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          兆易創(chuàng)新超小尺寸128Mb SPI NOR Flash面世

          • 中國(guó)北京(2023年5月16日) —— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)今日宣布,率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封裝的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH,其最大厚度僅為0.4mm,容量高達(dá)128Mb,是目前業(yè)界在此容量上能實(shí)現(xiàn)的最小塑封封裝產(chǎn)品,可在應(yīng)對(duì)大容量代碼存儲(chǔ)需求的同時(shí),提供極大限度的緊湊型設(shè)計(jì)自由。近年來(lái),隨著物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴、健康監(jiān)護(hù)、網(wǎng)通等應(yīng)用的快速發(fā)展,市場(chǎng)需求變化多樣,不僅要在精致小巧的產(chǎn)品形態(tài)中
          • 關(guān)鍵字: 兆易創(chuàng)新  超小尺寸  SPI NOR Flash  

          復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲(chǔ)器新品

          • 4月27日,上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司今日舉辦線(xiàn)上發(fā)布會(huì),推出FM25/FM29系列SLC NAND,F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的車(chē)規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲(chǔ)新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝,滿(mǎn)足6萬(wàn)次擦寫(xiě)次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求,應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車(chē)載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝,具備低功耗、
          • 關(guān)鍵字: 復(fù)旦微電  NAND Flash  EEPROM  存儲(chǔ)器  

          可適配N(xiāo)VIDIA Jetson Orin NX和Orin Nano的工業(yè)級(jí)準(zhǔn)系統(tǒng),研華EPC-R7300助力產(chǎn)品開(kāi)發(fā)

          • 2023年,工業(yè)嵌入式AI解決方案供應(yīng)商研華科技發(fā)布工業(yè)準(zhǔn)系統(tǒng) EPC-R7300,該產(chǎn)品適用于NVIDIA?Jetson Orin?NX及JetsonOrin?Nano模塊。利用強(qiáng)大的NVIDIA Jetson Orin模塊,EPC-R7300將以低功耗(7~25瓦)輸出20-100TOPS的AI性能。為了便于AI部署,EPC-R7300采用了非常緊湊的外形(152×173×50 mm),具有多種后置I/O配置,其出色的柔性和計(jì)算性能為下一代機(jī)器人、監(jiān)控和其它使用邊緣推理的應(yīng)用提供了保障。用于NVIDI
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          英飛凌推出 256 Mbit SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品

          • 【2023 年 04 月 10日,德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)近日推出 SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品。這種存儲(chǔ)器經(jīng)過(guò)專(zhuān)門(mén)優(yōu)化,適合在電池供電的小型電子設(shè)備中使用。健身追蹤器、智能耳機(jī)、健康監(jiān)測(cè)儀、無(wú)人機(jī)和 GPS 導(dǎo)航等新型可穿戴應(yīng)用及工業(yè)應(yīng)用不斷涌現(xiàn),有助于實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)跟蹤、記錄關(guān)鍵信息、增強(qiáng)安全性、降低噪聲等更多功能。這些先進(jìn)的功能和使用場(chǎng)景要求在體積更小的電子設(shè)備中配備更大容量的存儲(chǔ)器。據(jù)Omdia 數(shù)據(jù)顯示,藍(lán)牙耳
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  SEMPER  Nano NOR Flash  閃存  

          預(yù)估第二季NAND Flash均價(jià)續(xù)跌5~10%,能否止跌端看下半年需求

          • 即便原廠(chǎng)持續(xù)進(jìn)行減產(chǎn),然需求端如服務(wù)器、智能手機(jī)、筆電等需求仍未見(jiàn)起色,NAND Flash市場(chǎng)仍處在供給過(guò)剩狀態(tài),故TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)估,第二季NAND Flash均價(jià)仍將持續(xù)下跌,環(huán)比下跌幅度收斂至5~10%。而后續(xù)恢復(fù)供需平衡的關(guān)鍵在于原廠(chǎng)是否有更大規(guī)模的減產(chǎn),TrendForce集邦咨詢(xún)認(rèn)為若目前需求端未再持續(xù)下修,NAND Flash均價(jià)有機(jī)會(huì)在第四季止跌反彈,反之,若旺季需求端持續(xù)疲弱,均價(jià)反彈時(shí)間恐再延后。Client SSD方面,目前PC OEM零部件庫(kù)存去化已見(jiàn)成
          • 關(guān)鍵字: 集邦  NAND Flash  

