèi)震驚的聲明,表示將放棄原來以HD DVD高清DVD格式發(fā)行其內(nèi)容的計劃,轉(zhuǎn)而完全采用藍(lán)光標(biāo)準(zhǔn)。 HD DVD陣營為此遭到當(dāng)頭一棒,領(lǐng)頭者東芝也不再支持該格
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