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讓汽車(chē)更智能，適用于汽車(chē)遠(yuǎn)程信息處理系統(tǒng)的全新 NAND+LPDDR4 MCP
- 被譽(yù)為世界三大車(chē)展之一的東京車(chē)展于近日開(kāi)幕，來(lái)自全世界的主要汽車(chē)生產(chǎn)廠商通過(guò)展示最新的產(chǎn)品和技術(shù)來(lái)描繪下一代汽車(chē)發(fā)展藍(lán)圖，其中 “人工智能”、“自動(dòng)駕駛”和“新能源”儼然已成為汽車(chē)產(chǎn)業(yè)界公認(rèn)的未來(lái)的發(fā)展方向?！ ±?，豐田展出的“愛(ài)i”系列，能憑借大量數(shù)據(jù)分析解駕駛員的日常習(xí)慣及行為模式，甚至判斷出駕駛員的興趣愛(ài)好、感情狀態(tài)等。不僅是轎車(chē)，豐田展示的依靠氫燃料電池提供動(dòng)力的大巴“SORA”，不僅助力環(huán)保，更在智能性方面有了極大提高。SORA內(nèi)外搭載有8個(gè)高清晰攝像頭，能捕捉到周?chē)男腥?、?chē)輛
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三星擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash IC Insights估恐過(guò)剩
- 三星(Samsung)今年資本支出將倍增至260億美元，其中，又將以3D NANDFlash為最大宗，研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights認(rèn)為，3D NANDFlash恐將供過(guò)于求。 IC Insights預(yù)估，今年全球半導(dǎo)體資本支出金額將達(dá)908億美元，將成長(zhǎng)35%;其中，三星今年資本支出將倍增至260億美元，比英特爾(Intel)與臺(tái)積電的總和還多。 三星今年的資本支出主要投入3D儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)，將達(dá)140億美元，IC Insights指出，三星將斥資70億美元，推進(jìn)動(dòng)態(tài)
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東芝第二財(cái)季運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)增長(zhǎng)76% 芯片業(yè)務(wù)表現(xiàn)強(qiáng)勁
- 11月9日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，日本東芝公司今天公布財(cái)報(bào)顯示，由于受到旗下內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)強(qiáng)勁業(yè)績(jī)的驅(qū)動(dòng)，該公司本財(cái)年第二季度運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)增長(zhǎng)了76%。最近，該公司同意將旗下內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)以180億美元對(duì)外出售。 處于困境狀況的這家日本工業(yè)巨頭表示，本財(cái)年7至9月份這個(gè)第二季度運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)從上年同期的768.8億日元增長(zhǎng)至1250,8億日元(約合12億美元)。 這個(gè)業(yè)績(jī)好于分析師預(yù)期，湯森路透StarMine SmartEstimate此前根據(jù)5位分析師預(yù)估，東芝本財(cái)年第二季度運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)是1244.7億日
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
美光3D NAND技術(shù)發(fā)威 搶占邊緣存儲(chǔ)商機(jī)
- 美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開(kāi)始拓展旗下產(chǎn)品線(xiàn)廣度，日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲(chǔ)存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問(wèn)世，預(yù)計(jì)2018年第1季128GB和256GB版會(huì)開(kāi)始送樣，同年第2季量產(chǎn)。 美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開(kāi)始量產(chǎn)，除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費(fèi)性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域，也積極推動(dòng)工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲(chǔ)存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。
- 關(guān)鍵字： 美光 3D NAND
美光3D NAND技術(shù)發(fā)威 搶占邊緣存儲(chǔ)商機(jī)
- 美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開(kāi)始拓展旗下產(chǎn)品線(xiàn)廣度，日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲(chǔ)存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問(wèn)世，預(yù)計(jì)2018年第1季128GB和256GB版會(huì)開(kāi)始送樣，同年第2季量產(chǎn)。 美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開(kāi)始量產(chǎn)，除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費(fèi)性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域，也積極推動(dòng)工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲(chǔ)存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。
