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FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲(chǔ)器上的改進(jìn)設(shè)計(jì)
- 嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲(chǔ)在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性，構(gòu)建一個(gè)適合管理NAND Flash存儲(chǔ)器的FAT文件系統(tǒng)，并闡述具體的設(shè)計(jì)思想。該系統(tǒng)改進(jìn)了FAT表和FRT表的存儲(chǔ)方式，延長(zhǎng)了存儲(chǔ)器的使用壽命，提高了穩(wěn)定性。 NAND Flash存儲(chǔ)器是一種數(shù)據(jù)正確性非理想的器件，容易出現(xiàn)位反轉(zhuǎn)現(xiàn)象，同時(shí)在使用中可
- 關(guān)鍵字： FAT NAND Flash 存儲(chǔ)器 通信 嵌入式系統(tǒng) 嵌入式 無(wú)線 通信
07年第三季NAND Flash廠營(yíng)收逼近39億美元
- 根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)最新出爐的第三季NANDFlash營(yíng)收市占率報(bào)告指出，NANDFlash品牌廠商在2007年第三季整體營(yíng)收表現(xiàn)亮麗，逼近三十九億美元，比第二季增長(zhǎng)了36.8%;整體NANDFlash位出貨量相較于第二季增長(zhǎng)約30%;而就營(yíng)收排行而言，三星(Samsung)如預(yù)期再度蟬連冠軍，東芝(Toshiba)居次，而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特爾(Intel)營(yíng)收均有顯著的增長(zhǎng)。 由于第三季為傳統(tǒng)NANDFlash下游客戶的備貨旺
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) NAND Flash 三星 MCU和嵌入式微處理器
IDC: 今年芯片銷(xiāo)售增速緩慢將促使08年猛增
- IDC在最新的《全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)》中預(yù)測(cè)，2007年全球芯片銷(xiāo)售收入增長(zhǎng)速度放慢將為2008年的大增長(zhǎng)奠定基礎(chǔ)。 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，2007年全球芯片市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度將只有4.8%，2006年的這一數(shù)字只有8.8%。IDC預(yù)測(cè)，2008年的增長(zhǎng)速度將達(dá)到8.1%。 報(bào)告指出，如果產(chǎn)能增長(zhǎng)速度在明年放緩和需求仍然保持緩慢，芯片市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度會(huì)更快。市場(chǎng)潮流是合并和收購(gòu)，這可能會(huì)改變業(yè)界的競(jìng)爭(zhēng)格局。 IDC負(fù)責(zé)《全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)》的項(xiàng)目經(jīng)理戈帕爾說(shuō)，今年上半年芯片市場(chǎng)的供過(guò)于求降低了對(duì)各
- 關(guān)鍵字： 消費(fèi)電子 芯片 DRAM NAND EDA IC設(shè)計(jì)
IC單位出貨量強(qiáng)勁 面臨廠商無(wú)利潤(rùn)繁榮局面
- 最近公布的數(shù)據(jù)顯示，2007年IC單位出貨量將增長(zhǎng)10%，略高于市場(chǎng)調(diào)研公司ICInsights最初預(yù)計(jì)的8%。自2002年以來(lái)，IC單位出貨量一直保持兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(58%)、和汽車(chē)相關(guān)的模擬IC(32%)出貨量強(qiáng)勁增長(zhǎng)，正在推動(dòng)總體產(chǎn)業(yè)需求，并使IC出貨量保持在高位。 1980年以來(lái)，IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實(shí)現(xiàn)連續(xù)三年保持兩位數(shù)增長(zhǎng)率，分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后，IC的單位出貨量增長(zhǎng)速
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) IC DRAM NAND 模擬IC
觸控面板告急 NAND Flash廠失良機(jī)原地嘆息
- iPodTouch面板供貨不及，大量出貨日期延后，NANDFlash廠最著急，NANDFlash價(jià)格反彈后繼無(wú)力。 據(jù)境外媒體報(bào)道，為迎圣誕買(mǎi)氣，各大NANDFlash廠商鉚足了勁，原本寄望因蘋(píng)果(Apple)iPodTouch成走紅圣誕禮物而大量出貨，借此將NANDFlash價(jià)格回升，然后，卻因iPodTouch的關(guān)鍵零組件觸控面板出現(xiàn)供貨不足，造成iPodTouch出貨量受限，繼而影響NANDFlash的出貨，真是急壞了NANDFlash廠商。 蘋(píng)果原計(jì)劃九月起開(kāi)始出貨，但因沒(méi)有足夠的
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) NAND 液晶 集成電路 顯示技術(shù)
集成電路出貨量增長(zhǎng) 廠商面臨無(wú)利潤(rùn)繁榮局面
