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nehalem”芯片文章進(jìn)入nehalem”芯片技術(shù)社區(qū)

V型電極的大功率LED芯片的封裝

對(duì)于V型電極LED芯片，如圖1所示，其中兩個(gè)電極的p極和n極都在同一面。這種led芯片的通常是絕緣體（如Al2O3、藍(lán)寶...
關(guān)鍵字：大功率 LED 芯片封裝

L型電極的大功率LED芯片的封裝

美國GREE公司的1W大功率芯片（L型電極），它的上下各有一個(gè)電極。其碳化硅（SiC）襯底的底層首先鍍一層金屬，如金錫合金...
關(guān)鍵字：大功率 LED 芯片封裝

飛思卡爾計(jì)劃在紐交所啟動(dòng)IPO

　　北京時(shí)間5月10日消息，芯片廠商飛思卡爾周一在提交給美國證券交易委員會(huì)(SEC)的文件中稱，該公司計(jì)劃在紐約證券交易所啟動(dòng)IPO(首次公開募股)，交易代碼為“FSL”，擬發(fā)售4350萬股股票，IPO發(fā)行價(jià)格區(qū)間設(shè)定在每股22美元至24美元，融資10億美元，該公司的估值由此約為55億美元?；ㄆ旒瘓F(tuán)、德銀證券、巴克萊資本、瑞士信貸和摩根大通將是飛思卡爾此次IPO的承銷商。
關(guān)鍵字：飛思卡爾芯片

一種電子系統(tǒng)認(rèn)證芯片的電源規(guī)劃

摘要：為了對(duì)所開發(fā)的電子產(chǎn)品進(jìn)行保護(hù)，采用ASIC的方法設(shè)計(jì)基于硬加密技術(shù)的電子系統(tǒng)認(rèn)證芯片。在后端物理設(shè)計(jì)中，為了使最終的芯片實(shí)現(xiàn)面積優(yōu)化且滿足功耗、時(shí)序等要求，采用預(yù)設(shè)計(jì)的方法對(duì)芯片進(jìn)行功耗預(yù)估與布線
關(guān)鍵字：電源規(guī)劃芯片認(rèn)證子系電子

單片型3D芯片集成技術(shù)與TSV的研究

單片型3D芯片集成技術(shù)與TSV的研究,盡管晶體管的延遲時(shí)間會(huì)隨著晶體管溝道長度尺寸的縮小而縮短，但與此同時(shí)互聯(lián)電路部分的延遲則會(huì)提升。舉例而言，90nm制程晶體管的延遲時(shí)間大約在 1.6ps左右，而此時(shí)互聯(lián)電路中每1mm長度尺寸的互聯(lián)線路，其延遲時(shí)間會(huì)
關(guān)鍵字： TSV 研究技術(shù) 集成 3D 芯片單片

中資芯片紛紛反彈

　　中國主權(quán)財(cái)富基金中國投資有限責(zé)任公司(China Investment Corp，簡稱：中投公司)的助推下，中資芯片股開始反彈。　　中芯國際集成電路制造有限公司(Semiconductor Manufacturing International，簡稱：中芯國際)的股價(jià)上漲了0.07港元，漲幅10%，延續(xù)了4月19日以來的升勢。中芯國際在那一天宣布，中投公司已向其投資2.5億美元。其他投資者將這筆投資視為中投公司投出的一張信任票。　　
關(guān)鍵字：中芯國際芯片

聯(lián)發(fā)科技和展訊新芯片預(yù)計(jì)二季度出貨大增

　　聯(lián)發(fā)科和競爭對(duì)手展訊今年積極推出新芯片搶市，不過，兩家廠商的芯片戰(zhàn)延后至6月開打，有利聯(lián)發(fā)科第二季的表現(xiàn)。惟第三季是否再度出現(xiàn)價(jià)格戰(zhàn)，6月亦將是重要的觀察時(shí)間點(diǎn)。　　
關(guān)鍵字：聯(lián)發(fā)科技芯片

英飛凌第二財(cái)季營收增長27%

　　德國芯片大廠英飛凌(Infineon Technologies)于3日公布財(cái)報(bào)，由于出售移動(dòng)通信業(yè)務(wù)收益，第2財(cái)季凈利竄升，營收也大幅增長 27%。　　截至3月31日當(dāng)季，英飛凌凈利狂增至7倍多，升至5.72億歐元(約合8.49億美元)或每股0.5歐元，相較于前財(cái)年同期的7,900萬歐元，相當(dāng)于每股0.07歐元。　　
關(guān)鍵字：英飛凌芯片

英特爾將于周三宣布年度最重要技術(shù)

　　北京時(shí)間5月3日凌晨消息，英特爾今日向媒體透露，公司將于本周三在舊金山宣布“本年度最重要的技術(shù)”。　　英特爾并沒有透露更多詳細(xì)的資料，僅表示公司將計(jì)劃在美國東部時(shí)間本周三下午12點(diǎn)30分正式宣布，會(huì)議地點(diǎn)在舊金山SPUR都市中心，屬于一個(gè)中等大小的會(huì)議場所。
關(guān)鍵字：英特爾芯片

SIA:芯片行業(yè)喜憂參半

　　SIA宣布，全球芯片銷售3月與第一季度均年增8.6%，因個(gè)人消費(fèi)者與企業(yè)需求增長，但行業(yè)前景喜憂參半，個(gè)人電腦需求下滑，智能手機(jī)與平板電腦強(qiáng)勁增長。　　
關(guān)鍵字：芯片智能手機(jī)

LED芯片的制造工藝流程

LED芯片的制造工藝流程：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干...
關(guān)鍵字： LED 芯片工藝流程

功率型ＬＥＤ芯片產(chǎn)業(yè)格局

１、前言功率型ＬＥＤ芯片的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)包括以下四個(gè)重要環(huán)節(jié)：（1）通過加大工作電流提高芯片的整體功率；...
關(guān)鍵字：功率型ＬＥＤ芯片產(chǎn)業(yè)格局

淺析紅外線LED芯片的應(yīng)用

普通的的紅外線led外形和一般的可見光LED相似，但卻是發(fā)出紅外線。其管壓一般降約1.4v，工作電流一般小于20mA。...
關(guān)鍵字：紅外線 LED 芯片

ITO芯片在LED中的應(yīng)用

為了提高LED芯片的出光效率，人們想了許多辦法。比如，當(dāng)前市場上出現(xiàn)了許多亮度較高的ITO芯片的led，GaN基白光LE...
關(guān)鍵字： ITO 芯片 LED

IGBT驅(qū)動(dòng)芯片IXDN404應(yīng)用及改進(jìn)

介紹了IXYS公司大功率IGBT驅(qū)動(dòng)芯片IXDN404的特點(diǎn)及性能，并在此基礎(chǔ)上，根據(jù)IGBT驅(qū)動(dòng)的實(shí)際要求，設(shè)計(jì)出了一種具有過流保護(hù)及慢關(guān)斷功能的簡單有效的驅(qū)動(dòng)電路，給出了實(shí)際電路圖和驅(qū)動(dòng)波形。關(guān)鍵詞：IGBT；驅(qū)動(dòng)與保護(hù)
關(guān)鍵字：應(yīng)用改進(jìn) IXDN404 芯片驅(qū)動(dòng) IGBT

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nehalem”芯片介紹

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nehalem”芯片電路

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