nand 文章 進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)
內(nèi)存晴雨表：聲稱內(nèi)存市場復(fù)蘇的報(bào)告過于夸張
- 在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應(yīng)商為了維護(hù)自己的形象，紛紛強(qiáng)調(diào)潛在的市場復(fù)蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預(yù)計(jì)總體內(nèi)存芯片價(jià)格將在2009年剩余時(shí)間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認(rèn)為，這些廠商不會在近期真正恢復(fù)需求與獲利能力。 繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產(chǎn)品市場將在今年剩余時(shí)間內(nèi)增長。第二季度DRAM與NAND閃存營業(yè)收入合計(jì)將增長3.6%，第三和第四季度分別增長21.9%和17.5%。 圖4所示為iSuppli公
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集邦：海力士大幅減產(chǎn)NAND 將由第三位滑落至第五位
- 針對NAND閃存產(chǎn)業(yè)，研究機(jī)構(gòu)集邦科技最新研究報(bào)告指出，三星可望穩(wěn)居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產(chǎn)，市場占有率恐將下滑剩下10%，落居第5名。 集邦科技根據(jù)各NAND Flash供貨商目前的制程技術(shù)、產(chǎn)能、營運(yùn)狀況分析指出，三星因擁有較大產(chǎn)能，同時(shí)制程持續(xù)轉(zhuǎn)往42納米及3x納米，預(yù)期今年市占率 40%以上居冠，日本東芝與美商SanDisk聯(lián)盟的產(chǎn)能利用率略降，但制程技術(shù)也將轉(zhuǎn)往 43納米及32納米，預(yù)期東芝今年的市場占有率約在30%以上居次。 集邦科技表示，市場占有率第三和第
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三星和海力士獲得蘋果7000萬NAND大單
- 4月15日消息 據(jù)韓國媒體報(bào)道 蘋果最近向韓國三星電子與海力士兩家公司下單，要求供應(yīng)7000萬顆NAND型閃存芯片，用于生產(chǎn)iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成，引發(fā)蘋果可能推出新一代iPhone的聯(lián)想 韓國時(shí)報(bào)指出，有可靠的消息來源透露“三星電子被要求供應(yīng)5000萬顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋果，而海力士也將供應(yīng)2000萬顆。” 部分分析師認(rèn)為，蘋果這次大規(guī)模訂單，將刺激韓國芯片廠商業(yè)績，同時(shí)，也有助于全球芯片產(chǎn)業(yè)早日復(fù)蘇。 分析師還指出，N
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三維NAND內(nèi)存技術(shù)將讓固態(tài)存儲看到希望
- IBM的技術(shù)專家Geoff Burr曾說過，如果數(shù)據(jù)中心的占地空間象足球場那么大，而且還要配備自己的發(fā)電廠的話，那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢。然而，如果首席信息官們現(xiàn)在不定好計(jì)劃將他們的數(shù)據(jù)中心遷移到固態(tài)技術(shù)平臺的話，那么10年以后他們就會陷入那樣的噩夢之中。 這并非危言聳聽，過去的解決方案現(xiàn)在已經(jīng)顯露出存儲性能和容量不足的現(xiàn)象，這就是最好的證明。以前，如果需要更多的性能或容量，企業(yè)只需在數(shù)據(jù)中心添加更多的傳統(tǒng)硬盤就可以了，而且那樣做也很方便?，F(xiàn)在，Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
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FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲器制造
- 美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國際有限公司(納斯達(dá)克：FSII)今日宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR?全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA?清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準(zhǔn)多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評估。客戶
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FSI國際宣布將ViPR全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲器制造
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國際有限公司(納斯達(dá)克：FSII)日前宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準(zhǔn)多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評估。客戶對制造過程中無灰化光刻膠剝離法、實(shí)現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機(jī)臺能力給予肯定。除了
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三星NAND產(chǎn)業(yè)市場占有率40%
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange指出，2008年NAND Flash品牌廠商公布去年第四季暨全年?duì)I收排名出爐，SAMSUNG以46億1千4百萬美元，市占率為40.4％，蟬聯(lián)第一寶座 觀察2007年與2008年NAND Flash品牌市場變化，2007年品牌廠商全年?duì)I收約為133億6千8百萬美元，2008年則為114億1千8百萬美元，年?duì)I收下跌14.6％，2008年平均銷售價(jià)格較2007年下跌63％。 Toshiba以全年?duì)I收為32億5百萬美元，市占率28.1％排名居次，比2007年的
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解密16G MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細(xì)節(jié)
- 2006年初，美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IMFlashTechnologies公司(IMFT)在市場上閃亮登場。通過整合I...