- 最近公布的數(shù)據(jù)顯示，2007年IC單位出貨量將增長(zhǎng)10%，略高于市場(chǎng)調(diào)研公司ICInsights最初預(yù)計(jì)的8%。自2002年以來(lái)，IC單位出貨量一直保持兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(58%)、和汽車(chē)相關(guān)的模擬IC(32%)出貨量強(qiáng)勁增長(zhǎng)，正在推動(dòng)總體產(chǎn)業(yè)需求，并使IC出貨量保持在高位。 1980年以來(lái)，IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實(shí)現(xiàn)連續(xù)三年保持兩位數(shù)增長(zhǎng)率，分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后，IC的單位出貨量增長(zhǎng)速
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) IC 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換 NAND 模擬IC
報(bào)告:9月全球微芯片銷(xiāo)售收入同比增長(zhǎng)5.9%
- 據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)周一稱(chēng)，在PC和手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品需求的推動(dòng)下，今年9月份全球微芯片銷(xiāo)售收入增長(zhǎng)了5.9%。 9月份全球微芯片銷(xiāo)售收入從去年同期的213億美元增長(zhǎng)到了226億美元。今年第三季度全球微芯片銷(xiāo)售收入增長(zhǎng)6%，從去年同期的640億美元提高到了678億美元。 SIA總裁GeorgeScalise在聲明中稱(chēng)，第三季度的全球銷(xiāo)售比今年第二季度增長(zhǎng)了13.2%反映了為圣誕節(jié)假日銷(xiāo)售準(zhǔn)備產(chǎn)品的傳統(tǒng)模式已經(jīng)開(kāi)始。 消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求非常強(qiáng)勁。第三季度用于傳統(tǒng)消費(fèi)電子產(chǎn)品的
- 關(guān)鍵字： 消費(fèi)電子 NAND 閃存 芯片 嵌入式
NAND和NOR flash詳解
- NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 相“flash存儲(chǔ)器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲(chǔ)器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人
- 關(guān)鍵字： NAND NOR flash 集成電路 存儲(chǔ)器
各類(lèi)器件增長(zhǎng)強(qiáng)勁 出貨量增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)調(diào)高
- 據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司ICInsights，2007年IC單位出貨量有望增長(zhǎng)10%。該公司先前的預(yù)測(cè)是增長(zhǎng)8%。 ICInsights將調(diào)高增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)歸因于以下器件的出貨量強(qiáng)勁增長(zhǎng)：DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長(zhǎng)60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換IC(上升58%)和汽車(chē)相關(guān)的模擬IC(上升32%)。 ICInsights表示，如果2007年IC單位出貨量增長(zhǎng)率達(dá)到10%或者更高水平，將是連續(xù)第六年以兩位數(shù)的速度增長(zhǎng)，創(chuàng)下前所未有的強(qiáng)勁增長(zhǎng)紀(jì)錄。 ICInsights認(rèn)為，
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) IC 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換 NAND 模擬IC
報(bào)告稱(chēng)：07年全球集成電路出貨量將增長(zhǎng)10%
- 10月21日消息，據(jù)外電報(bào)道，市場(chǎng)研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量增長(zhǎng)率從原來(lái)的8%提高到了10%。 這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長(zhǎng)歸功于一些集成電路產(chǎn)品出貨量的強(qiáng)勁增長(zhǎng)，如DRAM內(nèi)存出貨量增長(zhǎng)49%，NAND閃存出貨量增長(zhǎng)38%，接口集成電路出貨量增長(zhǎng)60%，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換集成電路出貨量增長(zhǎng)58%，汽車(chē)模擬集成電路出貨量增長(zhǎng)32%。 ICInsights稱(chēng)，如果2007年全球集成電路出貨量增長(zhǎng)率達(dá)到10%或者更高，這將是連續(xù)第六年的兩位增長(zhǎng)
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 集成電路 NAND 閃存
DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)持續(xù)走弱 合約市場(chǎng)交易冷清
- 現(xiàn)貨市場(chǎng)DDR2價(jià)格方面持續(xù)走弱;而DDR則因供應(yīng)不足價(jià)格緩步盤(pán)堅(jiān)。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價(jià)之后，暫時(shí)止跌并微幅反彈，在1.02至1.05美元震蕩，以1.03美元做收，跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市場(chǎng)方面，由于現(xiàn)貨市場(chǎng)供給數(shù)量仍舊不足，上周也曾出現(xiàn)缺貨狀況，價(jià)格持續(xù)小幅上揚(yáng)，DDR512Mb400MHz以2.66美元做收，上漲5.6%。 十月份合約市場(chǎng)相當(dāng)清淡，OEM拿貨意愿低落，部分廠商甚至認(rèn)為，倘若預(yù)期十一
