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DRAM十月價(jià)格持續(xù)下跌;ETT現(xiàn)貨價(jià)急漲12%
- 上周(10/15-10/22)現(xiàn)貨市場(chǎng)eTT顆粒呈現(xiàn)近幾周少見(jiàn)的急漲局面,DDR2512MbeTT價(jià)格收在1.17美元,漲幅約11.9%;相較之下,品牌顆粒仍呈現(xiàn)平穩(wěn)走勢(shì),上漲至1.37美元,幅度為1.4%。根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)分析指出,上周DDR2eTT的強(qiáng)勁漲勢(shì),是因?yàn)閑TT主要的供貨商進(jìn)行70nm轉(zhuǎn)進(jìn),供給量減少,部份買(mǎi)主逢低買(mǎi)進(jìn)拉抬買(mǎi)氣,進(jìn)而帶動(dòng)價(jià)格上揚(yáng),因此這波價(jià)格上揚(yáng)主要是短期市場(chǎng)操作結(jié)果,而非市場(chǎng)終端需求帶動(dòng);此外,這波投機(jī)性買(mǎi)盤(pán)主要集中在DDR2eTT的顆粒,并沒(méi)有
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DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)持續(xù)走弱 合約市場(chǎng)交易冷清
- 現(xiàn)貨市場(chǎng)DDR2價(jià)格方面持續(xù)走弱;而DDR則因供應(yīng)不足價(jià)格緩步盤(pán)堅(jiān)。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價(jià)之后,暫時(shí)止跌并微幅反彈,在1.02至1.05美元震蕩,以1.03美元做收,跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元,下跌2.9%。在DDR1市場(chǎng)方面,由于現(xiàn)貨市場(chǎng)供給數(shù)量仍舊不足,上周也曾出現(xiàn)缺貨狀況,價(jià)格持續(xù)小幅上揚(yáng),DDR512Mb400MHz以2.66美元做收,上漲5.6%。 十月份合約市場(chǎng)相當(dāng)清淡,OEM拿貨意愿低落,部分廠商甚至認(rèn)為,倘若預(yù)期十一
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1美元失守!臺(tái)DRAM廠難逃虧損百億
- 全球DRAM現(xiàn)貨價(jià)16日正式跌破1美元重要心理關(guān)卡,以目前現(xiàn)貨報(bào)價(jià)及DRAM廠每月產(chǎn)能狀況推估,臺(tái)DRAM廠力晶、茂德及南科3雄每月合計(jì)將蒙受約1億美元損失,且未來(lái)虧損數(shù)字恐持續(xù)擴(kuò)大,若2007年底前DRAM現(xiàn)貨價(jià)無(wú)法翻揚(yáng),初步估計(jì)臺(tái)DRAM3雄從現(xiàn)在起到2007年底前總共將虧掉新臺(tái)幣100億元以上,其中,以力晶處境最為不利。  
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今年全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開(kāi)支將達(dá)437億美元
- 據(jù)市場(chǎng)研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報(bào)告稱(chēng),全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開(kāi)支增長(zhǎng)速度正在減緩,這種低迷的狀況預(yù)計(jì)將持續(xù)到2008年第一季度。2007年全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開(kāi)支總額將達(dá)到437億美元,比2006年增長(zhǎng)4.1%。2008年全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開(kāi)始預(yù)計(jì)將比2007年增長(zhǎng)0.3%。 Gartner分析師稱(chēng),2007年全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開(kāi)支的增長(zhǎng)將影響到2008年的增長(zhǎng)。2008年半導(dǎo)體大型設(shè)備的開(kāi)支將勉強(qiáng)實(shí)現(xiàn)正增長(zhǎng),晶圓加工設(shè)備的開(kāi)支將出現(xiàn)小幅度的負(fù)增長(zhǎng)。后端設(shè)備市場(chǎng)的前景仍是正增長(zhǎng)。 Gar