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受益東芝海力士減產(chǎn) NAND閃存價(jià)格回穩(wěn)
- 12月25日消息，據(jù)臺灣媒體報(bào)道，NAND Flash12月下旬合約價(jià)出爐，終止先前下跌趨勢，至少都以平盤以上開出，主流規(guī)格晶片漲幅更在16%以上，隨價(jià)格回穩(wěn)走揚(yáng)，將有助創(chuàng)見、威剛、群聯(lián)等模組業(yè)者降低庫存跌價(jià)損失壓力。 業(yè)者指出，這次NAND Flash價(jià)格止跌回穩(wěn)，主要是反應(yīng)日本東芝與韓國海力士減產(chǎn)效益，隨晶片廠對力保價(jià)格不跌有了堅(jiān)定共識，也意味NAND Flash回穩(wěn)態(tài)勢已逐步確立。 根據(jù)集邦科技昨日最新報(bào)價(jià)，NAND Flash12月下旬合約價(jià)都以平盤以上開出，其中以16Gb主流規(guī)格
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東芝削減NAND閃存芯片30%產(chǎn)量
- 東芝宣布，削減30%的閃存芯片產(chǎn)量，以應(yīng)對需求降低，庫存增加的考驗(yàn)。 東芝還說，位于日本四日市的四家工廠本月將停工17天，以降低內(nèi)存卡與MP3播放器的產(chǎn)量。 東芝在一份聲明中說：“全球經(jīng)濟(jì)不景氣以及消費(fèi)低迷正在對半導(dǎo)體需求產(chǎn)生嚴(yán)重沖擊。尤其是NAND閃存芯片，由于使用這種芯片的MP3播放器供應(yīng)過剩，其需求大幅下降。東芝慎重考慮了這種情形，決 定降低四日市工廠的產(chǎn)量。” 東芝在四日市有兩家300毫米晶圓工廠以及兩家200毫米晶圓工廠。300毫米晶圓廠將停工
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半導(dǎo)體巨頭推動工藝研發(fā) 三個(gè)陣營角力
- 國務(wù)院發(fā)展研究中心國際技術(shù)經(jīng)濟(jì)所研究員吳康迪 遵循“摩爾定律”的指引，全球半導(dǎo)體巨頭正邁向32納米工藝；不過，其研發(fā)策略卻各不相同。 全球32納米芯片微細(xì)技術(shù)開發(fā)主要有3個(gè)陣營，參加單位數(shù)目最多的是IBM陣營，其次是英特爾公司，第三是日本公司，此外還有中國臺灣地區(qū)的臺積電、歐洲比利時(shí)微電子中心IMEC等。 英特爾技術(shù)業(yè)界領(lǐng)先 2007年9月，英特爾公司領(lǐng)先業(yè)界在“開發(fā)者論壇”首次展出了32納米工藝的測試
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東芝與SanDisk明年NAND閃存產(chǎn)量將減少30%
- 北京時(shí)間12月16日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，日本東芝與美國SanDisk公司周二表示，因全球經(jīng)濟(jì)下滑，打擊數(shù)碼相機(jī)和便攜式音樂播放器的芯片需求，1月起將減少NAND快閃記憶體(閃存)30%產(chǎn)量。 需求重挫加上產(chǎn)能過剩，造成半導(dǎo)體價(jià)格直落，令東芝芯片業(yè)務(wù)上半會計(jì)年度出現(xiàn)虧損。 首爾HI投資證券分析師Song Myung-sup認(rèn)為：“東芝與SanDisk減產(chǎn)是項(xiàng)利好消息，但因?yàn)檎w市場需求疲弱，單單如此還不足以提振NAND的價(jià)格。在出現(xiàn)復(fù)蘇前得先清出庫存，而這要有需求才能帶動。&r
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東芝與SanDisk明年NAND閃存產(chǎn)量將減少30%
- 北京時(shí)間12月16日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，日本東芝與美國SanDisk公司周二表示，因全球經(jīng)濟(jì)下滑，打擊數(shù)碼相機(jī)和便攜式音樂播放器的芯片需求，1月起將減少NAND快閃記憶體(閃存)30%產(chǎn)量。 需求重挫加上產(chǎn)能過剩，造成半導(dǎo)體價(jià)格直落，令東芝芯片業(yè)務(wù)上半會計(jì)年度出現(xiàn)虧損。 首爾HI投資證券分析師Song Myung-sup認(rèn)為：“東芝與SanDisk減產(chǎn)是項(xiàng)利好消息，但因?yàn)檎w市場需求疲弱，單單如此還不足以提振NAND的價(jià)格。在出現(xiàn)復(fù)蘇前得先清出庫存，而這要有需求才能帶動。&r
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nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]
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