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) DDR2 DRAM NAND MCU和嵌入式微處理器
NAND閃存價(jià)格反彈 帶動(dòng)八月芯片銷(xiāo)售增長(zhǎng)
- 根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SIA報(bào)告，2007年8月全球芯片銷(xiāo)售三月平均值達(dá)到215.2億美元，比2006年同期數(shù)字猛升4.9%。8月份銷(xiāo)售增長(zhǎng)超過(guò)分析師預(yù)測(cè)，比2007年7月的三月平均銷(xiāo)售額206.1億美元增長(zhǎng)4.5%。 SIA表示，增長(zhǎng)歸因于NAND閃存供應(yīng)減少導(dǎo)致平均銷(xiāo)售價(jià)格反彈。8月份NAND閃存銷(xiāo)售價(jià)格比7月增長(zhǎng)19%，與2006年8月相比增長(zhǎng)48%。 SIA總裁GeorgeScalise表示，“8月份，正常的季節(jié)性增長(zhǎng)帶來(lái)全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售連續(xù)健
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) NAND 閃存 芯片 MCU和嵌入式微處理器
NAND閃存價(jià)格走好 東芝晶圓廠產(chǎn)能滿載利潤(rùn)大漲
- Jefferies Japan高級(jí)分析員David Motozo Rubenstein日前透露，東芝(Toshiba)公司NAND閃存晶圓廠的產(chǎn)能利用率已經(jīng)處于最高位。 事實(shí)上，東芝公司的業(yè)務(wù)表現(xiàn)正在發(fā)生變化。David表示，“東芝認(rèn)為供需形勢(shì)處于有利狀況，由于晶圓廠產(chǎn)能利用率達(dá)到100%，公司不得不回絕了25%的訂單?！?還有更好的消息。NAND閃存“2006年平均售價(jià)下降70%，東芝曾經(jīng)預(yù)計(jì)2007年更進(jìn)一步下滑50%，但是到目前為止，價(jià)格還高于預(yù)計(jì)之上。” 價(jià)格已經(jīng)觸底
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) NAND 閃存 東芝 嵌入式
C8051F的超大容量Flash存儲(chǔ)器擴(kuò)展
- 摘要：NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的理想選擇，當(dāng)前被廣泛應(yīng)用于U盤(pán)、MP3和數(shù)碼相機(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。本文對(duì)該類(lèi)型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對(duì)實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)給予驗(yàn)證，揭示了NAND結(jié)構(gòu)Flash的操作規(guī)律。 關(guān)鍵詞：NAND Flash 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) C8051F 引 言 大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的瓶頸，受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制，可以很大程度上擴(kuò)展和提高應(yīng)用系統(tǒng)的總體功能。Sumsung公司的NAND結(jié)構(gòu)Fla
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) C8051F MCU和嵌入式微處理器
NAND閃存合同價(jià)格自六月以來(lái)首次下跌
- 九月，NAND閃存芯片合約價(jià)格自六月以來(lái)首次下跌，較早前已堆積的存貨將使內(nèi)存制造商經(jīng)歷庫(kù)存增加壓力。 根據(jù)內(nèi)存市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，多層單元(MLC)NAND閃存的價(jià)格在9月上旬下降10%以上，而單層單元閃存(SLC)的價(jià)格則相對(duì)穩(wěn)定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價(jià)格有所回升。 據(jù)臺(tái)灣內(nèi)存消息人士指出，韓國(guó)三星電子8月震驚業(yè)內(nèi)，使得激烈價(jià)格上升。需求被昂貴的價(jià)格壓抑，反映在現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格疲弱。 雖然許多內(nèi)存庫(kù)存商8月期間已經(jīng)減少其采購(gòu)，最新的報(bào)價(jià)仍然加
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) NAND 閃存 嵌入式
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱(chēng)為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類(lèi)似DRAM，以儲(chǔ)存程序代碼為主，又稱(chēng)為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫(xiě)速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]
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