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索尼與奇夢(mèng)達(dá)組建合資公司 開(kāi)發(fā)DRAM儲(chǔ)存芯片
- 地時(shí)間本周二,日本索尼和德國(guó)芯片制造商奇夢(mèng)達(dá)宣布,它們計(jì)劃建立一個(gè)芯片設(shè)計(jì)合資機(jī)構(gòu),開(kāi)發(fā)消費(fèi)電子和游戲機(jī)使用的DRAM儲(chǔ)存芯片。 兩公司在一份聯(lián)合聲明中稱(chēng),新的合資機(jī)構(gòu)稱(chēng)為 Qreatic Design,計(jì)劃在今年年前在東京成立,在由雙方30名專(zhuān)家組成的芯片設(shè)計(jì)合資公司中,兩公司將各自擁有50%的股份。合資公司主要開(kāi)發(fā)高性能、低能量消耗、嵌入式的、明確用于消費(fèi)電子產(chǎn)品的DRAM芯片。 奇夢(mèng)達(dá)是全球最大的DRAM儲(chǔ)存芯片制造商之一,盡管索尼內(nèi)部擁有它自己的芯片設(shè)計(jì)
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集邦:9月下旬DRAM合約價(jià)格預(yù)計(jì)下滑10%
- DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)需求不佳,整體報(bào)價(jià)呈現(xiàn)下跌的情形。DDR2512Mb667MHz下跌幅度達(dá)7.8%,價(jià)格下跌至1.54美元。其余顆粒報(bào)價(jià)皆呈現(xiàn)微幅下跌,DDR2eTT下跌至1.31美元。 8月以來(lái)由于市場(chǎng)需求不振以及買(mǎi)賣(mài)雙方抱持觀望的態(tài)度,使得價(jià)格持續(xù)緩跌。然而當(dāng)DDR2eTT價(jià)格跌破5月低點(diǎn)后,部分分銷(xiāo)商及模塊廠開(kāi)始備貨,使得現(xiàn)貨價(jià)格出現(xiàn)反彈,間接帶動(dòng)了些許買(mǎi)氣。而合約市場(chǎng)方面,由于現(xiàn)貨價(jià)格快速下跌,加上PCOEM廠商已經(jīng)備足旺季所需的庫(kù)存水位,因此部份OEM廠商于9月上旬所談妥的合約數(shù)量有砍單的動(dòng)作。
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DRAM價(jià)格跌至新低 分析師稱(chēng)還可能進(jìn)一步下滑
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,所有想為自己電腦增加更多內(nèi)存的人都贏得了來(lái)自DRAM行業(yè)的禮物--激烈競(jìng)爭(zhēng)使得內(nèi)存價(jià)格猛跌,行業(yè)分析師預(yù)測(cè),DRAM價(jià)格還將進(jìn)一步下降。 使用最廣泛的512MB DDR2 667MHz芯片的合約價(jià)格已比兩周前下跌了12.5%,周二時(shí)跌至1.75美元,創(chuàng)下了DRAMeXchange今年記錄的新低。DRAMeXchange公司運(yùn)營(yíng)一家對(duì)內(nèi)存芯片進(jìn)行網(wǎng)上交易的網(wǎng)站。 這條重大新聞將對(duì)用戶(hù)產(chǎn)生三個(gè)重大影響:第一,DRAM價(jià)格下跌將增加惠普和戴爾這類(lèi)電腦制
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ST推出最新的DRAM內(nèi)存模塊標(biāo)準(zhǔn)專(zhuān)用溫度傳感器
