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內(nèi)存條掀起的漲價潮:國產(chǎn)手機漲價 三星成最大贏家
- “2017年DRAM價格漲幅將達到39%”,ICInsights在2017年第三季度做出預計。當下,以DRAM為代表的半導體存儲器在全球范圍內(nèi)掀起漲價潮。 DRAM作為半導體存儲器的產(chǎn)品類型之一,常見產(chǎn)品形態(tài)是內(nèi)存條,主要的兩個應用市場是PC和智能手機。據(jù)京東商城官網(wǎng)顯示,金士頓DDR424008G臺式機內(nèi)存在半年內(nèi)價格從400元左右漲至800元左右,同時金立集團董事長劉立榮在9月25日媒體交流會上稱,國產(chǎn)手機下半年仍會漲價,部分原因是內(nèi)存成本上升。 集邦咨詢半導體
- 關鍵字: 內(nèi)存條 DRAM
威剛:DRAM缺貨延續(xù)至明年第2季
- 臺灣內(nèi)存模塊廠威剛指出,由于服務器、智能手機及 PC 等 3 大市場在下半年需求陸續(xù)回溫, DDR4 在需求面三箭齊發(fā)下處于全面性的嚴重缺貨。 不但價格持續(xù)走揚,PC 大廠及渠道客戶也積極備貨,NAND Flash 閃存也在中國智能手機大廠積極備貨的推動下,價格仍呈多頭格局。 威剛進一步指出,在國際數(shù)據(jù)中心大廠對 DRAM 需求快速擴張之下,全球 DRAM 廠 2017 年皆無新增產(chǎn)線的投入,上游 DRAM 廠多以移轉 PC DRAM 產(chǎn)能因應,導致 PC DRAM 供給面臨嚴重的產(chǎn)能排擠效應,
- 關鍵字: 威剛 DRAM
晉華明年第四季完成DRAM第一階段開發(fā)
- 聯(lián)電和兩名員工遭到內(nèi)存大廠美光指控妨礙營業(yè)秘密,并遭到臺中地檢署起訴,共同總經(jīng)理簡山杰認為是遭到「商業(yè)間諜」構陷入罪,但強調(diào)DRAM計劃不變,將于明年第4季完成第一階段技術開發(fā)。 聯(lián)電DRAM項目主要與福建晉華合作。 簡山杰表示,對于司法中的案件原本不應多言,但聯(lián)電極有可能碰到所謂的「商業(yè)間諜」,高度懷疑「帶槍投靠」是假的,可能「構陷入罪」才是真。 簡山杰質(zhì)疑,主要涉案員工夫婦本來都在美光上班,其中先生去年4月主動跳槽聯(lián)電;據(jù)說,遭檢方搜索以后,妻子就被美光停職;涉案人全數(shù)認罪后,妻子就復
- 關鍵字: 晉華 DRAM
看RRAM如何“智斗”NAND flash和DRAM
- 你如果問當前內(nèi)存市場是誰的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制著內(nèi)存市場,當前都處于供不應求的狀態(tài)。不過,在內(nèi)存天下三分的大背景下,新一代存儲技術3D X-point、MRAM、RRAM等開始發(fā)出聲音, RRAM非易失性閃存技術是其中進展較快的一個。到目前為止,RRAM的發(fā)展進程已經(jīng)超越了英特爾的3D X-point技術, Crossbar公司市場和業(yè)務拓展副總裁Sylvain Dubois在2017中芯國際技術研討會上接受與非網(wǎng)的采訪時說:&ldquo
- 關鍵字: RRAM DRAM
將DRAM技術根留臺灣的聯(lián)電 為何硬被扣上竊密罪
- 聯(lián)電日前與大陸福建晉華合作開發(fā)DRAM技術的案子中,因有美光(Micron)的離職員工將技術帶到聯(lián)電任職,不只是員工個人被起訴,聯(lián)電也被臺中地檢署根據(jù)違反營業(yè)秘密法而被起訴,理由是“未積極防止侵害他人營業(yè)秘密”,因此視為共犯。 我們可以從三大層面來探討聯(lián)電和大陸合作開發(fā)DRAM技術的案子。第一,臺灣半導體產(chǎn)業(yè)在這個合作案當中,損失了什么?;第二,聯(lián)電在建立DRAM自主技術的過程中,有無竊取美光技術?;第三,如果企業(yè)沒有教唆員工竊密,只因為“未積極防范&rdqu
- 關鍵字: DRAM 聯(lián)電
2018年DRAM產(chǎn)業(yè)供給年成長預估僅19.6%,延續(xù)供給吃緊走勢
- 隨著時序已近2017年第四季,三大DRAM廠已陸續(xù)在下半年召開針對明年產(chǎn)能規(guī)劃的年度戰(zhàn)略會議,根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查,2018年各DRAM廠的資本支出計劃皆傾向保守,意味著產(chǎn)能擴張甚至技術轉進都將趨緩,除了欲將價格維持在今年下半年的水平,持續(xù)且穩(wěn)定的獲利也將是明年首要目標,預估2018年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給年成長率為19.6%,維持在近年來的低點,加上2018年整體DRAM需求端年成長預計將達20.6%,供給吃緊的態(tài)勢將延續(xù)。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳
- 關鍵字: DRAM
2018年DRAM產(chǎn)業(yè)供給年成長預估僅19.6%,延續(xù)供給吃緊走勢
- 隨著時序已近2017年第四季,三大DRAM廠已陸續(xù)在下半年召開針對明年產(chǎn)能規(guī)劃的年度戰(zhàn)略會議,根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查,2018年各DRAM廠的資本支出計劃皆傾向保守,意味著產(chǎn)能擴張甚至技術轉進都將趨緩,除了欲將價格維持在今年下半年的水平,持續(xù)且穩(wěn)定的獲利也將是明年首要目標,預估2018年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給年成長率為19.6%,維持在近年來的低點,加上2018年整體DRAM需求端年成長預計將達20.6%,供給吃緊的態(tài)勢將延續(xù)。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳
- 關鍵字: DRAM 美光
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