nand 文章 進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)
美光科技交付業(yè)界首款QLC NAND固態(tài)硬盤
- 美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元(QLC)NAND 技術(shù)的固態(tài)硬盤現(xiàn)已開始供貨。美光? 5210 ION 固態(tài)硬盤在美光 2018年分析師和投資者大會上首次亮相，面向之前由硬盤驅(qū)動器 (HDD) 提供服務(wù)的細(xì)分市場，可提供高出三層單元 (TLC) NAND 33%的位密度。新型 QLC固態(tài)硬盤的推出，奠定了美光在實現(xiàn)更高容量和更低成本方面的領(lǐng)導(dǎo)者地位，可以滿足人工智能、大數(shù)據(jù)、商業(yè)智能、內(nèi)容傳輸和數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)對讀取密集型且性能敏感的云存儲的需求?！ ‰S著工作負(fù)載的演變以滿足對于實時數(shù)據(jù)的
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韓國存儲器產(chǎn)業(yè)銷售額將在2020年減少78億美元
- 當(dāng)前，不論DRAM還是NAND Flash等存儲器，中國市場基本上100%依賴進(jìn)口，這使得產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求也最為迫切。因此，現(xiàn)階段在政府的支持下，除了紫光集團(tuán)旗下的長江存儲已經(jīng)在武漢建設(shè)NAND Flash工廠，預(yù)計2018年下半年量產(chǎn)之外，其他包括安徽合肥、福建晉江也有團(tuán)隊在進(jìn)行DRAM研發(fā)，這使得未來幾年，中國生產(chǎn)存儲就會逐漸進(jìn)入市場。 對此，韓國企業(yè)也開始關(guān)注中國競爭對手的加入。韓國預(yù)測，在2022年時會因為中國競爭的影響，韓國企業(yè)將減少78億美元的存儲器的銷售金額。 根據(jù)韓國媒體《et
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內(nèi)存瘋漲將告一段落 NAND/DRAM降價潮并沒有來
- 根據(jù)Gartner的報告顯示，在過去的2017年中，三星已經(jīng)成功取代英特爾，搶下了全球最大芯片制造商的寶座。要知道，英特爾從1992年就一直占據(jù)著這一寶座，如今被三星超越實在是無奈，因為沒有人能預(yù)料到這兩年內(nèi)存市場會如此強(qiáng)勁。 也許大家都快忘記了，兩年前8GB的內(nèi)存條價格還不到200元，然后8GB內(nèi)存條的價格一路上漲到300多、500多、700多，甚至一度要突破千元大關(guān)，用了幾年的二手內(nèi)存條都還能大賺一筆。內(nèi)存價格的飆升也帶動了整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的增長，其中三星獲益匪淺，
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2017年全球十大半導(dǎo)體廠排名：三星首次登頂
- IHS Markit研究指出，2017年全球半導(dǎo)體市場營收達(dá)到4291億美元，與2016年相較成長了21.7%，年成長率創(chuàng)下近14年新高。 而三星也借著53.6%的年成長率，取代蟬連25年的英特爾成為2017年全球最大半導(dǎo)體廠商。 在前20大半導(dǎo)體廠商中，SK海力士(SK Hynix)的營收成長幅度最大，較2016年成長81.2%;美光科技(Micron)居次，營收較2016年成長了79.7%。 對此，IHS Markit半導(dǎo)體供應(yīng)鏈分析師Teevens表示，強(qiáng)勁的需求以及價格上漲，是企業(yè)營收大
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我國首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn)
- 位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機(jī)臺11日正式進(jìn)場安裝，這標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補(bǔ)我國主流存儲器領(lǐng)域空白。 目前，我國通用存儲器基本全部依賴進(jìn)口，國家存儲器基地于2017年成功研發(fā)我國首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由1000人的團(tuán)隊歷時2年自主研發(fā)的芯片，是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片，有望使我國進(jìn)入全球存儲芯片第
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中國電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)模快速增長 加快邁向中高端
- 近年來，全球信息技術(shù)創(chuàng)新進(jìn)入密集發(fā)生期，呈現(xiàn)多方向、寬前沿、集群式等特征，有望引發(fā)產(chǎn)業(yè)格局重大調(diào)整。這有助于我國電子信息產(chǎn)業(yè)打破因核心關(guān)鍵技術(shù)缺失帶來的低端鎖定，加快邁向全球價值鏈中高端，迎來從跟跑到并跑乃至領(lǐng)跑的歷史契機(jī)。 工業(yè)和信息化部副部長羅文8日在深圳舉行的全國電子信息行業(yè)工作座談會上透露，2017年我國規(guī)模以上電子信息產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模達(dá)18.5萬億元，手機(jī)、計算機(jī)和彩電產(chǎn)量穩(wěn)居全球第一，在通信設(shè)備、互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域涌現(xiàn)了一批具有全球競爭力的龍頭企業(yè)。 據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《電子信息制造業(yè)發(fā)展