- 高性能模擬器件和混合信號(hào)產(chǎn)品的主導(dǎo)廠商之一的意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所:STM)今天推出兩款高精度專(zhuān)用數(shù)字溫度傳感器芯片,新產(chǎn)品完全符合個(gè)人計(jì)算機(jī)雙列直插內(nèi)存模塊(DIMM)的溫度監(jiān)測(cè)標(biāo)準(zhǔn)JEDEC JC42.4的規(guī)定。 計(jì)算機(jī)等系統(tǒng)內(nèi)的雙速率DDR2和DDR3的數(shù)據(jù)傳輸速度比上一代標(biāo)準(zhǔn)更快,但是內(nèi)存過(guò)熱的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加。溫度傳感器可以監(jiān)視內(nèi)存溫度,為中央處理器調(diào)整數(shù)據(jù)流量和采取防過(guò)熱措施提供依據(jù),因此溫度傳感器在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中變得更為重要。 STTS424是一個(gè)獨(dú)立使用的數(shù)字溫度傳感器芯片,而STTS
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DRAM市場(chǎng)重現(xiàn)謹(jǐn)慎樂(lè)觀氣氛 下半年將出現(xiàn)反彈
- 2001年DRAM市場(chǎng)價(jià)格崩潰以來(lái),經(jīng)歷了市場(chǎng)惡化最嚴(yán)重的半年后,2007年下半年DRAM市場(chǎng)開(kāi)始重現(xiàn)謹(jǐn)慎樂(lè)觀氣氛,預(yù)計(jì)2007年下半年銷(xiāo)售價(jià)格將一路走高。下半年的樂(lè)觀因素包括返校帶來(lái)的銷(xiāo)售高峰,以及季節(jié)性假日需求來(lái)臨,其它具體原因還包括:2007年P(guān)C出貨量預(yù)計(jì)增長(zhǎng)12%,內(nèi)存平均容量為1.4GB,比2006年的平均800MB內(nèi)存增長(zhǎng)75%。2007年第2季度,預(yù)計(jì)每臺(tái)電腦平均內(nèi)存容量為1.3GB,2007年第3季度預(yù)計(jì)達(dá)到1.4GB,2007年第4季度發(fā)展到1.6GB。一些DRAM供應(yīng)商相信,到200
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DRAM和NAND閃存價(jià)格上漲幅度開(kāi)始回落
- 閃存的合約價(jià)格在7月下半月繼續(xù)上漲,不過(guò)目前漲勢(shì)已經(jīng)逐漸減緩。DRAM廠商預(yù)計(jì)第三季度價(jià)格將輕微上漲,同時(shí)出貨量也大幅提升了。同時(shí),NAND目前價(jià)格也呈現(xiàn)上升趨勢(shì),這主要得益于閃存應(yīng)用范圍的不斷拓展。 DRAM報(bào)價(jià)一片漲聲 根據(jù)內(nèi)存交易機(jī)構(gòu)DRAMeXchange(集邦電子)的數(shù)據(jù),在7月上半月,512Mb DDR2芯片的合約價(jià)格上漲了20%以上,不過(guò)7月下半月的上漲幅度回落到了3%。 DRAMeXchange表示,目前一些PC OEM廠商向DRAM廠商索要報(bào)價(jià)
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NAND市況是“業(yè)內(nèi)有史以來(lái)最糟糕的”
- 根據(jù)iSuppli公司的正式消息,NAND閃存供應(yīng)商所面臨的市況是業(yè)內(nèi)有史以來(lái)最?lèi)毫拥?,并且這種狀況可能進(jìn)一步惡化。如果不是到了岌岌可危的境地,供應(yīng)商們就不會(huì)抱怨NAND閃存業(yè)務(wù)的定價(jià)和收益率的悲哀狀況了。 與2006年第四季度17%的降幅相比,今年第一季度每Mb的NAND閃存的平均定價(jià)有望下降35%到40%。這種戲劇性的價(jià)格下滑意味著NAND閃存業(yè)務(wù)作為一個(gè)整體將在今年第一季度遭遇運(yùn)營(yíng)損失,該市場(chǎng)有史以來(lái)第一次發(fā)生這樣的事情。 經(jīng)濟(jì)學(xué)101法則 需求對(duì)降價(jià)呈現(xiàn)彈性的響應(yīng),市況惡劣的主要原因在于NAND供
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記憶科技、勤茂DRAM模塊市場(chǎng)銷(xiāo)量迅猛增長(zhǎng)
- 2006年DRAM模塊市場(chǎng)的亮點(diǎn)是內(nèi)存供應(yīng)商記憶科技(Ramaxel Technology Ltd)和勤茂科技(TwinMOS Technologies Inc.)產(chǎn)品銷(xiāo)量迅猛增長(zhǎng),增長(zhǎng)率分別達(dá)到85%和127%。 中國(guó)的記憶科技公司不僅是給全球排名第四的PC制造商聯(lián)想直接供貨的OEM,而且是PC制造業(yè)龍頭惠普公司的模塊供應(yīng)商。其營(yíng)收和出貨量增長(zhǎng)均與HP市場(chǎng)份額的上升保持一致。 臺(tái)灣勤茂的增長(zhǎng)受益于它和中國(guó)模塊分銷(xiāo)商的合作,它們讓其享受到中國(guó)經(jīng)濟(jì)高速增長(zhǎng)推動(dòng)PC組裝
