- 根據國外科技媒體《Anandtech》的報導指出，日前美系存儲器大廠美光科技(Micron)正式宣布，將采用第3代10納米級制程(1Znm)來生產新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生產的DRAM將會是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲器。對此，市場預估，美光的該項新產品還會在2019年底前，在美光位于中國臺灣臺中的廠區(qū)內建立量產產線。
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美光 10納米 DRAM
- Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開始管控向南韓出口3種生產半導體、智能手機與面板所需的關鍵材料，造成存儲器產業(yè)下游模組廠出現提高報價狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長，短期結構性供需反轉的可能性低。日韓貿易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲器價格將反轉，集邦咨詢分析指出，因DRAM價格已歷經連續(xù)三個季度快速下滑，下游
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日韓貿易戰(zhàn) 東芝 DRAM/NAND
- 在中美貿易摩擦有所緩和之際，日前紫光集團宣布組建DRAM集團，讓市場注意力集中到國內存儲器布局上。當前國際存儲寡頭壟斷的格局下，國內存儲方隊既要面對技術、團隊等方面的疊代差距，又要面對當前國際半導體市場勢弱，存儲大幅降價的風險，迎難而上，逆勢擴張?！ H半導體產業(yè)降溫 6月30日晚間，紫光集團宣布了組建DRAM事業(yè)群的計劃，并配套部署人事安排，深化和完善紫光集團“從芯到云”產業(yè)鏈的建設。而如果放眼國際，此時紫光集團布局DRAM可謂迎難而上，逆勢擴張?！ 绹雽w行業(yè)協會官網最新統(tǒng)計，5月全球半
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半導體 存儲 DRAM
- 在近日與投資者和金融分析師召開的收益電話會議上，美光對其長期未來及對其產品的強勁需求表示了信心，該公司還概述了擴大產能的計劃，并迅速轉向更先進的工藝技術。
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美光 DDR5 DRAM
- 6月30日，紫光集團發(fā)布公告稱，決定組建紫光集團DRAM事業(yè)群，全力加速發(fā)展國產內存。
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紫光 DRAM 閃存
- DRAM價格第2季大幅走跌，根據供應鏈透露，6月起DRAM顆粒現貨價格再度走跌，主流交易規(guī)格的8Gb顆粒正式跌破3美元關卡。
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三星電子 SK海力士 美光 南亞科 DRAM
- 半導體無所不在，舉凡汽車、家電、手機到戰(zhàn)斗機，皆少不了半導體這玩意。半導體為韓國最具代表性產業(yè)，占外銷總金額的20%。然而2018年底存儲器榮景告終、價格走跌，除了讓三星電子(Samsung Electronics)存儲器事業(yè)陷入危機外，韓國經濟前景也跟著蒙上陰影。面對中國大陸DRAM力拚崛起，及工業(yè)4.0革命可能帶來的爆炸性需求，三星半導體事業(yè)將采取何種策略令人好奇。
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三星 DRAM SDI
- 作為占據全球DRAM內存芯片過半市場的超級巨頭，三星電子的一舉一動都影響著整個行業(yè)。前幾年內存價格持續(xù)暴漲，三星賺得盆滿缽滿，最近日子就不太好過了，一季度營業(yè)利潤暴跌了超過60％。
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DRAM 16nm 三星電子
- 全球各半導體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)，準備在后摩爾定律世代一較高下。臺灣清華大學研究團隊最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)。 MRAM為非揮發(fā)性存儲器技術，斷電時利用納米磁鐵所存儲的數據不會流失，是“不失憶”的存儲器。其結構如三明治，上層是自由翻轉的鐵磁層，可快速處理數據，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲數據，兩層中則有氧化層隔開?！ ∑?/li>
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MRAM DRAM
- Mar. 25, 2019 ----
集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，受庫存過高影響，DRAM第一季合約價跌幅持續(xù)擴大，整體均價已下跌逾20%。然而價格加速下跌并未刺激需求回溫，預計在庫存尚未去化完成的影響下，DRAM均價跌勢恐將持續(xù)至第三季?！ 「鶕﨑RAMeXchange調查，DRAM供應商累積的庫存水位在第一季底已經普遍超過六周 (含wafer
bank)，而買方的庫存水位雖受到不同產品別的影響略有增減，但平均至少達五周，在服務器以及PC客戶端甚至超過七周。 進
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集邦咨詢 DRAM
- 根據韓國媒體《BusinessKorea》的報導指出，中國一直企望發(fā)展半導體產業(yè)，但在近期受到韓國存儲器大廠三星與SK海力士在市場壟斷與持續(xù)技術精進下，加上美國對知識產權的嚴密保護，其目的將難以達成。 報導指出，2018年10月份，在中國NANDFlash快閃存儲器技術上領先的長江存儲(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產品之后，當時就宣布將在2020年時跳過64層及96層堆疊的產品，直接發(fā)展128層堆疊的產品。由于韓國的存儲器龍頭廠三星，早在2014年就已經推出了32層堆疊的NANDFlash快
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DRAM NANDFlash
- 近日，半導體產業(yè)市場調研品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)公布的最新的存儲芯片行業(yè)調研報告顯示，DRAM跌價幅度超過預期，創(chuàng)8年以來最大跌幅。一度被調侃為“價格跑贏了房價”的內存條，如今突然迎來8年來最大跌幅，國際巨頭對中國廠商“圍剿”的爭議也再次出現。
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存儲 DRAM
- 根據據韓媒《韓鮮日報》報導，DRAM的價格接連下跌，零售的計算機用DRAM價格最終也下跌到5萬韓元以下，這樣的走勢比預期要快許多，預計今年出口的前景也不樂觀?！ ≡陧n國電子產品價格比較網“Danawa”上，本月6日三星電子DDR48GBPC4-21300DRAM價格是4萬8900韓元，已經下跌到5萬韓元以下，與去年4月9萬9270韓元的高點相比下跌了50.7%?！ 2B(企業(yè)間交易)市場價格指標也呈暴跌的趨勢，據市調公司DRAMeXchange指出，2月底的DDR48Gb的固定交易價格是比起今年1月
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DRAM SK海力士
- 據市調機構DRAMeXchange公布的調查報告指，今年以來DRAM內存價格大幅下跌，其估算一季度的跌幅從預期的25%擴大至30%，這對于依靠存儲芯片取得了全球半導體老大位置的三星來說顯然不是好消息，其或因存儲芯片價格持續(xù)下跌導致位置不保。 存儲芯片價格持續(xù)上漲助三星取代Intel 自2016年以來，受PC、智能手機等產品對存儲芯片需求不斷擴大，PC正將機械硬盤轉換為速度更快的SSD硬盤、DRAM內存的容量在不斷增大，智能手機的閃存和內存容量也在不斷擴大，存儲芯片價格進入了快速上漲的階段。 作為
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三星 DRAM
- Mar. 5, 2019 ----
根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查，由于供過于求的市況，DRAM產業(yè)大部分交易已經改為月結價(Monthly
Deals)，2月份更罕見出現價格大幅下修。目前季跌幅從原先預估的25%調整至逼近30%，是繼2011年以來單季最大跌幅。 DRAMeXchange指出，從市場面來觀察，整體合約價自去年第四季開始下跌，隨后庫存水位持續(xù)攀升。近期DRAM原廠庫存(含wafer
bank)普遍來到至少一個半月的高水位。同時，Intel低
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DRAM
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