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2018年內(nèi)存芯片收入有望實現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄增長
- 全球半導(dǎo)體行業(yè)在2017年創(chuàng)下了10年以來的最好成績，年收入比2016年增長了22%，達(dá)到4291億美元。 這是根據(jù)英國分析公司IHS Markit的新統(tǒng)計數(shù)據(jù)得出的，HIS認(rèn)為市場對內(nèi)存芯片處理能力需求的大幅增加歸因于新興應(yīng)用如大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)和機(jī)器學(xué)習(xí)。 這一需求的增長使得三星電子作為全球領(lǐng)先芯片制造商占據(jù)第一位置，領(lǐng)先于競爭對手英特爾，而英特爾已經(jīng)占據(jù)第一的位置有25年之久。2017年，三星的收入增長了54%。 IHS表示，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器芯片的銷售總額增長了77%，而閃存芯片
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三星中國西安NAND Flash工廠二期項目動工
- 在當(dāng)前NandFlash存儲器仍舊供不應(yīng)求，市場價格依舊居高不下的情況下，日前全球NandFlash存儲器龍頭企業(yè)的韓國三星，日前宣布將在本月底正式動工的中國西安NandFlash存儲器廠的擴(kuò)建計劃，28日正式動工，預(yù)計將在2019年完工啟用。 據(jù)了解，該項總金額高達(dá)70億美元，工程期間達(dá)到3年的擴(kuò)廠計劃，是三星在2017年的8月間所宣布。目前三星西安廠的第一期產(chǎn)線是在2014年所建置，月產(chǎn)能為12萬片。如今，新的產(chǎn)線動工建置，未來完成之后將可再為三星增加每月20萬片的產(chǎn)能。 只是，該新的
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春節(jié)不停工，武漢國家存儲器基地要在今年實現(xiàn)3D NAND量產(chǎn)？
- 打造萬億級產(chǎn)業(yè)集群,推動武漢經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展。春節(jié)闔家團(tuán)圓之時,仍有大量建設(shè)者、生產(chǎn)者堅守崗位,為城市發(fā)展貢獻(xiàn)“加速度”。過年期間,分布在譽為“黃金大道”的8公里左嶺大道上的多個重大產(chǎn)業(yè)項目上,有超過2000多人堅守崗位過大年,光谷“芯片—顯示—智能終端”萬億級產(chǎn)業(yè)集群正在“加速度”中加快鍛造。 在國家存儲器基地,有600多人在建設(shè)工地上忙碌。據(jù)了解,目前,他們正在進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室
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空氣產(chǎn)品公司將為三星電子西安第二座3D V-NAND芯片廠供氣
- 全球領(lǐng)先的工業(yè)氣體供應(yīng)商——空氣產(chǎn)品公司 (Air Products，紐約證券交易所代碼：APD) 今天宣布將為三星電子位于西安市的第二座半導(dǎo)體工廠供應(yīng)工業(yè)氣體?！ ∥挥谖靼哺咝录夹g(shù)開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項目之一，也是中國最先進(jìn)的半導(dǎo)體工廠之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式NAND存儲、固態(tài)硬盤、移動設(shè)備和其它消費電子產(chǎn)品?！ 】諝猱a(chǎn)品公司西安工廠自2014年起開始服務(wù)于這一項目，目前運作兩座大型空氣分離裝置、一座氫氣生產(chǎn)裝
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND
買個32G內(nèi)存的手機(jī)為啥只有20幾個G？看完你就懂了
- 現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì)，就是各類移動終端及手機(jī)的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區(qū)別，存儲芯片的實際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢? 我們總是在說手機(jī)內(nèi)存，那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機(jī)興起后，為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的，是NAND Flash的升級版,他的結(jié)構(gòu)如下： 我們接觸到的16G、32G等手機(jī)，為何實際
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nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]
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