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IC單位出貨量強勁 面臨廠商無利潤繁榮局面
- 最近公布的數(shù)據(jù)顯示,2007年IC單位出貨量將增長10%,略高于市場調研公司ICInsights最初預計的8%。自2002年以來,IC單位出貨量一直保持兩位數(shù)的年增長率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數(shù)據(jù)轉換(58%)、和汽車相關的模擬IC(32%)出貨量強勁增長,正在推動總體產業(yè)需求,并使IC出貨量保持在高位。 1980年以來,IC產業(yè)單位出貨量有兩次實現(xiàn)連續(xù)三年保持兩位數(shù)增長率,分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后,IC的單位出貨量增長速
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 IC DRAM NAND 模擬IC
DRAM十月價格持續(xù)下跌;ETT現(xiàn)貨價急漲12%
- 上周(10/15-10/22)現(xiàn)貨市場eTT顆粒呈現(xiàn)近幾周少見的急漲局面,DDR2512MbeTT價格收在1.17美元,漲幅約11.9%;相較之下,品牌顆粒仍呈現(xiàn)平穩(wěn)走勢,上漲至1.37美元,幅度為1.4%。根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)分析指出,上周DDR2eTT的強勁漲勢,是因為eTT主要的供貨商進行70nm轉進,供給量減少,部份買主逢低買進拉抬買氣,進而帶動價格上揚,因此這波價格上揚主要是短期市場操作結果,而非市場終端需求帶動;此外,這波投機性買盤主要集中在DDR2eTT的顆粒,并沒有
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 集邦 DRAM ETT MCU和嵌入式微處理器
DRAM現(xiàn)貨市場持續(xù)走弱 合約市場交易冷清
- 現(xiàn)貨市場DDR2價格方面持續(xù)走弱;而DDR則因供應不足價格緩步盤堅。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價之后,暫時止跌并微幅反彈,在1.02至1.05美元震蕩,以1.03美元做收,跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元,下跌2.9%。在DDR1市場方面,由于現(xiàn)貨市場供給數(shù)量仍舊不足,上周也曾出現(xiàn)缺貨狀況,價格持續(xù)小幅上揚,DDR512Mb400MHz以2.66美元做收,上漲5.6%。 十月份合約市場相當清淡,OEM拿貨意愿低落,部分廠商甚至認為,倘若預期十一
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 DDR2 DRAM NAND MCU和嵌入式微處理器
1美元失守!臺DRAM廠難逃虧損百億
- 全球DRAM現(xiàn)貨價16日正式跌破1美元重要心理關卡,以目前現(xiàn)貨報價及DRAM廠每月產能狀況推估,臺DRAM廠力晶、茂德及南科3雄每月合計將蒙受約1億美元損失,且未來虧損數(shù)字恐持續(xù)擴大,若2007年底前DRAM現(xiàn)貨價無法翻揚,初步估計臺DRAM3雄從現(xiàn)在起到2007年底前總共將虧掉新臺幣100億元以上,其中,以力晶處境最為不利。  
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 DRAM 1美元 MCU和嵌入式微處理器
今年全球半導體大型設備開支將達437億美元
- 據(jù)市場研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報告稱,全球半導體大型設備開支增長速度正在減緩,這種低迷的狀況預計將持續(xù)到2008年第一季度。2007年全球半導體大型設備開支總額將達到437億美元,比2006年增長4.1%。2008年全球半導體大型設備開始預計將比2007年增長0.3%。 Gartner分析師稱,2007年全球半導體大型設備開支的增長將影響到2008年的增長。2008年半導體大型設備的開支將勉強實現(xiàn)正增長,晶圓加工設備的開支將出現(xiàn)小幅度的負增長。后端設備市場的前景仍是正增長。 Gar
- 關鍵字: 模擬技術 電源技術 半導體 晶圓加工 DRAM
集邦:9月下旬DRAM合約價格預計下滑10%
- DRAM現(xiàn)貨市場需求不佳,整體報價呈現(xiàn)下跌的情形。DDR2512Mb667MHz下跌幅度達7.8%,價格下跌至1.54美元。其余顆粒報價皆呈現(xiàn)微幅下跌,DDR2eTT下跌至1.31美元。 8月以來由于市場需求不振以及買賣雙方抱持觀望的態(tài)度,使得價格持續(xù)緩跌。然而當DDR2eTT價格跌破5月低點后,部分分銷商及模塊廠開始備貨,使得現(xiàn)貨價格出現(xiàn)反彈,間接帶動了些許買氣。而合約市場方面,由于現(xiàn)貨價格快速下跌,加上PCOEM廠商已經備足旺季所需的庫存水位,因此部份OEM廠商于9月上旬所談妥的合約數(shù)量有砍單的動作。
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 DRAM DDR DDR2 MCU和嵌入式微處理器
ST推出最新的DRAM內存模塊標準專用溫度傳感器
- 高性能模擬器件和混合信號產品的主導廠商之一的意法半導體(紐約證券交易所:STM)今天推出兩款高精度專用數(shù)字溫度傳感器芯片,新產品完全符合個人計算機雙列直插內存模塊(DIMM)的溫度監(jiān)測標準JEDEC JC42.4的規(guī)定。 計算機等系統(tǒng)內的雙速率DDR2和DDR3的數(shù)據(jù)傳輸速度比上一代標準更快,但是內存過熱的風險也隨之增加。溫度傳感器可以監(jiān)視內存溫度,為中央處理器調整數(shù)據(jù)流量和采取防過熱措施提供依據(jù),因此溫度傳感器在系統(tǒng)設計中變得更為重要。 STTS424是一個獨立使用的數(shù)字溫度傳感器芯片,而STTS
- 關鍵字: 測試 測量 ST DRAM 溫度傳感器 測試測量
DRAM市場重現(xiàn)謹慎樂觀氣氛 下半年將出現(xiàn)反彈
- 2001年DRAM市場價格崩潰以來,經歷了市場惡化最嚴重的半年后,2007年下半年DRAM市場開始重現(xiàn)謹慎樂觀氣氛,預計2007年下半年銷售價格將一路走高。下半年的樂觀因素包括返校帶來的銷售高峰,以及季節(jié)性假日需求來臨,其它具體原因還包括:2007年PC出貨量預計增長12%,內存平均容量為1.4GB,比2006年的平均800MB內存增長75%。2007年第2季度,預計每臺電腦平均內存容量為1.3GB,2007年第3季度預計達到1.4GB,2007年第4季度發(fā)展到1.6GB。一些DRAM供應商相信,到200
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 DRAM 嵌入式
NAND市況是“業(yè)內有史以來最糟糕的”
- 根據(jù)iSuppli公司的正式消息,NAND閃存供應商所面臨的市況是業(yè)內有史以來最惡劣的,并且這種狀況可能進一步惡化。如果不是到了岌岌可危的境地,供應商們就不會抱怨NAND閃存業(yè)務的定價和收益率的悲哀狀況了。 與2006年第四季度17%的降幅相比,今年第一季度每Mb的NAND閃存的平均定價有望下降35%到40%。這種戲劇性的價格下滑意味著NAND閃存業(yè)務作為一個整體將在今年第一季度遭遇運營損失,該市場有史以來第一次發(fā)生這樣的事情。 經濟學101法則 需求對降價呈現(xiàn)彈性的響應,市況惡劣的主要原因在于NAND供
- 關鍵字: NAND 閃存 存儲 DRAM
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