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IC Insights：全球半導(dǎo)體2017年上調(diào)市場(chǎng)預(yù)測(cè)提升至22％
- 據(jù)IC Insights預(yù)測(cè)，2017年的IC市場(chǎng)增長(zhǎng)率有望提高到22%，較今年年中預(yù)期的16%再提升6個(gè)百分點(diǎn)，出貨量增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場(chǎng)預(yù)測(cè)是由于DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的激增。 此外，IC Insights同時(shí)調(diào)稿對(duì)O-S-D(光電子，傳感器/執(zhí)行器和分立器件)市場(chǎng)的預(yù)測(cè)?？傮w而言，2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體預(yù)計(jì)增長(zhǎng)達(dá)20%，比年中預(yù)期調(diào)高5個(gè)百分點(diǎn)。 2017年，IC Insights預(yù)測(cè)DRAM的平均售價(jià)將大漲77%，預(yù)計(jì)今年將推動(dòng)DRAM
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
東芝受惡意攻擊導(dǎo)致NAND停產(chǎn)：預(yù)估少生產(chǎn)40萬(wàn)TB容量
- 援引DigiTimes報(bào)道，東芝的NAND部門(mén)近日遭受了非常嚴(yán)重的惡意攻擊，被迫關(guān)閉NAND生產(chǎn)線(xiàn)數(shù)周時(shí)間，這將導(dǎo)致近階段公司NAND閃存的供應(yīng)比較緊張。 DigiTimes消息稱(chēng)為了清除惡意程序，東芝公司的NAND生產(chǎn)線(xiàn)將停工3-6周時(shí)間才能恢復(fù)正常供應(yīng)，預(yù)估將減少10萬(wàn)個(gè)wafers產(chǎn)量。PCGamesN網(wǎng)站預(yù)估假設(shè)這段停產(chǎn)時(shí)間正常生產(chǎn)，能夠帶來(lái)5000萬(wàn)個(gè)芯片或者40萬(wàn)TB的NAND閃存。 近年來(lái)由于智能手機(jī)和服務(wù)器的需求不斷增大，NAND的售價(jià)也水漲船高。但是由于NAND廠商在生產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
基于magnum 2 測(cè)試系統(tǒng)的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的測(cè)試技術(shù)研究
- 摘要：NAND FLASH在電子行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，然而在生產(chǎn)過(guò)程中出現(xiàn)壞塊和在使用過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)壞塊增長(zhǎng)的情況，針對(duì)這種情況，本文介紹了一種基于magnum II 測(cè)試機(jī)的速測(cè)試的方法，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，此方法能夠有效提高FLASH的全空間測(cè)試效率。另外，針對(duì)NAND FLASH的關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)，如tREA(讀信號(hào)低電平到數(shù)據(jù)輸出時(shí)間)和tBERS(塊擦除時(shí)間)等，使用測(cè)試系統(tǒng)為器件施加適當(dāng)?shù)目刂萍?lì)，完成NAND FLASH的時(shí)序配合，從而達(dá)到器件性
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Nand Flash編程應(yīng)用難點(diǎn)淺析
- Nand Flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。 1989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。經(jīng)過(guò)十幾年的發(fā)展，NAND應(yīng)用越來(lái)越廣泛，但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應(yīng)用的一些難點(diǎn)：分區(qū)、ECC糾錯(cuò)、壞塊管理等。只有真正了
- 關(guān)鍵字： Nand Flash 東芝
群聯(lián)潘健成：未來(lái)五年 NAND供不應(yīng)求
- 內(nèi)存股王群聯(lián)電子昨(27)日舉行股東臨時(shí)會(huì)補(bǔ)選一席董事，由日商?hào)|芝內(nèi)存株式會(huì)社(TMC)當(dāng)選。在市場(chǎng)供需方面，群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成樂(lè)觀表示，未來(lái)五年，儲(chǔ)存型閃存(NANDFlash)將持續(xù)供不應(yīng)求。 臺(tái)灣東芝先進(jìn)半導(dǎo)體因集團(tuán)組織調(diào)整，今年8月1日辭去群聯(lián)董事，群聯(lián)昨日召開(kāi)股東臨時(shí)會(huì)補(bǔ)選，并順利由東芝內(nèi)存株式會(huì)社當(dāng)選。 潘健成表示，東芝內(nèi)存主導(dǎo)負(fù)責(zé)東芝的全球半導(dǎo)體事業(yè)，東芝已將群聯(lián)股權(quán)移轉(zhuǎn)給東芝內(nèi)存;而群聯(lián)與東芝間不僅相互投資，也透過(guò)合作互補(bǔ)，強(qiáng)化技術(shù)，雙方關(guān)系將比過(guò)去15年更加緊密，在產(chǎn)業(yè)的競(jìng)
- 關(guān)鍵字： NAND
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以?xún)?chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱(chēng)為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類(lèi)似DRAM，以?xún)?chǔ)存程序代碼為主，又稱(chēng)為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫(xiě)速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]
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