          NAND Flash 大降價(jià),固態(tài)硬盤(pán)取代機(jī)械硬盤(pán)指日可待

          • 相信有很多小伙伴已經(jīng)注意到了,目前市場(chǎng)上很多固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態(tài)硬盤(pán)所需的 NAND 芯片降價(jià)導(dǎo)致的。根據(jù)集邦咨詢(xún)的數(shù)據(jù)顯示,NAND Flash 市場(chǎng)自 2022 年下半年以來(lái)面臨需求逆風(fēng),供應(yīng)鏈積極去化庫(kù)存加以應(yīng)對(duì),此情況導(dǎo)致第四季 NAND Flash 合約價(jià)格下跌 20-25%,其中 Enterprise SSD(企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán))是下跌最劇烈的產(chǎn)品,跌幅約 23-28%。這對(duì)于 NAND 芯片廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)并不是什么好消息,但對(duì)于普通消費(fèi)者來(lái)說(shuō),我們確實(shí)能買(mǎi)到更便宜的固態(tài)
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  

          存儲(chǔ)器廠(chǎng)商Q1虧損恐難逃

          • 由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續(xù)跌,加上庫(kù)存水位過(guò)高,終端消費(fèi)支出持續(xù)放緩,據(jù)外電消息,韓國(guó)三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫(kù)存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出,南亞科(2408)及華邦電(2344)因減產(chǎn)及跌價(jià)導(dǎo)致?tīng)I(yíng)收及毛利率持續(xù)下滑,第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報(bào)導(dǎo),三星電子3月19日提交給韓國(guó)金融監(jiān)督院的申報(bào)文件中指出,截至去年第四季,整體庫(kù)存資產(chǎn)達(dá)到52.2兆韓元(約折合399億美元),遠(yuǎn)高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中,占三星營(yíng)收比重最高的半導(dǎo)
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  DRAM  NAND Flash  

          存儲(chǔ)大廠(chǎng)展示300層NAND Flash,預(yù)計(jì)最快2024年問(wèn)世

          • 近日,在第70屆IEEE國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上,韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠(chǎng)SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器原型。SK海力士表示,新3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器預(yù)定兩年內(nèi)上市,有望打破紀(jì)錄。外媒報(bào)導(dǎo),SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲(chǔ)存等級(jí)的第八代3D NAND Flash開(kāi)發(fā),提供1TB(128GB)容量,20Gb/mm2單位容量、16KB單頁(yè)容量、四個(gè)平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達(dá)194MB/s,較上一代238層堆疊和164MB/
          • 關(guān)鍵字: 300層  NAND Flash  SK海力士  

          均價(jià)跌幅擴(kuò)大,2022年第四季NAND Flash總營(yíng)收環(huán)比下跌25%

          • TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查顯示,NAND Flash市場(chǎng)自2022年下半年以來(lái)面臨需求逆風(fēng),供應(yīng)鏈積極去化庫(kù)存加以應(yīng)對(duì),此情況導(dǎo)致第四季NAND Flash合約價(jià)格下跌20~25%,其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產(chǎn)品,跌幅約23~28%。在原廠(chǎng)積極降價(jià)求量的同時(shí),客戶(hù)為避免零部件庫(kù)存再攀高,備貨態(tài)度消極,使得第四季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長(zhǎng)僅5.3%,平均銷(xiāo)售單價(jià)環(huán)比減少22.8%,2022年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比下跌25.0%,達(dá)
          • 關(guān)鍵字: 集邦  NAND Flash  

          NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成

          • 消費(fèi)性固態(tài)硬盤(pán)(Client SSD)受惠于疫情紅利,在過(guò)去二年作為推動(dòng)全球NAND Flash需求位成長(zhǎng)的要角,市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦預(yù)估,2022年消費(fèi)性SSD在筆電的滲透率達(dá)92%,2023年約96%。但隨疫情紅利退場(chǎng),加上總經(jīng)不佳導(dǎo)致消費(fèi)性電子需求急凍,未來(lái)消費(fèi)性SSD需求放緩最明顯,連帶使整體NAND Flash需求位成長(zhǎng)受限,估2022~2025年的年增率均低于30%。容量方面,2022年消費(fèi)性SSD于筆電搭載容量已逾500GB,512GB消費(fèi)性SSD在近期迅速跌價(jià)后,已與半年前256GB報(bào)價(jià)相近,甚至
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  