- 關(guān)鍵字: DRAM 存儲(chǔ)
DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格下跌 廠商釋出庫(kù)存
- 根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)所發(fā)表的最新內(nèi)存市場(chǎng)報(bào)告指出,上周DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)受到三星停電事件影響而短暫走高,但后續(xù)追價(jià)力道不強(qiáng),使得部份庫(kù)存較多的分銷(xiāo)商反手殺出手中的庫(kù)存。集邦表示,DDR2 eTT報(bào)價(jià)在上周五(10號(hào))再度跌破2美元關(guān)卡到1.93美元。 集邦表示,時(shí)序進(jìn)入傳統(tǒng)PC銷(xiāo)售旺季,但DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)終端需求始終沒(méi)有明顯放大,尤其往年七月份是中國(guó)大陸地區(qū)的銷(xiāo)售旺季,但如今需求也顯得十分冷清。盡管現(xiàn)貨市場(chǎng)需求已較上個(gè)月回溫,但仍不足以刺激現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格。 至于合約市場(chǎng)部分,八月
- 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子 DRAM 價(jià)格下跌 消費(fèi)電子
海力士半導(dǎo)體DRAM產(chǎn)品獲得 ISi存儲(chǔ)技術(shù)授權(quán)
- 海力士已經(jīng)同意在其動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技術(shù)。采用Z-RAM的DRAM將使用一種單晶體管位單元,來(lái)替代多個(gè)晶體管和電容器的組合,這代表了自上世紀(jì)70年代初發(fā)明DRAM來(lái),基本DRAM位單元實(shí)現(xiàn)了首次變革。海力士已經(jīng)獲得了搶先將Z-RAM引入DRAM市場(chǎng)的機(jī)會(huì)。為確保這項(xiàng)優(yōu)勢(shì),兩家公司已經(jīng)投入相當(dāng)大的工程資源共同開(kāi)發(fā)該項(xiàng)目。 Z-RAM最初作為全球成本最低的嵌入式內(nèi)存技術(shù)而應(yīng)用于邏輯芯片,如移動(dòng)芯片組、微處
- 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子 海力士 DRAM ISi 消費(fèi)電子
DRAM價(jià)格回暖 芯片廠商股價(jià)大幅上漲
- 從國(guó)外媒體處獲悉:當(dāng)?shù)貢r(shí)間本周四,由于計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片價(jià)格大幅上漲,包括韓國(guó)現(xiàn)代半導(dǎo)體在內(nèi)的主要亞洲芯片生產(chǎn)商股價(jià)均呈現(xiàn)不同程度的上漲。 根據(jù)DRAMeXchange公布的數(shù)據(jù)顯示,本周三512MB DDR2內(nèi)存的現(xiàn)貨價(jià)格上漲17%,這同時(shí)也是疲軟的內(nèi)存市場(chǎng)近期出現(xiàn)的罕見(jiàn)的價(jià)格反彈現(xiàn)象。由于產(chǎn)量增加再加上市場(chǎng)需求低于預(yù)期,今年DRAM芯片價(jià)格大幅下滑,各大內(nèi)存芯片廠商也因此受到不同程度影響。 業(yè)內(nèi)分析人士指出,本周三內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格反彈可能也只是暫時(shí)現(xiàn)象,但同時(shí)也堅(jiān)定
- 關(guān)鍵字: DRAM 價(jià)格 芯片廠商股價(jià) 半導(dǎo)體材料
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