          基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

          • 在現(xiàn)代電子設(shè)備中,越來(lái)越多的產(chǎn)品使用NAND FLASH芯片來(lái)進(jìn)行大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ),而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯(lián)。根據(jù)NAND FLASH的特點(diǎn),需要識(shí)別NAND FLASH芯片的壞塊并進(jìn)行管理。FPGA對(duì)壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進(jìn)行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設(shè)計(jì)方法,利用FPGA中RAM模塊,設(shè)計(jì)了狀態(tài)機(jī)電路,靈活地實(shí)現(xiàn)壞塊表的建立、儲(chǔ)存和管理,并且對(duì)該設(shè)計(jì)進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證。
          • 關(guān)鍵字: NAND FLASH  FPGA  壞塊  壞塊檢測(cè)  202212  

          新款 10GigE 相機(jī)豐富了 Teledyne 的 Genie? Nano 產(chǎn)品系列

          •  全新 Genie Nano-10GigE 型號(hào)包含各式高速接口, 分辨率更高,從 37 MP 到 67 MP 不等加拿大滑鐵盧(2022 年 11 月 1 日)——Teledyne DALSA 很高興地宣布全推出基于 e2v 67M 和 37M 單色和彩色傳感器的全新 Genie Nano-10GigE&n
          • 關(guān)鍵字: 10GigE 相機(jī)  Teledyne  Genie? Nano  

          集邦:第四季NAND Flash價(jià)格續(xù)跌15~20%

          • 根據(jù)集邦科技研究顯示,目前NAND Flash正處于供過(guò)于求,下半年起買(mǎi)方著重去化庫(kù)存而大幅減少采購(gòu)量,賣(mài)方開(kāi)出破盤(pán)價(jià)以鞏固訂單,使第三季NAND晶圓(wafer)價(jià)格跌幅達(dá)30~35%,但各類(lèi)NAND Flash終端產(chǎn)品仍疲弱,原廠(chǎng)庫(kù)存因此急速上升,預(yù)期將導(dǎo)致第四季NAND Flash總體平均價(jià)格跌幅擴(kuò)大至15~20%。集邦表示,因?yàn)樾枨蟮兔詫?dǎo)致NAND Flash下半年價(jià)格大跌,多數(shù)原廠(chǎng)的NAND Flash產(chǎn)品銷(xiāo)售也將自今年底前正式步入虧損,意即部分供貨商在運(yùn)營(yíng)陷入虧損的壓力下,對(duì)于采取減產(chǎn)以降低虧
          • 關(guān)鍵字: 集邦  NAND Flash  

          應(yīng)需而生!兆易創(chuàng)新推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

          • 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)宣布,推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25UF系列。該系列在數(shù)據(jù)傳輸速度、供電電壓、讀寫(xiě)功耗等關(guān)鍵性能指標(biāo)上均達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平,在針對(duì)智能可穿戴設(shè)備、健康監(jiān)測(cè)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備或其它單電池供電的應(yīng)用中,能顯著降低運(yùn)行功耗,有效延長(zhǎng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。  隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展,新一代智能可穿戴設(shè)備需要擁有更豐富的功能來(lái)滿(mǎn)足消費(fèi)者的需求,這種空間敏感型產(chǎn)品對(duì)系統(tǒng)功耗提出了更嚴(yán)苛的要求,希
          • 關(guān)鍵字: 兆易創(chuàng)新  1.2V  SPI NOR Flash  

          兆易創(chuàng)新1.2mm×1.2mm USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列問(wèn)世

          • 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列,采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封裝,最大厚度僅為0.4mm,在如此緊湊、輕薄的空間內(nèi),其功耗、電壓范圍等方面均實(shí)現(xiàn)了進(jìn)一步提升,為消費(fèi)電子、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)以及便攜式健康監(jiān)測(cè)設(shè)備等對(duì)電池壽命和緊湊型設(shè)計(jì)有著嚴(yán)苛需求的應(yīng)用提供了理想選擇。 如今,隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、AI等技術(shù)的不斷迭代,在筆記本攝像頭、智能遙控器、智能健康手環(huán)等采用電池
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          nano nor flash介紹

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